企业商机
剥离液基本参数
  • 品牌
  • 博洋化学
  • 纯度级别
  • 超纯/高纯
  • 类型
  • 醇,醚
  • 产品性状
  • 液态
剥离液企业商机

    所述抽真空气体修饰法包括如下步骤:将将衬底和光刻胶抗粘剂置于密闭空间中,对密闭空间抽真空至光刻胶抗粘层气化,保持1分钟以上,直接取出衬底。进一步的改进,所述衬底为硅、氧化硅、石英、玻璃、氮化硅、碳化硅、铌酸锂、金刚石、蓝宝石或ito制成。进一步的改进,所述步骤(2)对衬底修饰的试剂包括hmds和十三氟正辛基硅烷;对衬底修饰的试剂镀在衬底表面。进一步的改进,所述所述光刻胶包括pmma,zep,瑞红胶,az胶,纳米压印胶和光固化胶。进一步的改进,所述光刻胶厚度为1nm-100mm进一步的改进,所述光刻胶上加工出所需结构的轮廓的方法为电子束曝光,离子束曝光,聚焦离子束曝光,重离子曝光,x射线曝光,等离子体刻蚀,紫外光刻,极紫外光刻,激光直写或纳米压印。进一步的改进,所述黏贴层为pdms,紫外固化胶,热释放胶,高温胶带,普通胶带,pva,纤维素或ab胶。上述选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法制备的微纳结构用于微纳制造,光学领域,电学,生物领域,mems领域,nems领域。本发明的有益效果在于,解决了现有负性光刻胶加工效率低,难于去胶,去胶过程中损伤衬底,对于跨尺度结构的加工过程中加工精度和效率的矛盾等问题。剥离液的类别一般有哪些。江苏BOE蚀刻液剥离液订做价格

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    本发明涉及剥离液技术领域:,更具体的说是涉及一种光刻胶剥离液再生方法。背景技术::电子行业飞速发展,光刻胶应用也越来越***。在半导体元器件制造过程中,经过涂敷-显影-蚀刻过程,在底层金属材料上蚀刻出所需线条之后,必须在除去残余光刻胶的同时不能损伤任何基材,才能再进行下道工序。因此,光刻胶的剥离质量也有直接影响着产品的质量。而随着电子行业的发展以及高世代面板的面世,光刻胶剥离液的使用越来越多。剥离液废液中含有光刻胶树脂、水和某些金属杂质,而剥离液废液的处理主要是通过焚烧或者低水平回收,其大量的使用但不能够有效地回收,对环境、资源等都造成了比较大的影响。有鉴于此,申请人研发出以下的对使用后的光刻胶剥离液回收及再生方法。技术实现要素:本发明的目的是提供一种光刻胶剥离液再生方法。为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:本申请公开了一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液,包括以下质量组分:光刻胶剥离液再生方法,包括以下步骤:s1:回收剥离液新液使用后的剥离液废液,将剥离液废液经过蒸馏、加压工序,得出剥离液废液的纯化液体;纯化液体中含有酰胺化合物、醇醚化合物以及胺化合物;s2:制备添加剂。安徽半导体剥离液什么价格哪家公司的剥离液是比较划算的?

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    能够除去抗蚀剂。用本发明剥离液处理施加有抗蚀剂的基材的条件没有特别限定,例如,可以举出在设为10~80℃的本发明剥离液中浸渍基材1~60分钟左右的条件、将设为10~80℃的本发明剥离液向基材喷雾1~60分钟左右的条件。需要说明的是,浸渍时,可以摇动基材,或对本发明剥离液施加超声波。抗蚀剂的种类没有特别限定,可以是例如干膜抗蚀剂、液体抗蚀剂等中的任一种。干膜抗蚀剂的种类也没有特别限定,例如推荐碱可溶型的干膜抗蚀剂。作为这样的碱可溶型的干膜抗蚀剂,例如,可以举出rd-1225(sap用25μm厚)(日立化成株式会社制)等。施加抗蚀剂的基材没有特别限定,例如,可以举出印刷布线板、半导体基板、平板显示器、引线框中使用的各种金属、合金所形成的、薄膜、基板、部件等。按照上述方式本发明剥离液能够从施加有抗蚀剂的基材除去抗蚀剂,因此能够在包括除去这样的抗蚀剂的工序的印刷布线板、半导体基板、平板显示器、引线框等的制造方法中使用。上述制造方法之中推荐包括从施加有抗蚀剂的基材除去抗蚀剂的工序的印刷布线板的制造方法,特别推荐基于半加成法的印刷布线板的制造方法。本发明剥离液能够除去的线/间距(l/s)没有特别限定。

