企业商机
蚀刻液基本参数
  • 品牌
  • 博洋化学
  • 产品名称
  • 钼铝钼蚀刻液
  • 纯度级别
  • 超纯/高纯
  • 类别
  • 无机酸
  • 产品性状
  • 液态
蚀刻液企业商机

    上述硅烷系偶联剂的选择方法的特征在于,选择上述硅烷系偶联剂的反应位点(activesite)的数量除以上述硅烷系偶联剂的水解(hydrolysis)形态的分子量之后乘以。以下,通过实施例更加详细地说明本发明。但是,以下的实施例用于更加具体地说明本发明,本发明的范围并不受以下实施例的限定。实施例和比较例的蚀刻液组合物的制造参照以下表1(重量%),制造实施例和比较例的蚀刻液组合物。[表1]参照以下表2和图5,利用实施例和比较例的蚀刻液组合物,对于包含作为氧化物膜sio2和作为上述氧化物膜上的氮化物膜sin的膜的、总厚度的膜进行如下处理。在160℃用硅烷系偶联剂%对上述膜处理10,000秒的情况下,可以确认到,aeff值与蚀刻程度(etchingamount,e/a)呈线性相互关系。具体而言,可以判断,作为硅烷系偶联剂,包含aeff值处于~14的蚀刻程度(etchingamount,e/a)优异,从而阻止氧化物膜损伤不良和因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完全去除的不良的效果优异。另一方面,可以判断,作为硅烷系偶联剂,包含aeff值不处于~11的蚀刻程度不佳,从而发生氧化物膜损伤不良。[表2]例如,参照以下表3,包含双。哪家的蚀刻液性价比比较高?哪家蚀刻液蚀刻液报价

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一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法技术领域1.本技术涉及化学蚀刻技术领域,具体涉及一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法。背景技术:2.目前,电子器件的基板表面(例如显示器件的阵列基板)通常带有一定图案的氧化铟锡(ito)膜,以便后续给电子器件可控通电。该ito膜通常通过化学蚀刻的方法蚀刻ito材料层形成。其中,对于多晶ito(p-ito)材料,所用蚀刻液主要包括硫酸系、王水系ito蚀刻液。王水系蚀刻液成本低,但其蚀刻速度快,蚀刻的角度难以控制,且容易对ito膜的下层金属造成二次腐蚀。技术实现要素:3.有鉴于此,为克服目前存在的技术难题,本技术提供了一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法。4.具体地,本技术首先方面提供了一种ito蚀刻液,所述ito蚀刻液包括以下重量份数的各组分:20-22份的盐酸,6-7份的硝酸,0.5-3份的酸抑制剂,0.5-3份的表面活性剂,以及水;其中,所述酸抑制剂包括n,n-二异丙基乙胺、n,n-二异丙基乙醇胺中的至少一种;所述表面活性剂包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一种。5.通过对蚀刻液中硝酸及盐酸的含量进行精确限定,以实现了对王水系蚀刻液蚀刻速度的初步调控,并在一定程度上实现了对蚀刻角度的控制(蚀刻角度小于35广州市面上哪家蚀刻液批量定制蚀刻液蚀刻后如何判断好坏 ?

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    蚀刻液也可含有α-羟基羧酸和/或其盐。α-羟基羧酸及其盐具有作为钛的络合剂的效果,可抑制蚀刻液中产生钛的沉淀。作为所述α-羟基羧酸,例如可举出酒石酸、苹果酸、柠檬酸、乳酸及甘油酸等。α-羟基羧酸和/或其盐的浓度并无特别限制,从络合效果及溶解性的观点来看,推荐为%至5重量%,更推荐为%至2重量%。另外,蚀刻液也可含有亚硫酸及/或其盐。亚硫酸及其盐具有作为还原剂的效果,可提高钛的蚀刻速度。亚硫酸和/或其盐的浓度并无特别限制,从还原性及臭气的观点来看,推荐为%至%,更推荐为%至%。蚀刻液中除了上述的成分以外,也能以不妨碍本发明效果的程度添加其他成分。作为其他成分,例如可举出表面活性剂、成分稳定剂及消泡剂等。蚀刻液可通过使所述各成分溶解于水中而容易地制备。作为所述水,推荐为将离子性物质及杂质除去的水,例如推荐为离子交换水、纯水、超纯水等。蚀刻液可在使用时将各成分以成为预定浓度的方式调配,也可预先制备浓缩液并在即将使用之前稀释而使用。使用本发明的蚀刻液的钛的蚀刻方法并无特别限制,例如可举出:对含有铜及钛的对象物涂布或喷雾蚀刻液的方法;将含有铜及钛的对象物浸渍在蚀刻液中的方法等。处理温度并无特别限制。

