企业商机
陶瓷靶材基本参数
  • 品牌
  • 迪纳科,迪丞,东玖,靶材
  • 型号
  • 平面,旋转
  • 是否定制
陶瓷靶材企业商机

氧化锌(ZnO)属于第三代半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37eV,其激子束缚能高达60mev,比室温热离化能(26mev)大得多。第三代半导体材料是指宽禁带半导体材料,它们的发光波长短(近紫外),具有耐高温、抗辐照、制备方法多、毒性小等特点。自1997 年发现ZnO薄膜的室温紫外光发射以来,ZnO薄膜的制备技术及其光电特性成为人们研究的热点。ZnO薄膜可以在低于500C的温度下生长,比ZnSe和GaN的生长温度低得多。ZnO作为一种新型的光电材料在光波导、半导体紫外激光器、发光器件,透明电极等方面应用大面积。Zno 也是一种十分有用的压电薄膜材料,高质量的单晶或c轴择优取向的多晶ZnO薄膜具有良好的压电性质,能够用来制备高频纤维声光器件及声光调制器等压电转换器,在光电通信领域得到大面积的应用。靶材相对密度对大面积镀膜的影响靶材的相对密度是靶材的实际密度与理论密度之比。宁夏AZO陶瓷靶材价钱

氧化铌靶材根据其镀膜工艺的不同分为平面靶材和旋转靶材两种,所需的氧化铌纯度均要求达到99.95%,但对氧化铌的物理性能指标要求不同。平面靶材的生产使用热压法,要求氧化铌粉末粒度细且均匀,成形性能好;旋转靶材采用热喷涂法生产,要求氧化铌具有良好的流动性及严格的粒度范围。旋转靶材是近些年新发展的一种靶材,与传统的平面靶材相比,旋转靶材相对于平面靶材具有很多的优点: 1、利用率高(70%以上),甚至可以达到90%; 2、溅射速度快,为平面靶的2-3倍; 3、有效地减少打弧和表面掉渣,工艺稳定性好等优点,因此近年来逐步替代了平面靶材。 针对国内尚未能生产靶材级高纯氧化铌的现状,在现有氧化铌湿法冶金生产工艺的基础上,以高纯铌液为原料,通过喷雾干燥造粒的方法实现对氧化铌产品粒度和粒形的控制,制取满足氧化铌靶材尤其是氧化铌旋转靶材生产要求的球形高纯氧化铌产品。产品纯度为99.95%、粒形为球形、粒度大小范围为50-150μm的高纯氧化铌产品。与国外同行生产厂家以高纯氧化铌产品为原料,需经过球磨、制浆、造粒、焙烧的工艺流程相比,具有工艺流程简单,生产成本低,粒度可控,产品成品率高的特点。产品完全能够满足生产氧化铌旋转靶材的要求。宁夏氧化锌陶瓷靶材咨询报价靶材预溅射建议采用纯氩气进行溅射,可以起到清洁靶材表面的作用。

主要PVD方法的特点:半导体、显示面板使用溅射镀膜法(1)金属提纯:靶材纯度要求高。金属提纯的主要方式有化学提纯与物理提纯,化学提纯主要分为湿法提纯与火法提纯,通过电解、热分解等方式析出主金属。物理提纯则是通过蒸发结晶、电迁移、真空熔融法等步骤提纯得到主金属。(2)制造加工:塑性变形、热处理、控制晶粒取向:需要根据下游应用领域的性能需求进行工艺设计,然后进行反复的塑性变形、热处理,需要精确地控制晶粒、晶向等关键指标,再经过焊接、机械加工、清洗干燥、真空包装等工序。靶材制造涉及的工序精细繁多,技术门槛高、设备投资大,具有规模化生产能力的企业数量相对较少。靶材制造的方法主要有熔炼法与粉末冶金法。熔炼法主要有真空感应熔炼、真空电弧熔炼、真空电子束熔炼等方法,通过机械加工将熔炼后的铸锭制备成靶材,该方法得到的靶材杂质含量低、密度高、可大型化、内部无气孔,但若两种合金熔点、密度差异较大则无法形成均匀合金靶材。粉末冶金法主要有热等静压法、热压法、冷压-烧结法三种方法,通过将各种原料粉混合再烧结成形的方式得到靶材,该方法优点是靶材成分较为均匀、机械性能好,缺点为含氧量较高。

