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德州TI品牌一系列：TMS320F28377DPTPQ,TMS320F28027PTT,TPS26630RGER,LM1117IMPX-3.3,ADS1148IPWR,LMS3655NQRNLRQ1,TPS82130SILR,OPA4277UA,ADS1258IRTCR,ADS1018IDGSR,INA128UA,XTR300AIRGWR,UCC28070PWR,DS90UB948TNKDRQ1,LMZM23601SIL,CC2640R2FRHBR,TPS552882QRPMRQ1,TPS26600PWPR,SN65HVD3082EDR,TPS82130SILR,UCC21530QDWKRQ1,SN74LV165ARGYR,TPS630**SJR,STM32H743VIH6,LMZ31710RVQT,TPSM84624MOLR,MSP430F449IPZR,LM46002PWPR,ADS1675IPAG,TL7700CPSR,MSP430F5438AIPZR,DAC8760IPWPR,SN65HVD75DR,LMZ14203TZ-ADJ/NOPB,NE555DR,LM258DR,TPS54340DDAR,CSD95372BQ5MC,TPS54260QDGQRQ1,常备库存 TI德州 TPS等一系型号！

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ARM 公司只生产内核标准，不生产芯片。ST、ti 这样的公司从 ARM 公司那里购买内核，然后外加自己的总线结构等。PIC16LF1516-I/SS

集成电路的出现极大地提高了电子器件的集成度和性能。相比于传统的离散元器件，集成电路具有体积小、功耗低、可靠性高等优点。通过在芯片上布置不同的电子元器件，集成电路可以实现各种功能，如逻辑门、放大器、计数器等。同时，集成电路还可以通过不同的连接方式实现不同的功能，如数字集成电路、模拟集成电路、混合集成电路等。集成电路的制造过程包括晶圆加工、光刻、薄膜沉积、刻蚀、离子注入等步骤。其中，晶圆加工是集成电路制造的关键步骤，它通过在硅片上形成不同的层次和结构，实现电子元器件的集成。光刻技术则用于在硅片上制作微小的图案，以定义电子元器件的形状和位置。薄膜沉积和刻蚀技术则用于形成电子元器件的绝缘层和导电层。离子注入技术则用于改变硅片的导电性能。随着技术的不断进步，集成电路的集成度和性能不断提高，价格不断下降。目前，集成电路已经实现了超大规模集成（VLSI）和超大规模集成（ULSI），单个芯片上可以集成数十亿个晶体管。这使得计算机和通信设备的性能大幅提升，同时也推动了消费电子产品的发展。预计未来，集成电路将继续发展，实现更高的集成度和更低的功耗，为人们带来更多便利和创新。PIC16LF1516-I/SS