配网用电流传感器多用于电能计量, 其主要性能指标为其交流计量误差[60, 61]。实验 时在全量程范围进行交流性能测试, 根据《测量用电流互感器检定规程》,所研制的 500 A 交直流电流传感器, 交流测试范围为 0~600 A,实验时直流电流源输出为 0 ,直流绕 组断开,通过调节升流器旋钮调节一次侧交流大小, 测试了正反行程 5%、20%、100% 、 120%额定电流下新型交直流传感器比差角差。红色曲线为 0.05 级交流电流互感器比差和角差误差限值曲线, 黄色曲线为反行程交流比差和角差误差曲线, 黑色曲线为正行程交流比差和角差误差曲 线。回收的废料形式包括电池(23%)、正极片(33%)和废旧黑粉(44%);回收三元废料18.8万吨。南京精密电流传感器
电压传感器是一种用于测量电压信号的设备,广泛应用于电力系统、工业自动化、电子设备等领域。它具有许多优势,下面我将为您详细介绍。高精度:电压传感器能够提供高精度的电压测量结果,通常具有较小的测量误差,能够满足对电压信号精确度要求较高的应用场景。宽测量范围:电压传感器能够适应不同电压范围的测量需求,可以测量低至几毫伏的微弱信号,也可以测量高达几千伏的高压信号。快速响应:电压传感器具有快速的响应速度,能够迅速捕捉到电压信号的变化,并及时输出相应的测量结果。天津交流电流传感器激励磁场的瞬时值方向呈周期性变化,磁芯的磁导率随激励磁场的改变而变化。
直流特性测试实验参考《测量用电流互感器检定规程》,依据图 5-1 所示实验方案 进行新型交直流传感器直流性能测试[62]。直流特性测试过程中,由于直流电流源输出直流电流为 10 A,因此采用等安匝方法施加直流电流。实验时, 升流器输出交流为 0 , 一次交流回路断开,且受传感器内径尺寸及直流绕组匝数限制, 直流电流测量上限只是为 300A ,在 0~300A 直流电流范围内。横坐标为等效一次标准直流值大小,纵坐标为 0~300A 范围内新型交直流 电流传感器直流比例误差。其中红色曲线为 0.05 级直流电流互感器比例误差限值曲线, 黑色曲线为正行程直流比例误差曲线, 蓝色曲线为反行程直流比例误差曲线。
传统的电流互感器或交流比较仪,当一次电流为交直流混合电流时,一次电流中的 直流分量并不适用于电磁感应原理, 因此全部的直流分量用于铁芯励磁,致使铁芯进入 饱和区, 此时电流互感器二次侧电流出现畸变, 导致一二次安匝失去平衡,交流误差显 著增大。非线性铁芯材料在直流分量下均会产生磁饱和问题,为了实现交直流电流 测量, 需对一次电流中直流分量在铁芯中产生的直流磁势进行补偿, 平衡铁芯中直流磁 势使铁芯磁饱和问题得到解决, 此时交流比较仪部分可实现交流精密测量[38] 。因此,实 现交直流电流精密测量的关键就是构建一二次交直流磁势平衡,通过磁势闭环实现主铁 芯零磁通工作状态。而传统自激振荡磁通门原理的电流传感器仍属于开环电流测量方法, 总体上电流测量精度无法达到很高, 其受电磁干扰及传感器本身线性度影响较大, 且当 一次电流中交直流同时存在时, 一次电流在激磁绕组产生感应纹波电流, 影响了交流分 量的检测精度。因此, 本文借鉴传统电流比较仪闭环结构及反馈环节,构建新型交直流 电流传感器的闭环零磁通电流测量方案, 来实现交直流电流精密测量。电流是物理学中的一个基本物理量,电流测量是电气测量中必不可少的一部分。
其中Ith为铁芯C1饱和阈值电流,其大小取决于非线性铁芯C1磁性参数,具体表达式如下:I=Ψth=N1BsSthLL(2-41)其中Ψth为饱和阈值磁通量,BS为饱和磁感应强度,S为铁芯截面面积。将式(2-41)带入式(2-40)化简后可得:T=4NBS1sVout(2-42)由式(2-42)可知,激磁电压周期只是与铁芯材料饱和磁感应强度BS及截面积S,激磁绕组匝数N1和激磁电压峰值Vout有关。通过选择合适磁性材料的铁芯,并设计相关几何参数,激磁激磁绕组匝数N1和激磁电压峰值Vout即可对检测带宽进行相应设计。从国家到地方层面,都出台了相应的政策措施,支持新型储能产业的发展。镇江纳吉伏电流传感器厂家
磁阻效应传感器是根据磁性材料的磁阻效应制成的。南京精密电流传感器
磁通门传感器是一种根据电磁感应现象加以改造的变压器式的器件,只是它的变压器效应是用于对外界被测磁场进行调制。它的基本原理可以由法拉第电磁感应定律进行解释。磁通门传感器是采用某些高导磁率,低矫顽力的软磁材料(例如坡莫合金)作为磁芯,磁芯上缠绕有激励线圈和感应线圈。在激励线圈中通入交变电流,则在其产生的激励磁场的作用下,感应线圈中产生由外界环境磁场调制而成的感应电势。该电势包含了激励信号频率的各个偶次谐波分量,通过后续的各种传感器信号处理电路,利用谐波法对感应电势进行检测处理,使得该电势与外界被测磁场成正比。又因为磁通门传感器的磁芯只有工作在饱和状态下才能获得较大的信号,所以该传感器又称为磁饱和传感器。与磁通门相关的技术问世于20世纪30年代初期,首先在1931年,Thomas申请了关于磁通门的一项知识产权,接着,有关科学家们根据与磁现象相关的各种大量的实验,总结并提出磁通门技术的工作原理,且当时的实验精度达到了纳特(nT)级别。随后各国的科学家们对与磁通门相关的技术做了进一步的实验和探讨研究,从而证实了磁通门技术的实用性和可发展性,在随后的几十年里,利用该技术制造的各种仪器得到了不断的改进和完善。南京精密电流传感器