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三极管基本参数
  • 品牌
  • 盟科,MENGKE
  • 型号
  • 三极管
  • 应用范围
  • 功率,放大,达林顿,开关
  • 材料
  • 硅(Si),锗(Ge)
  • 封装形式
  • 贴片型,直插型,功率型
  • 极性
  • NPN型,PNP型
  • 频率特性
  • 高频,中频,低频
  • 功率特性
  • **率,小功率
  • 营销方式
  • 厂家直销,现货,库存
三极管企业商机

三极管有90×&TImes;系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则,电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。符号的一部分“3”表示三极管。符号的二部分表示器件的材料和结构:A——PNP型锗材料;B——NPN型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。符号的三部分表示功能:U——光电管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。 晶体三极管的控制作用是通过控制基区电流来控制集电区电流的大小,从而实现电流控制。深圳场效应三极管供应商

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三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 上海大号功率三极管厂家直销三极管的封装形式有TO-92、TO-126、TO-220等。

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共基极放大电路共基极放大器的应用较前两种放大器要少得多。是一种典型的共基极放大器。在该放大器内,VT是放大管,C1是输入信号耦合电容,C2是输出信号耦合电容,C3是基极的交流接地电容,R1、R2是VT基极的直流偏置电阻,R3是VT的集电极负载电阻,R4是VT的发射极电阻,VCC是供电电压,Ui是输入信号,Uo是输出信号。直流偏置电源电压VCC不通过R3加到VT的集电极,为它供电,而且通过R1、R2分压后,加到VT的基极,为基极提供直流偏置电压,Ub≈VCCR2/(R1+R2)。流过R1的电流分两路到地:一路是通过R2到地,另一路是通过VT的发射结、R4到地。

晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。 三极管是一种半导体器件,也被称为晶体管。

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双极管共发射极接法的电压-电流关系输入特性曲线简单地看,输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线,现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响,它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响,在讨论输入特性曲线时,应使vCE=const(常数)。vCE的影响,可以用三极管的内部的反馈作用解释,即vCE对iB的影响。共发射极接法的输入特性曲线见。其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收集电子,且基区复合减少, IC / IB增大,特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时,曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致,右移不明显说明内部反馈很小。三极管的电流放大倍数与工作温度有关。无锡SMD三极管品牌

锗三极管已经逐渐被硅三极管所取代。深圳场效应三极管供应商

三极管的工作原理:是输出信号范围的要求,如果没有加偏置,那么只有对那些增加的信号放大,而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0,不能再减小了)。而加上偏置,事先让集电极有一定的电流,当输入的基极电流变小时,集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时,集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。因为发射区多子浓度高,使大量电子从发射区扩散到基区,扩散运动形成发射极电流 ;因为基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合,复合运动形成基极电流 ;因为集电区面积大,在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区,漂移运动形成集电极电流 。深圳场效应三极管供应商

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