本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施,并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是,提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整,并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。如图1所示,本发明提供的光刻胶剥离去除方法主要实施例,用于半导体制造工艺中,可应用于包括但不限于mos、finfet等所有现有技术中涉及光刻胶剥离去除的生产步骤,主要包括以下步骤:s1,在半导体衬底上淀积介质层;s2,旋涂光刻胶并曝光显影,形成光刻图形阻挡层;s3,执行离子注入:s4,采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀,对光刻胶进行干法剥离;s5,对衬底表面进行清洗。本发明刻胶剥离去除方法主要实施例采用能与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应生成含氨挥发性化合物气体,与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应速率相等的等离子体氮氢混合气体能更高效的剥离去除光刻胶,有效降低光刻胶残留。进而避免由于光刻胶残留造成对后续工艺的影响,提高产品良率。参考图11和图12所示,在生产线上采用本发明的光刻胶剥离去除方法后,监控晶圆产品缺陷由585颗降低到32颗,证明本发明光刻胶剥离去除方法的的改善的产品缺陷,促进了产品良率的提升。博洋剥离液供应厂商-提供微电子领域个性化解决方案!铜陵配方剥离液产品介绍
本发明涉及能够从施加有抗蚀剂的基材剥离抗蚀剂的抗蚀剂的剥离液。背景技术::印刷布线板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蚀剂等抗蚀剂的剥离液中,伴随微细布线化而使用胺系的剥离液。然而,以往的胺系的抗蚀剂的剥离液有废液处理性难、海外的法规制度的问题,而避免其使用。近年来,为了避免胺系的抗蚀剂的剥离液的问题点,还报道了一种含有氢氧化钠和溶纤剂的剥离液(专利文献1),由于剥离时的抗蚀剂没有微细地粉碎,因此存在近年的微细的布线间的抗蚀剂难以除去的问题点。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2002-323776号公报技术实现要素:发明要解决的问题因此,本发明的课题在于,提供容易除去微细的布线间的抗蚀剂的技术。用于解决问题的手段本发明人等为了解决上述课题而深入研究的结果发现,含有钾盐和溶纤剂的溶液与专利文献1那样的含有氢氧化钠和溶纤剂的溶液相比,即使是非常微细的布线间的抗蚀剂也能细小地粉碎,从而完成本发明。即,本发明涉及一种抗蚀剂的剥离液,其特征在于,含有钾盐和溶纤剂。另外,本发明涉及一种抗蚀剂的除去方法,其特征在于,用上述抗蚀剂的剥离液处理施加有抗蚀剂的基材。南京铝钼铝蚀刻液剥离液溶剂铝剥离液的配方是什么?
阀门开关60设置在每一子管道301上。在一些实施例中,阀门开关60设置在每一子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些实施例中,阀门开关60设置在每一第二子管道502上。具体的,阀门开关60的设置位置可以设置在连接过滤器30的任意管道上,在此不做赘述。在一些实施例中,请参阅图4,图4为本申请实施例提供的剥离液机台100的第四种结构示意图。第二管道50包括多个第三子管道503,每一所述第三子管道503与一子过滤器连通301,且每一所述第三子管道503与所述下一级腔室连通102。其中,阀门开关60设置在每一第三子管道503上。本申请实施例提供的剥离液机台,包括:依次顺序排列的多级腔室、每一级所述腔室对应连接一存储箱;过滤器,所述过滤器的一端设置通过管道与当前级腔室对应的存储箱连接,所述过滤器的另一端通过第二管道与下一级腔室连接;其中,至少在管道或所述第二管道上设置有阀门开关。通过阀门开关控制连接每一级腔室的过滤器相互独立,从而在过滤器被阻塞时通过阀门开关将被堵塞的过滤器取下并不影响整体的剥离进程,提高生产效率。本申请实施例还提供一种剥离液机台的工作方法,请参阅图5,图5为本申请实施例提供的剥离液机台的工作方法的流程示意图。
本发明涉及剥离液技术领域:,更具体的说是涉及一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液。背景技术::电子行业飞速发展,光刻胶应用也越来越。在半导体元器件制造过程中,经过涂敷-显影-蚀刻过程,在底层金属材料上蚀刻出所需线条之后,必须在除去残余光刻胶的同时不能损伤任何基材,才能再进行下道工序。因此,光刻胶的剥离质量也有直接影响着产品的质量。但是传统光刻胶剥离液虽然能剥离绝大部分光阻,但对于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板),传统剥离液亲水性不够,水置换能力较差,容易造成面板边缘光刻胶残留。技术实现要素:本发明的目的是提供一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液。为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:本申请公开了一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液,包括以下质量组分:酰胺:50-60%;醇醚:35-45%;环胺与链胺:3-7%;缓蚀剂:%%;润湿剂:%%。的技术方案中,所述的酰胺为n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一种或多种。的技术方案中,所述的醇醚为二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一种或多种。的技术方案中。苏州那里可以买到效果好的剥离液;
能够增强亲水性,使得剥离液亲水性良好,能快速高效地剥离溶解光刻胶。润湿剂含有羟基,为聚乙二醇、甘油中的任意一种。下面通过具体实施例对本申请作进一步详细说明。以下实施例对本申请进行进一步说明,不应理解为对本申请的限制。表一:两种不同组分的剥离液配方一和配方二所采用的基础组分基本相同,不同的是配方二中加入有润湿剂,上述所描述的润湿剂是用于增强亲水性的,滴液与产品表面间的夹角为接触角,接触角可用来衡量润湿程度,水滴角测试仪可测量接触角,从润湿角度考虑,接触角<90°,且接触角越小润湿效果越好加入润湿剂后的配方二所制得的剥离液,在滴落在高世代面板后,通过水滴角测试仪测接触角,检测图如图1所示,三次测试的接触角如下表二:上述两种不同组分的剥离液作接触角测试接触角配方一配方二测试一,加入润湿剂后的配方二所制得的剥离液,其滴落在高世代面板后,其接触角比未加入润湿剂的配方一的剥离液润湿效果更好;请参阅图2所示,将配方一所制得的剥离液以及配方二所制得的剥离液进行光刻胶剥离,图2中的阴影圆点为浸泡时间t1后光刻胶残留,明显地,可以看出配方二中t1时间后光刻胶残留量小,而配方一中产品边缘处光刻胶的残留量大。溶剂型剥离液哪里可以购买?合肥中芯国际用剥离液商家
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所述的链胺为乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一种或多种。技术方案中,所述的环胺为氨乙基哌嗪、羟乙基哌嗪、氨乙基吗啉中的任意一种或多种。技术方案中,所述的缓蚀剂为三唑类物质。的技术方案中,所述的缓蚀剂为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一种。技术方案中,所述的润湿剂含有羟基。技术方案中,所述的润湿剂为聚乙二醇、甘油中的任意一种。经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:本发明中加入环胺与链胺,能够渗透、断开光刻胶分子间弱结合力,能够快速、有效地溶解光刻胶,而配方中加入润湿剂,能够有效地减少接触角,增强亲水性,使得剥离液亲水性良好,能快速高效地剥离溶解光刻胶。附图说明:图1为配方一和配方二的剥离液滴落在平面时两者的接触角对比图。图2为配方一和配方二的剥离液应用是光刻胶的残留量对比图。具体实施方式现有技术中的剥离液其水置换能力较差,容易造成面板边缘光刻胶残留,本申请经过大量的试验,创造性的发现,在剥离液中加入润湿剂,能够使固体物料(高世代面板)更易被水浸湿的物质,通过降低其表面张力或界面张力,使水能展开在固体物料。铜陵配方剥离液产品介绍