    近年来,oled显示器广泛应用于手机和平板显示。金属银以优异的电导率和载流子迁移率被广泛应用于oled显示器的阳极布线(ito/ag/ito)结构中。为了对此进行蚀刻,目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸盐的湿蚀刻液(cna)。这样的体系虽然能有效去除金属银,但在实际使用过程中仍会存在少量的银残留或银再吸附沉积问题。4.本发明所要解决的技术问题在于如何解决现有的银蚀刻液在使用过程中存在少量的银残留、银再吸附沉积问题。5.本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的:6.一种银蚀刻液组合物,其成分由质量占比为40-60%磷酸、2-10%硝酸、%有机酸、%硝酸盐、%含氮元素有机物、其余为水组成。 蚀刻液蚀刻后的样貌形态。

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    因此存在开发蚀刻液组合物时会过度耗费时间和费用的问题。美国公开**第2号公开了在3dnand闪存的制造工序中,对于硅氧化物膜和硅氮化物膜*选择性蚀刻硅氮化物膜的蚀刻液组合物。然而,为了选择构成成分的种类和浓度,不得不需要测试蚀刻液组合物的蚀刻性能,实际情况是,与上述同样,仍然没有解决在找寻蚀刻液组合物的适宜组成方面过度耗费时间和费用的问题。现有技术文献**文献**文献1:美国公开**第2号技术实现要素:所要解决的课题本发明是为了改善上述以往技术问题的发明,其目的在于,提供用于选择硅烷系偶联剂的参数以及包含由此获得的硅烷系偶联剂的蚀刻液组合物,所述硅烷系偶联剂作为添加剂即使不进行另外的实验确认也具有在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻氮化物膜的效果和防蚀能力。此外,本发明的目的在于,提供一种以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中能够*选择性蚀刻上述氮化物膜为特征的蚀刻液组合物。此外,本发明的目的在于,提供利用上述蚀刻液组合物的蚀刻方法。此外,本发明的目的在于,提供选择上述蚀刻液组合物所包含的硅烷系偶联剂的方法。解决课题的方法为了实现上述目的,本发明提供一种蚀刻液组合物,其特征在于,包含磷酸、硅烷。蚀刻液的类别一般有哪些。扬州天马用的蚀刻液蚀刻液价格

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    提高反应体系的稳定性。当体系中加入过氧化氢后有助于提高过氧化氢的稳定性,避免由于过氧化氢分解而引发的,提高生产的安全性。具体实施方式下面结合实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。一种酸性铜蚀刻液的生产工艺,所述工艺包括以下步骤:第一步:将纯水进行低温处理,使纯水温度≤10℃在纯水罐中备用;纯水罐中设有通过电路控制的电磁阀,当纯水温度高于10℃时,电磁阀无法打开。第二步:配制和准备原料,将亚氨基二乙酸、氢氟酸和乙醇酸分别投入对应的原料罐中,经过过滤器循环过滤,备用;将hno3、四甲基氢氧化铵、h2o2分别投入对应的原料罐,备用。亚氨基二乙酸、氢氟酸和乙醇酸需要稀释后使用,hno3、四甲基氢氧化铵、h2o2无需调配可直接用于制备蚀刻液。第三步:根据混酸配制表算出各个原料的添加量,按照纯水→亚氨基二乙酸→氢氟酸→hno3→四甲基氢氧化铵→乙醇酸的顺序依次将原料加入调配罐,将上述混料充分搅拌,搅拌时间为3~5h。第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,继续搅拌混匀,搅拌时间为3~5h,用磁力泵将混合液通过过滤器循环过滤。哪家蚀刻液蚀刻液报价

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