天津电流传感器设计标准

根据电流互感器检测相关规范及其章程，设计合理实验方案，对新型交直流电流传感器主要计量性能参数进行测试，主要测试项目包括：（1）交流计量性能测试；（2）直流计量性能测试；（3）交直流同时测量时交直流计量性能测试；为了构建一二次融合电流场景，实验时选择比例直流叠加法构建一次交直流电流，将交流分量和直流分量单独输出，试验原理框图如图5-1所示。图中，被检电流传感器TAX即为本文研制的高精度交直流电流传感器，交流电流由交流源和升流器产生，一次电流同时穿过被检电流传感器TAX和标准电流互感器TA0，直流电流由直流电源产生并通过等安匝绕在被检电流传感器TAX上。被检电流传感器TAX的输出在采样电阻上RM取出，一方面接入电子式互感器校验仪，用于和标准电流互感器的输出进行比对，给出交流电流测量误差；另一方面接入六位半数字万用表DMM，与直流电流源输出电流采样电阻Rdc上的输出电压进行比对，确定直流电流测量误差。在政策支持和技术进步的推动下，新型储能产业正在逐步成为能源领域的重要支撑。天津电流传感器设计标准

铁芯 C1 的非线性是影响自激振荡磁通门电路正常运行的主要因素。在探究铁芯 C1 非线性特性时常用简易的三折线模型分析，三折线模型忽略了铁芯 C1  磁滞效应并对复 杂的磁化曲线进行分段线性化，铁芯 C1 磁化曲线及简化模型见图 2－2。图中主要参数 HC 为铁芯 C1 剩磁，H(ith)为铁芯 C1 磁导率由线性区即将进入非线性区发生突变时对应 激磁电流阈值 ith 下的磁场强度，H(is)为铁芯 C1 进入饱和区工作状态时对应饱和激磁电 流 is 下的磁场强度。铁芯 C1 的工作状态依据激磁电流大小被划分为负 向饱和区 C，线性区 A 及正向饱和区 B。温州粒子加速器电流传感器联系方式梯次利用下游应用场景包括低速电动车及储能，应用场景多，且技术要求相对更低，发展速度更快。

红色曲线为 0.05 级交流电流互感器比差和角差误差限值曲线， 黄色曲线为 50A 直流下交流比差和角差误差曲线，黑色曲线为 20A 直流下交流比差和 角差误差曲线。 由 5－7 ，5－8 可知，在 20A 及 50A 直流分量下， 新型交直流电流传感 器比差角差无明显变化， 仍满足 0.05 级交流误差限值，所设计的新型交直流电流传感器 可完成不同直流分量下交流电流高精度测量。无锡纳吉伏研制的新型交直流电流传感器单独测量 0~600 A  交流分量、测量 0~300A 直流分量时，电流测量误差均小于 0.05 级电流互感器误差限值；在交直流同时 作用的情况下，交流分量对直流计量性能无明显影响， 直流分量对交流计量性能也无明 显影响， 交流和直流测量精度均未发生变化。

无锡纳吉伏公司总结了直流分量对交流测量影响的相关研究现状，说明了一二次融合背景下交直流电流测量的必要性；通过对电流比较仪的发展回顾，对现有磁调制原理的交直流电流测量方法进行总结，分析了交直流测量方法的关键技术及其制约瓶颈，为交直流电流传感器的优化设计提供思路。对自激振荡磁通门传感器技术进行深入研究，阐明其电流测量基本原理和交直流电流测量的适应性；探究自激振荡磁通门传感器磁参数和几何参数与传感器线性度7和灵敏度之间的定量关系，为自激振荡磁通门传感器的铁芯选择、绕组设计及硬件电路初步设计奠定理论基础。这些政策涵盖了产业规划、技术研发、市场机制、财税支持等多个方面，为产业的快速发展提供了有力保障。

新型交直流传感器的环节是零磁通交直流检测器，其线性度制约了整体闭环测量方案的精度。本文设计的零磁通交直流检测器如图3－1所示。其包括环形铁芯C1和C2，及激磁绕组W1，激磁绕组W2和分压电阻R1，R2。比较放大器U1，单位反向放大器U2，采样电阻RS1和RS2。首先确定磁芯尺寸及磁性材料选择，磁性材料各项参数直接影响到所设计零磁通交直流检测器的灵敏度，并对电路设计参数有所限制[57]。根据第2章分析可知，铁芯材料需要选择非线性程度高，即磁导率高，磁饱和强度高，矫顽力低的磁性材料。截至2023年9月，储能系统中标价格比2022年降低近30%。合肥电流传感器厂家

锂电储能产业布局集中度不断提升。天津电流传感器设计标准

根据自激振荡磁通门传感器起振过程分析可知，铁芯工作在周期性正负交替饱和状态是磁调制过程的必要条件。倘若一次电流过大则导致铁芯只是工作在正向磁饱和区或只是工作在负向磁饱和区，此时铁芯单向饱和严重，磁化曲线严重畸变，无法完成电流准确测量。因此，按照一次电流磁势与自激振荡磁通门电路稳态充电电流IC所对应磁势的合成磁势大于铁芯C1饱和阈值电流Ith所对应磁势的原则，当一次电流为正向时，一次电流磁势大小满足：一NpIp+N1Ic之N1Ith化简式（2－43），可得一次电流Ip满足：Ip<N1(IC一Ith)Np同理在当一次电流为负向时，一次电流Ip满足：一N1(IC一Ith)Np（2－43）（2－44）（2－45）综合式（2－44），（2－45）可得自激振荡磁通门传感器测量一次电流Ip的范围为：一N1(IC一Ith)NpN1(IC一Ith)Np（2－46）式（2－46）中Ip表示一次电流峰值。天津电流传感器设计标准