日照可控硅整流器

半导体PN结在正向偏置时电流很大，反向偏置时电流很小。整流二极管就是利用PN结的这种单向导电特性将交流电流变为直流的一种PN结二极管。通常把电流容量在1安以下的器件称为整流二极管，1安以上的称为整流器。常用的半导体整流器有硅整流器和硒整流器，产品规格很多，电压从几十伏到几千伏，电流从几安到几千安。整流器普遍用于各种形式的整流电源中。

大功率整流电源要求整流器的电流容量大、击穿电压高、散热性能好，但这种器件的结面积大、结电容大，因而工作频率很低，一般在几十千赫以下。硅材料的禁带宽度较大，导热性能良好，适于制作大功率整流器件。在耐高压的整流装置中常采用高压硅堆，它由多个整流器件的管芯串联组成，其反向耐压由管芯的耐压及串联管芯数决定，比较高耐压可达几百千伏。如果高频整流电路用于很高频率下，当交流电压的周期与整流器通态到关态的恢复时间相当时，整流器对高频电压不再起整流作用。为适应高频工作的需要，通常在硅整流器中采用掺金的方法，以缩短注入少数载流子的寿命，从而达到减小恢复时间的目的。 奥凯电气具有一支经验丰富、技术力量过硬的专业技术人才管理团队。日照可控硅整流器

可控硅整流器：是一种以晶闸管（电力电子功率器件）为基础，以智能数字控制电路为**的电源功率控制电器。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。

可控硅整流器是一种常用的电力半导体电子器件，具有控制开关数千瓦乃至兆瓦级电功率的能力.从结构上说，它是 一种反向截止三极管型的闸流晶体管，由三个PN结(PN-PN四层)构成.器件的外引线有阴极、阳极、控制极三个电极，典型大电流可控硅整流器的示意剖面见图.器件的反向特性(阳极接负)和PN结二极管的反向特性相似;其正向特性，在 一定范围内器件处于阻抗很高的关闭状态(正向阻断态，即伏安特性一象限中虚线下的实线部分).当正向瞬间电压大于转折电压时，器件迅速转变到低电压大电流的通导状态. 日照可控硅整流器奥凯电气倾城服务，确保产品质量无后顾之忧。

高频电镀整流器主要功能系统主要功能包括稳流/稳压工作方式转换、过压保护、欠压保护、缺相保护、过热保护、过流保护等。

a）稳流/稳压工作方式转换。在稳流及稳压工作方式下，系统精度均可达±1%。

b）过欠压保护。系统允许电网变化范围为380±10%V,过欠压保护电路自动监测网电变化情况，当网电瞬间超出允许范围时，系统自动

宽，保证设备正常运行。

c）缺相保护。当电网故障造成设备缺相运行时，系统自动关机。

d）过流保护。当电源工作过程中发生过流现象时，系统能有效保护设备定全。

e）过热保护。当发生环境极度恶化、通风系统堵塞、通风系统内部故障、散热部件表面严重附着异物等情况，导致机风温度超过设定

时，电源自动停止工作，同时发出报警信号。

f）冷却方式：风冷、水冷。

整流器/充电机应有蓄电池充电电流限流电路，将蓄电池充电电流限制到UPS额定输出容量（KW）的15%。在发电机组供电时（当接收到一个外部低电压信号时），应将蓄电池充电电流限制到零。

1.蓄电池充电电压温度补偿

当采用远端温度检测器时，整流器/充电机应自动调节蓄电池浮充电压（一般按−5mv/只/℃）。通常蓄电池的浮充电压为2.25V/只，终止电压为1.67V/只，因此DC母线电压在浮充和终止电压时分别为N×2.25V，N×1.67V（N为蓄电池的只数）。

2．输入功率的逐步增加

整流器/充电机应具有将初始功率要求限制到额定负载的20%，并在10秒的时间间隔内逐渐将输入功率增加到****额定容量。在冗余UPS系统中，各整流器/充电机的输入功率的加入时间应延迟5至300秒，以减少对发电机组的影响。 奥凯电气设备的引进更加丰富了公司的设备品种，为用户提供了更多的选择空间。

大功率整流器，是一种用于处理大电流的整流器。大功率整流电源要求整流器的电流容量大、击穿电压高、散热性能好，但这种器件的结面积大、结电容大，因而工作频率很低，一般在几十千赫以下。

在以大功率二极管或晶闸管为基础的两种基本类型的整流器中，电网的高压交流功率通过整流器变换为直流电源。提到未来的其它类型整流器：以不可控二极管前沿产品为基础的斩波器、斩波直流/直流变换器或电流源逆变型有源整流器。显然，这种型的整流器在技术上包含较多要开发的内容，但是它能显示出优点，例如它以非常小的谐波干扰和1的功率因数加载于电网。

整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流转化为直流的装置。它有两个主要功能：一，将交流电变成直流电，经滤波后供给负载，或者供给逆变器；二，给蓄电池提供充电电压。因此，它同时又起到一个充电器的作用。

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整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流（AC）转化为直流（DC）的装置。它有两个主要功能：

一，将交流电（AC）变成直流电(DC)，经滤波后供给负载，或者供给逆变器；

二，给蓄电池提供充电电压。因此，它同时又起到一个充电器的作用。

三极管的hFE参数与贮存时间ts相关，一般hFE大的三极管ts也较大，过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均较为欠缺，人们更依赖hFE参数来选择三极管。

在开关状态下，hFE的选择通常有以下认识：、hFE应尽可能高，以便用**少的基极电流得到比较大的工作电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。

但是，如果考虑到开关速度和电流容限，则hFE的比较大值就受到限制；第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件，例如hFE为10到15，甚至8到10的三极管就一度很受欢迎(后来，由于基极回路流行采用电容触发线路，hFE的数值有所上升)，hFE的数值小则饱和深度小，从而有利于降低晶体管的发热。

实际上，晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响，因而通过磁环及绕组参数、基极电阻Rb的调整，也可以降低饱和深度。 日照可控硅整流器

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