磁控溅射镀膜是一种新型的气相镀膜方式,就是用电子枪系统把电子发射并聚焦在被镀的材料上,使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。这种被镀的材料就叫溅射靶材溅射是制备薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在真空中经过加速聚集,而形成高速度能的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。各种类型的溅射薄膜材料无论在半导体集成电路、记录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面都得到了广的应用。制程反应室内部的高温与高真空环境,可使这些金属原子结成晶粒,再透过微影图案化与蚀刻,终一层层金属导线,而芯片的数据传输全靠这些金属导线。溅射靶材主要应用于电子及信息产业,如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等;亦可应用于玻璃镀膜领域;还可以应用于耐磨材料、高温耐蚀、装饰用品等行业。ITO靶材被广泛应用于各大行业之中,其主要应用分为:显示行业、薄膜太阳能电池、功能性玻璃,等三大领域。

从ITO靶材制备方法来看,制备方法多样,冷等静压优势突出。ITO靶材的制备方法主要有4种,分别为热压法、热等静压法、常温烧结法、冷等静压法。冷等静压法制备ITO靶材优点:1)冷等静压法压力较大,工件受力相对更加均匀,尤其适用于压制大尺寸粉末制品,符合ITO靶材大尺寸的发展趋势;2)产品的密度相对更高,更加地均匀;3)压粉不需要添加任何润滑剂;4)生产成本低,适合大规模生产。从冷等静压法主要制备流程看:1)制备粉末,选取氧化铟与二氧化锡(纯度99.99%)进行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇(PVA)和30%的纯水进行砂磨。然后进行喷雾干燥,调节喷雾干燥塔参数,喷雾制备不同松装密度的ITO粉末。再将ITO粉末进行筛网筛分,获得合格的ITO粉末;2)制备素胚,将ITO粉末装入橡胶模具中振实,密封投料口,进行冷等静压,得到靶材素坯;3)结烧,将素坯放置于常压烧结炉中,保温温度为1450—1600℃,采用多个阶段保温烧结,烧结过程中通入氧气。ITO在薄膜太阳能电池中的作用是一种透明导电层,在电池中作为透光层主要用于生成太阳能薄膜电池的背电极。宁夏氧化锌陶瓷靶材咨询报价

通常靶材变黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反应气体和溅射气体比例的影响。宁夏AZO陶瓷靶材价钱

陶瓷靶材是一种重要的溅射靶材,广泛应用于各个领域的薄膜制备和表面处理。作为一种高纯度、高密度的材料,陶瓷靶材具有许多独特的特点和优势。首先,陶瓷靶材具有优异的化学稳定性和热稳定性,能够在高温和复杂的化学环境下保持稳定的性能。这使得陶瓷靶材在各种薄膜制备过程中能够提供稳定的材料源,确保薄膜的质量和性能。其次,陶瓷靶材具有良好的机械性能和热导性能。这使得陶瓷靶材在溅射过程中能够承受高能量的离子轰击和高温的热冲击,不易发生破裂和变形。同时,陶瓷靶材的高热导性能能够有效地散热,保持靶材表面的稳定温度,提高溅射过程的效率和稳定性。此外,陶瓷靶材具有优异的光学性能和电学性能。不同种类的陶瓷靶材具有不同的光学和电学特性,可以根据具体需求选择合适的靶材。例如,氧化物靶材可以用于制备透明导电膜、光学薄膜和光学器件,而金属靶材可以用于制备导电膜和磁性薄膜。陶瓷靶材具有丰富的种类和规格,能够满足不同行业和应用的需求。无论是光学薄膜、电子器件还是太阳能电池,陶瓷靶材都能提供高质量的材料源,帮助客户实现产品的优化和创新。我们公司致力于提供高质量的陶瓷靶材产品,满足客户的需求,推动行业的发展和进步。宁夏AZO陶瓷靶材价钱

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