企业商机
陶瓷靶材基本参数
  • 品牌
  • 迪纳科,迪丞,东玖,靶材
  • 型号
  • 平面,旋转
  • 是否定制
陶瓷靶材企业商机

钙钛矿太阳电池在短短数十年间不断刷新转换效率。基于正置的钙钛矿太阳电池面临着众多问题,如迟滞较大,光热稳定性差等,相较之下倒置结构可以较好的解决上述问题。倒置结构中空穴传输层主要有氧化镍(NiOx)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)等几种,但是PEDOT:PSS,PTAA等空穴传输层并不稳定且成本较高,考虑到未来大面积生产所需,目前只有NiOx较为适合。现有的NiOx制备工艺以纳米晶溶液旋涂、化学浴沉积、原子层沉积、化学气相沉积等为主。目前合适的大面积制备技术以化学气相沉积为主,其中磁控溅射制备可重复性高且较为均匀。现有的技术手段中,常在氧化镍基板中添加单独的碱金属元素或者过渡金属,用以提升氧化镍空穴传输层的空穴传输能力。靶材是半导体、显示面板、异质结光伏领域等的关键材料,存在工艺不可替代性。新疆AZO陶瓷靶材价格咨询

透明导电薄膜的种类很多,主要有 ITO,TCO,AZO 等,其中 ITO的性能比较好,ITO具有高透光率,低电阻率。目前 ITO 的制备方法主要是磁控溅射,要获得高质量的 ITO薄膜,制备高密度、高纯度和高均匀性的 ITO 靶材是关键。高质量的成品 ITO 溅射靶应具有99%的相对密度。这样的靶材才具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射,获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜。甚至可以在有机材料上溅射 ITO 导电膜。目前ITO靶材的制备方法主要有热压法、冷等静压-烧结法、热等静压法。其中采用冷等静压-烧结法,其相对密度能达到 99%以上,烧结温度高,保温时间长,制备工艺复杂。放电等离子烧结(SPS)是在脉冲电流作用下,粉末颗粒间放电,产生瞬间高温进行烧结。SPS技术具有快速、低温、高效率等优点。能在很低的烧结温度下,保温很短的时间制备高密度的材料。


贵州AZO陶瓷靶材一般多少钱靶材间隙对大面积镀膜的影响除了致密化,如果靶材在生产过程中出现异常,大颗粒会因受热而脱落或缩孔。

从ITO靶材制备方法来看,制备方法多样,冷等静压优势突出。ITO靶材的制备方法主要有4种,分别为热压法、热等静压法、常温烧结法、冷等静压法。冷等静压法制备ITO靶材优点:1)冷等静压法压力较大,工件受力相对更加均匀,尤其适用于压制大尺寸粉末制品,符合ITO靶材大尺寸的发展趋势;2)产品的密度相对更高,更加地均匀;3)压粉不需要添加任何润滑剂;4)生产成本低,适合大规模生产。从冷等静压法主要制备流程看:1)制备粉末,选取氧化铟与二氧化锡(纯度99.99%)进行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇(PVA)和30%的纯水进行砂磨。然后进行喷雾干燥,调节喷雾干燥塔参数,喷雾制备不同松装密度的ITO粉末。再将ITO粉末进行筛网筛分,获得合格的ITO粉末;2)制备素胚,将ITO粉末装入橡胶模具中振实,密封投料口,进行冷等静压,得到靶材素坯;3)结烧,将素坯放置于常压烧结炉中,保温温度为1450—1600℃,采用多个阶段保温烧结,烧结过程中通入氧气。

氧化铌靶材根据其镀膜工艺的不同分为平面靶材和旋转靶材两种,所需的氧化铌纯度均要求达到99.95%,但对氧化铌的物理性能指标要求不同。平面靶材的生产使用热压法,要求氧化铌粉末粒度细且均匀,成形性能好;旋转靶材采用热喷涂法生产,要求氧化铌具有良好的流动性及严格的粒度范围。旋转靶材是近些年新发展的一种靶材,与传统的平面靶材相比,旋转靶材相对于平面靶材具有很多的优点: 1、利用率高(70%以上),甚至可以达到90%; 2、溅射速度快,为平面靶的2-3倍; 3、有效地减少打弧和表面掉渣,工艺稳定性好等优点,因此近年来逐步替代了平面靶材。 针对国内尚未能生产靶材级高纯氧化铌的现状,在现有氧化铌湿法冶金生产工艺的基础上,以高纯铌液为原料,通过喷雾干燥造粒的方法实现对氧化铌产品粒度和粒形的控制,制取满足氧化铌靶材尤其是氧化铌旋转靶材生产要求的球形高纯氧化铌产品。产品纯度为99.95%、粒形为球形、粒度大小范围为50-150μm的高纯氧化铌产品。与国外同行生产厂家以高纯氧化铌产品为原料,需经过球磨、制浆、造粒、焙烧的工艺流程相比,具有工艺流程简单,生产成本低,粒度可控,产品成品率高的特点。产品完全能够满足生产氧化铌旋转靶材的要求。ITO在薄膜太阳能电池中的作用是一种透明导电层,在电池中作为透光层主要用于生成太阳能薄膜电池的背电极。

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.

ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料,因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中,用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材,直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比,具有沉积速度快,膜质优良,工艺易控等优点成为目前的主流?但是,此法成膜过程中会经常发生??靶材表面黑色化,生成黑色不规则球状节瘤,本文称此现象为靶材毒化,毒化使溅射速率下降,膜质劣化,迫使停机清理靶材表面后才能继续正常溅射,严重影响了镀膜效率。 如果化合物的形成速率大于化合物被剥离的速率,则化合物覆盖面积增加。湖北溅射陶瓷靶材市场价

靶材主要用于生成太阳能薄膜电池的背电极,晶体硅太阳能电池较少用到溅射靶材。新疆AZO陶瓷靶材价格咨询

溅射靶材开裂原因生产中使用的冷却水温度与镀膜线实际水温存在差异,导致使用过程中靶材开裂。一般来说,轻微的裂纹不会对镀膜生产产生很大的影响。但当靶材有明显裂纹时,电荷很容易集中在裂纹边缘,导致靶材表面异常放电。放电会导致落渣、成膜异常、产品报废增加。陶瓷或脆性材料靶材始终含有固有应力。这些内应力是在靶材制造发展过程中可以产生的。此外,这些应力不会被退火过程完全消除,因为这是这些材料的固有特性。在溅射过程中,气体离子被轰击以将它们的动量传递给目标原子,提供足够的能量使其从晶格中逃逸。这种放热动量转移使靶材温度升高,在原子水平上可能达到极高的温度。这些热冲击将靶材中已经发展存在的内应力将会增加到许多倍。在这种情况下,如果不适当散热,靶材就可能会断裂。二、溅射靶材开裂应对事项为了防止靶材开裂,需要着重考虑的是散热。需要水冷却机构以从靶去除不需要的热能。另一个需要考虑的问题是功率的增加。短时间内施加过大的功率也会对目标造成热冲击。此外,我们建议将靶材粘合到背板上,这不仅为靶材提供了支撑,而且促进了靶材与水之间更好的热交换。如果目标有一个裂纹,但它是粘接到背板上,仍可以正常使用。新疆AZO陶瓷靶材价格咨询

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