浙江好的铝碳化硅发展现状

铝基碳化硅复合材料的实际意义在于：可以使集成电路的封装性能大幅提高，使用铝碳化硅材料进行电子封装，使封装体与芯片的受热膨胀相一致，并起到良好的导热功能，解决了电路的热失效问题；批量使用AlSiC材料，可以降低封装成本，比目前使用W-Cu、Mo等贵金属材料价格要便宜得多；有效改良我国航天、微波和其他功率微电子领域封装技术水平，提高功能，降低成本，加快我国航天产品的先进化。AlSiC封装材料的开发成功，标志着中国企业不再是在封装领域内一个单纯的蓝领和加工者的角色，而是已经有了自己的具备独属技术内核的封装产品，填补了国内空白，在封装领域内是一项巨大的技术进步。铝碳化硅以其优越的热物理性能被称为第三代电子封装材料，广泛应用于电子封装领域。浙江好的铝碳化硅发展现状

铝碳化硅制备技术介绍：

1、铝碳化硅材料成型技术应具备的条件：

铝碳化硅制备工艺种类较多，包含粉末冶金法、搅拌铸造法、真空压力浸渗法、原位生成法、无压浸渗法等等，使增强材料SiC均匀地分布金属基体中，满足复合材料结构和强度要求；能使复合材料界面效应、混杂效应或复合效应充分发挥；能够充分发挥增强材料对基休金属的增强、增韧效果；设备投资少，工艺简单易行，可操作性强；便于实现批量或规模生产;能制造出接近**终产品的形状，尺寸和结构，减少或避免后加工工序。 河北使用铝碳化硅高体分铝碳化硅广泛应用于微波处理器的盖板中。

封装金属基复合材料的增强体有数种，SiC是其中应用为的一种，这是因为它具有优良的热性能，用作颗粒磨料技术成熟，价格相对较低；另一方面，颗粒增强体材料具有各向同性，有利于实现净成形。AlSiC特性主要取决于SiC的体积分数(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依据两相比例或复合材料的热处理状态，可对材料热物理与力学性能进行设计，从而满足芯片封装多方面的性能要求。其中，SiC体积分数尤为重要，实际应用时，AlSiC与芯片或陶瓷基体直接接触，要求CTE尽可能匹配。此外，AlSiC可将多种电子封装材料并存集成，用作封装整体化，发展其他功能及用途。研制成功将高性能、散热快的Cu基封装材料块（Cu-金刚石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC预制件中，通过金属Al熔渗制作并存集成的封装基片。在AlSiC并存集成过程中，可在需要的部位设置这些成本相对较高的快速散热材料，降低成本，扩大生产规模，嵌有快速散热材料的AlSiC倒装片系统正在接受测试和评估。另外，还可并存集成48号合金、Kovar和不锈钢等材料，此类材料或插件、引线、密封环、基片等，在熔渗之前插入SiC预成形件内，在AlSiC复合成形过程中，经济地完成并存集成，方便光电器件封装的激光连接。

铝碳化硅的浸渗式铸造有什么特点，如何设计产品，才能在保障产品的可用性前提下尽量降低成本呢？下面罗列出一些设计原则，作为设计人员的参考（当然，您也可以完全不必操心这些事情，把您的产品图纸、用途和使用环境邮件发送给我们，我们会遵循铝碳化硅的生产工艺原则，为您设计出产品图，发回给您审核）：

1：尺寸精度：铝碳化硅材料为各向同性材料，不论在哪个方向上，零件的铸造尺寸公差应大于1.5/1000。

2.平面度：产品平面度可以做到0.75/1000。

3.表面光洁度：形状简单的产品，表面光洁度可以做到1.6微米；形状复杂的产品，如齿板的齿，表面光洁度可以做到3.2微米。如需要更高光洁度，可以加抛光工序。

4.尽量不设计螺丝孔、通孔、沉孔等孔类结构在零件上，能用U形孔替代，则尽量使用U形孔。 高体分铝碳化硅复合材料具有强度高、高导热、低热膨胀系数等优异性能。

铝基碳化硅(AlSiC)颗粒增强复合材料，因其具有高比强度和比刚度、低热膨胀系数、低密度、高微屈服强度、良好的尺寸稳定性、导热性以及耐磨、耐疲劳等优异的力学性能和物理性能，被用于电子封装构件材料，在大功率率IGBT 散热基板、LED封装照明、航空航天等**领域以及民用信息相控阵天线T/R模块、大功率微波产品以及宇航电源热沉载体、壳体中被广泛应用。高体分SiCp/Al复合材料中主要采用焊接的方式与器件连接，基体材料由于碳化硅颗粒的存在，导致其表面润湿性能较差，无法满足焊接功能要求，因此必须在材料表面制备可焊金属镀覆层。杭州陶飞仑公司铝碳化硅相关方产品主要应用于航空、航天、电子、电力等多个行业。浙江铝碳化硅砖厂家电话

杭州陶飞仑经过不断研究，创新性的开发出高效率、低成本的高体分大尺寸铝碳化硅结构件制备工艺。浙江好的铝碳化硅发展现状

在国内，随着AESA产品的定型，T/R模块出现批量生产需求，其基板、壳体的生产极为关键，采用近净成形技术，研制出小批量T/R模块封装外壳样品。用无压溶渗AlSiC制作基座替代W-Cu基座，封装微波功率器件，按GJB33A-97和GJB128A-97军标严格考核，器件的微波性能、热性能无变化，可完全满足应用要求，前者的重量只及W-Cu基座的 20%,且成本*为后者的1/3左右，有望在封装领域大量替代W-Cu、Mo-Cu等材料。国产L波段功率器件月批量生产累计上千只，实现某型号雷达***国产化、固态化，今后几年会持续批量生产，S、C波段功率模块怎样低成本生产，将涉及AlSiC封装材料的研发应用。浙江好的铝碳化硅发展现状

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