江西硅基氮化镓器件及电路芯片定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院的高功率密度热源产品由热源管芯和热源集成外壳组成，并采用了先进的厚金技术。热源管芯的背面可以与任意热沉进行金锡等焊料集成，也满足与外壳集成后，在任意热沉进行机械集成。这种灵活的设计使得热源可以根据客户的要求进行定制，尺寸可以进行调整。这款高功率密度热源产品适用于微系统或微电子领域的热管、微流以及新型材料的散热技术开发。同时，它还可以对热管理技术进行定量的表征和评估。公司可以根据客户的需求，设计和开发各种热源微结构及其功率密度。这款产品不仅具有高功率密度，还具有良好的可定制性和适应性。芯谷高频研究院的热物性测试仪可有效解决无法实现大尺寸、微米级厚度、及其超高热导率等材料的热评估难题。江西硅基氮化镓器件及电路芯片定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台的光刻工艺技术服务，可以实现50nm级别的芯片制造，通过精密的光掩模和照射技术，将所需图案精确地转移到晶圆上，为芯片的制造提供关键技术支持。金属化工艺技术服务，能够将金属导线和电极精确地沉积在芯片表面，实现电路的连接和信号传输，为芯片的性能和稳定性打下坚实基础。高温处理是芯片制造过程中不可或缺的环节，公司的平台提供专业的高温处理技术服务，可以在适当的温度和时间条件下，对芯片进行退火、氧化等处理，以提高其性能。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台致力于为客户提供芯片制造全流程工艺技术服务，研究院的专业团队将竭诚提供技术支持和咨询服务，为项目成功开展提供有力保障。上海异质异构集成器件及电路芯片工艺定制开发南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供光电芯片技术开发及工艺流片服务。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司具备较强的异质异构集成技术研发实力和研发基础，公司的研发团队具备深厚的专业知识和丰富的实践经验。通过不断的探索，公司在异质异构集成技术领域取得了重要的突破和进展。在异质异构集成技术方面，公司一直致力于进一步提升产品性能和降低成本，通过对不同材料和结构的理解和应用，实现了不同材料、不同元器件的集成，突破了传统器件的限制，显著提高了产品的性能。公司拥有先进的异质异构集成科研设施和研发平台，为科研人员提供了良好的条件和环境。在这里，研发人员可以充分发挥创造力和智慧，开展深入的研究和实验，不断推进技术的突破和创新。公司与多家高校和科研机构建立了长期稳定的合作关系，共同开展科学研究和成果转化，为公司的发展提供源源不断的动力。

1)南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司太赫兹放大器系列产品，是一项可提供太赫兹芯片解决方案的创新科技成果。太赫兹技术是一项近年来备受关注的前沿技术，具有广泛的应用潜力。作为具有核心竞争力的创新科技企业，公司依托其强大的研发实力和创新能力，成功地实现了太赫兹芯片的自主研发。太赫兹放大器系列产品的应用前景广阔，太赫兹技术在通讯、安全检测、材料表征等众多领域都具有重要意义。公司将继续不断创新，推动太赫兹行业的发展。芯谷高频研究院的热物性测试仪产品能够准确、高效地测试材料的热物性，为研究人员提供数据支撑。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的CVD用固态微波功率源产品具有以下特点：采用第三代氮化镓半导体，具有高频率一致性和稳定性, 且具有集成度高，尺寸小、寿命高等特性；可直接与各类射频CVD设备直接集成，应用于金刚石等材料的生长；可设计与研制不同工作模式的氮化镓基固态微波功率源，满足各类射频CVD设备对高可靠、高集成、高微波特性的技术需求，提升CVD设备的稳定性；主要用于各类射频CVD设备，为其提供微波功率，可扩展应用为微波消毒、微波医疗等领域；本公司可依据客户要求进行各类微波功率大小和功率频率的设计与开发，相对传统微波功率源具有性能高、稳定性好的特性。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院提供定制化芯片研发服务，可提供芯片设计、芯片流片、芯片测试等服务。海南光电器件及电路器件及电路芯片工艺定制开发

芯谷高频研究院提供薄膜型SBD集成电路开发服务，适用于0.5THz以上、集成度要求高的太赫兹混频、倍频应用。江西硅基氮化镓器件及电路芯片定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务，该系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品具有耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，截止频率达600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；可用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。江西硅基氮化镓器件及电路芯片定制开发

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