陕西微波毫米波芯片流片

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质集成工艺服务，如：1）晶圆键合：提供6英寸及以下超高真空键合、表面活化键合、聚合物键合、热压键合、共晶键合等多种类晶圆及非标准片键合服务；2）衬底减薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料衬底减薄服务；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亚纳米级精细抛光服务。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的多种异质集成技术服务包括：超高真空键合、衬底减薄和表面平坦化等，都是基于先进的技术和设备，以满足客户的不同需求。芯谷高频研究院的热物性测试仪产品准确性高，可满足热导率分析、热阻分析等需求，解决了材料的热评估难题。陕西微波毫米波芯片流片

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务，该系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品具有耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，截止频率达600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；可用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。云南异质异构集成芯片工艺定制开发南京中电芯谷高频器件产业技术研究院的CVD用固态微波功率源产品具有集成度高，尺寸小、寿命高等特性。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台在背面工艺方面，拥有键合机、抛光台、磨片机等，可以进行晶片的减薄、抛光以及划片工艺。公司公共技术服务平台支持晶圆键合工艺，可以支持6英寸及以下晶圆的键合，并具备介质、热压、共晶、胶粘等键合能力，键合精度达到2um。键合工艺可以将不同的晶圆材料组合在一起，从而制造出具有更高性能的芯片。凭借研究院的技术实力和专业的服务团队，公共技术服务平台将为客户提供更加优良的技术服务，不断创新晶圆键合工艺，助力高科技产业的发展。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台的聚焦离子束电镜系统的高分辨率能力可以有效地帮助研发人员观察微观结构上的差异和变化，找出问题的原因。通过该系统，研发人员可以了解到材料表面的形貌特征以及试验品内部的剖面层结构。利用元素成分分析功能，研发人员可以准确地了解各种元素的分布情况，从而更好地理解材料的组成和性质。该系统具备的表面形貌、剖面层结构分析以及元素成分分析功能，为科研工作者提供了重要的数据支持。表面形貌、材料层次结构、元素成分的表征，可以有效帮助研发人员深入了解试验品的情况，从而提出解决方案。芯谷高频研究院太赫兹测试能力，可以测试至400GHz的各类元器件、MMIC电路及模块的散射参数测试和器件建模。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院的高功率密度热源产品由热源管芯和热源集成外壳组成，并采用了先进的厚金技术。热源管芯的背面可以与任意热沉进行金锡等焊料集成，也满足与外壳集成后，在任意热沉进行机械集成。这种灵活的设计使得热源可以根据客户的要求进行定制，尺寸可以进行调整。这款高功率密度热源产品适用于微系统或微电子领域的热管、微流以及新型材料的散热技术开发。同时，它还可以对热管理技术进行定量的表征和评估。公司可以根据客户的需求，设计和开发各种热源微结构及其功率密度。这款产品不仅具有高功率密度，还具有良好的可定制性和适应性。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供光电芯片技术开发及工艺流片服务。安徽化合物半导体器件及电路芯片开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供定制化GaAs/InP SBD太赫兹集成电路芯片技术开发服务。陕西微波毫米波芯片流片

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司研发的太赫兹放大器系列产品具有多项优势。首先，其技术成熟。其次，由于采用了国产技术，产品造价相对更为合理，进一步降低了使用成本。同时，缓解了我国太赫兹芯片领域的供需矛盾，有力地推动了相关产业链的发展。太赫兹放大器系列产品的应用前景广阔，太赫兹技术在通讯、安全检测、材料表征等众多领域都具有重要意义。例如，在通讯领域，太赫兹技术可以实现高速无线通信，将极大地提升网络带宽和传输速度。在安全检测领域，太赫兹技术可以用于无损检测等方面。在材料表征领域，太赫兹技术可以用于材料成分的分析、生物体结构的研究等方面，为科学研究提供有力支持。陕西微波毫米波芯片流片