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CMOS数字图像传感器参数值：●光学格式:1/1.7英寸(9.298毫米，对角线)●活动像素:1928(H)x1088(V)，16:9●像素大小:4.2μmx4.2μmBSI●主射线角度:0°(见注)●彩色滤镜阵列:RGB拜耳●快门类型:电子卷帘快门●输入时钟范围:6-50mhz●输出时钟:比较大80mhz●输出接口:4/2车道MIPI/HiSPi●帧率，1080p:60fps，线性模式30帧/秒，3曝光线交错HDR●反应性:58.89克/勒克斯*s●SNRMAX:41.2dB●比较大动态范围:66db，线性模式122db，估计3次曝光LIMHDR●电源电压:I/O:1.8或2.8V数字:1.2V模拟:2.8VMIPI:1.2V●功耗(典型的):300mw,1080p,60fps线性模式，HiSPi284mw,1080p60fps线性模式，MIPI369mW,1080p30fps3曝光LIMHDR,HiSPi365mw,1080p30fps3曝光LIMHDR,MIPI●工作温度-30°C至+85°C(结)●封装:87-iBGA12×9毫米●注意:可容纳镜头CRA高达20°。1970年CCD图像传感器依靠其高量子效率、高灵敏度、低暗电流、高一致性等性能，成为图像传感器市场的主导。广东安森美AR0221销售电话

每一个CMOS像素都包括感光二极管、浮动式扩散层、传输电极门、起放大作用的MOSFET、起像素选择开关作用的MOSFET.在CMOS的曝光阶段，感光二极管完成光电转换，产生信号电荷，曝光结束后，传输电极门打开，信号电荷被传送到浮动式扩散层，由起放大作用的MOSFET电极门来拾取，电荷信号转换为电压信号。所以这样的CMOS也就完成了光电转换、电荷电压转换、模拟数字转换的三大作用，通过它我们就能把光信号转化为电信号，较终得到数字信号被计算机读取，这样，我们就已经拥有了记录光线明暗的能力。安徽夜视传感器AR0221代理商安森美半导体(ON Semiconductor)推出1/1.7英寸210万像素CMOS图像传感器——AR0221。

近日，安森美半导体（ONSemiconductor）推出业界1/1.7英寸210万像素CMOS图像传感器--AR0221，该传感器采用了安森美半导体新开发的4.2μm背照式（BSI）像素，为工业应用提供超越同类的微光灵敏度。AR0221提供出色的3重曝光行交错式高动态范围（HDR），传感器分辨率为1936Hx1096V，支持1080p/30fps的帧速率，以及可见的、近红外波长内出色的信噪比（SNR）。其16：9的比例，具有鲜艳的色彩和高对比度，使其成为要求严苛的工业应用的理想选择。

ON Semiconductor的AR0221是1 / 1.7英寸CMOS数字图像具有1928 H x 1088 V像素阵列的传感器。这个先进的图像传感器以线性或线交错的方式获得图像动态范围，具有滚动式快门。AR0221针对弱光和具有挑战性的高动态范围场景表现比较好化具有4.2 m BSI转换为工业应用提供的同类的微光灵敏度。该传感器具有灵活的功能，例如可以内部合并以及视频和单帧模式该设备可通过简单的两线串行进行编程接口，并支持MIPI和HiSPi输出接口。关键功能和优势1928x 1088在线性模式下比较高60 fps，在3曝光HDR下比较高30 fps16：9视频的1080p模式从机模式实现多机位同步比较高122 dB，3曝光高动态范围支持内建温度感测器工作温度范围为-30°C至+ 85°C关键应用1080p视频监控录像和流媒体高动态范围成像车辆中的创新应用有4/5与电子相关，半导体是关键。

CMOS图像传感器具有以下几个优点：1）、随机窗口读取能力。随机窗口读取操作是CMOS图像传感器在功能上优于CCD的一个方面，也称之为感兴趣区域选取。此外，CMOS图像传感器的高集成特性使其很容易实现同时开多个跟踪窗口的功能。2）、抗辐射能力。总的来说，CMOS图像传感器潜在的抗辐射性能相对于CCD性能有重要增强。3）、系统复杂程度和可靠性。采用CMOS图像传感器可以地简化系统硬件结构。4）、非破坏性数据读出方式。5）、优化的曝光控制。值得注意的是，由于在像元结构中集成了多个功能晶体管的原因，CMOS图像传感器也存在着若干缺点，主要是噪声和填充率两个指标。鉴于CMOS图像传感器相对优越的性能，使得CMOS图像传感器在各个领域得到了的应用。随着汽车智能化、自动驾驶、汽车功能电子化等趋势的推进，汽车中半导体的含量还会不断增加。北京车载摄像头AR0221供应商

MOS传感器逐渐成为摄影领域主流，并广泛应用于多种场合。广东安森美AR0221销售电话

以下先介绍它们基本的工作原理，再介绍各种象素单元的特点。下图是单个象素的示意图。(1)首先进入“复位状态”,此时打开门管M.电容被充电至V,二极管处于反向状态;(2)然后进入“取样状态”.这时关闭门管M,在光照下二极管产生光电流，使电容上存贮的电荷放电，经过一个固定时间间隔后，电容C上存留的电荷量就与光照成正比例，这时就将一幅图像摄入到了敏感元件阵列之中了;(3)进入“读出状态”.这时再打开门管M,逐个读取各像素中电容C上存贮的电荷电压。广东安森美AR0221销售电话

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