光刻作为IC制造的关键一环常常被人重视,但是光刻胶***都是作为**层被去掉的,如何快速、干净的去除工艺后的光刻胶是一个经常被疏忽的问题,但是很重要,直接影响了产品质量。如何快速有效的去除光刻胶。笔者**近就碰到一些去胶的问题,比如正胶和负胶去除需要的工艺有差别。去胶工艺还和光刻胶受过什么样的工艺处理有关,比如ICPRIE之后的光刻胶、还有湿法腐蚀后的光刻胶。市面上针对光刻胶去除的特殊配方的去胶液有很多种,但需要根据自身产品特性加以选择。在做砷化镓去除光阻的案例,砷化镓是一种化合物半导体材料,分子式GaAs。立方晶系闪锌矿结构,即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格,其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV,是直接带隙半导体,熔点1238℃,质量密度5.307g/cm3,电容率13.18。在其中掺入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si,可获得N型半导体,掺入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半导体,掺入Cr或提高纯度可制成电阻率高达107~108Ω·cm的半绝缘材料。剥离液的主要成分是什么?

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    在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的剥离液机台的***种结构示意图。图2为本申请实施例提供的剥离液机台的第二种结构示意图。图3为本申请实施例提供的剥离液机台的第三种结构示意图。图4为本申请实施例提供的剥离液机台的第四种结构示意图。图5为本申请实施例提供的剥离液机台的工作方法的流程示意图。具体实施方式目前剥离液机台在工作时,如果过滤剥离光阻时产生的薄膜碎屑的过滤器被阻塞,则需要剥离液机台内的所有工作单元,待被阻塞的过滤器被清理后,才能重新进行剥离制程,使得机台需频繁停线以更换过滤器,极大的降低了生产效率。请参阅图1,图1为本申请实施例提供的过滤液机台100的***种结构示意图。本申请实施例提供一种剥离液机台100,包括:依次顺序排列的多级腔室10、每一级所述腔室10对应连接一存储箱20;过滤器30,所述过滤器30的一端设置通过***管道40与当前级腔室101对应的存储箱20连接,所述过滤器30的另一端通过第二管道50与下一级腔室102连接;其中,至少在***管道40或所述第二管道50上设置有阀门开关60。具体的,图1所示出的是阀门开关60设置在***管道40上的示例图。剥离液的技术指标哪家比较好?无锡天马用的蚀刻液剥离液销售电话

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    当当前级别腔室101对应的过滤器30被薄膜碎屑阻塞后,通过阀门开关60关闭当前级别腔室101对应的存储箱20与过滤器30之间的液体流通,从而可以在阀门开关60关闭后取下被阻塞的过滤器30进行清理并不会导致之后的下一级腔室102的剥离进程无法继续。其中,腔室10用于按照处于剥离制程的玻璃基板的传送方向逐级向玻璃基板分别提供剥离液;与多个腔室10分别对应连接的多个存储箱20,各级腔室10分别通过管道与相应的存储箱20连接,存储箱20用于收集和存储来自当前级腔室101的经历剥离制程的剥离液;过滤器30用于过滤来自当前级腔室101的存储箱20的剥离液,并且过滤器30还可以通过管道与下一级腔室102连接,从而过滤器30可以将过滤后的剥离液输送给下一级腔室102。各腔室10设计为适合进行剥离制程,用于向制程中的玻璃基板供给剥离液,具体结构可参考现有设计在此不再赘述。各级腔室10分别于相应的存储箱20通过管道连接,腔室10中经历剥离制程后的剥离液可以经管道输送至存储箱20中,由存储箱20来收集和存储。各级腔室10的存储箱20分别与相应的过滤器30通过管道连接,经存储箱20处理后的剥离液再经相应的过滤器30过滤后才经管道输送至下一级腔室102。本申请中。江苏BOE蚀刻液剥离液订做价格

苏州博洋化学股份有限公司是一家生产型类企业,积极探索行业发展,努力实现产品创新。是一家股份有限公司企业,随着市场的发展和生产的需求,与多家企业合作研究,在原有产品的基础上经过不断改进,追求新型,在强化内部管理,完善结构调整的同时,良好的质量、合理的价格、完善的服务,在业界受到宽泛好评。公司始终坚持客户需求优先的原则,致力于提供高质量的高纯双氧水,高纯异丙醇,蚀刻液,剥离液。博洋化学自成立以来,一直坚持走正规化、专业化路线,得到了广大客户及社会各界的普遍认可与大力支持。

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