智能玻璃陶瓷靶材

ITO陶瓷靶材在磁控溅射过程中，靶材表面受到Ar轰击和被溅射原子再沉积的多重作用而发生复杂的物理化学变化,ITO靶材表面会产生许多小的结瘤,这个现象被称为ITO靶材的毒化现象。靶材结瘤毒化后.靶材的溅射速率降低，孤光放电频率增加，所制备的薄膜电阻增加,透光率降低且均一性变差，此时必须停止溅射,清理靶材表面或更换靶材,这严重降低溅射镀膜效率。目前对于结瘤形成机理尚未有统一定论，如孔伟华研究了不同密度ITO陶瓷材磁控射后的表面形貌,认为结瘤是In2O3、分解所致,导电导热性能不好的In2O3又成为热量聚集的中心，使结瘤进一步发展;姚吉升等研究了结瘤物相组成及化学组分,认为结瘤是偏离了化学计量的ITO材料在靶材表面再沉积的结果;Nakashima等采用In2O3和SnO2,的混合粉末制备ITO靶材,研究了SnO2,分布状态对靶材表面结瘤形成速率的影响,认为低溅射速率的SnO2,在ITO靶材中的不均匀分布是结瘤的主要原因。尽管结瘤机理尚不明确,但毋庸置疑的是,结瘤的产生严重影响ITO陶瓷靶材的溅射性能，因此,对结瘤的形成机理进行深入研究具有重要意义。通常靶材变黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反应气体和溅射气体比例的影响。智能玻璃陶瓷靶材

制备一种同质双层氧化铪减反膜，属于光学薄膜技术领域。本发明在透明或半透明基底上依次沉积高折射率的致密氧化铪层和低折射率的多孔氧化铪层。两层氧化铪的折射率由电子束蒸镀的入射角度控制，厚度根据基底不同而调节。本发明采用电子束蒸镀方法，并且双层减反膜由同种材料制成，制备成本低、效率高。该双层氧化铪减反膜对于可见光范围内的多角度入射光均具有很好的减反增透能力，可用于降低窗板、触屏电极或液晶显示屏等表面的反射，具有广的应用前景。河北功能性陶瓷靶材生产企业陶瓷靶材的制备工艺；

靶材开裂影响因素裂纹形成通常发生在陶瓷溅射靶材（如氧化物、碳化物、氮化物等）和脆性材料溅射靶材（如铬、锑、铋等）中。陶瓷或脆性材料目标始终包含固有应力。这些内应力是在靶材制造过程中产生的。此外，这些应力不能通过退火过程完全消除，因为它是这些材料的固有特性。在溅射过程中，轰击的气体离子将其动量传递给目标原子，为它们提供足够的能量来脱离晶格。这种放热动量传递增加了目标的温度，在原子水平上可能达到1，000，000摄氏度。这些热冲击将目标中已经存在的内部应力增加到许多倍。在这种情况下，如果不注意适当的散热，靶材可能会开裂。靶材开裂预防措施为了防止靶材开裂，重要的考虑因素是散热。一方面运用水冷机制来去除靶材中不需要的热能，另一方面考虑提高功率，在很短的时间内提升功率也会给目标带来热冲击。此外，建议将这些靶材绑定到背板上，这不仅为靶材提供支撑，而且还促进靶材与水之间更好的热交换。如果靶材破裂有背板加持的情况下，它仍然可以毫无问题地使用。

溅射靶材开裂原因生产中使用的冷却水温度与镀膜线实际水温存在差异，导致使用过程中靶材开裂。一般来说，轻微的裂纹不会对镀膜生产产生很大的影响。但当靶材有明显裂纹时，电荷很容易集中在裂纹边缘，导致靶材表面异常放电。放电会导致落渣、成膜异常、产品报废增加。陶瓷或脆性材料靶材始终含有固有应力。这些内应力是在靶材制造发展过程中可以产生的。此外，这些应力不会被退火过程完全消除，因为这是这些材料的固有特性。在溅射过程中，气体离子被轰击以将它们的动量传递给目标原子，提供足够的能量使其从晶格中逃逸。这种放热动量转移使靶材温度升高，在原子水平上可能达到极高的温度。这些热冲击将靶材中已经发展存在的内应力将会增加到许多倍。在这种情况下，如果不适当散热，靶材就可能会断裂。二、溅射靶材开裂应对事项为了防止靶材开裂，需要着重考虑的是散热。需要水冷却机构以从靶去除不需要的热能。另一个需要考虑的问题是功率的增加。短时间内施加过大的功率也会对目标造成热冲击。此外，我们建议将靶材粘合到背板上，这不仅为靶材提供了支撑，而且促进了靶材与水之间更好的热交换。如果目标有一个裂纹，但它是粘接到背板上，仍可以正常使用。ITO靶材是当前太阳能电池主要的溅射靶材。

氧化铝薄膜是一种重要的功能薄膜材料，由于具有较高的介电常数、高热导率、抗辐照损伤能力强、抗碱离子渗透能力强以及在很宽的波长范围内透明等诸多优异的物理、化学性能，使其在微电子器件、电致发光器件、光波导器件以及抗腐蚀涂层等众多领域有着广的应用。磁控溅射具有溅射镀膜速度快，膜层致密，附着性好等特点，很适合于大批量，高效率工业生产等明显优点应用日趋广，成为工业镀膜生产中主要的技术之一。溅射镀膜的原理是稀薄气体在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材表面进行轰击，把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方向射向基体表面，在基体表面形成镀层。用这种技术制备氧化铝膜时一般都以纯铝为靶材，溅射用的惰性气体通常选择氩气(Ar)，因为它的溅射率比较高。用氩离子轰击铝靶并通入氧气，溅射出的铝离子和电离得到的氧离子沉积到基片上从而得到氧化铝膜。按磁控溅射中使用的离子源不同，磁控溅射方法有以下几种：①直流反应磁控溅射；②脉冲磁控溅射；③射频磁控溅射；④微波-ECR等离子体增强磁控溅射；⑤交流反应磁控溅射等。AZO薄膜与ITO薄膜方块电阻以及电阻率之间的差距逐步缩小。智能玻璃陶瓷靶材

氧化铌由于其独特的物理和化学性质而被广地应用于现代技术的许多领域。智能玻璃陶瓷靶材

陶瓷靶材的制备工艺烘料:称量前将起始原料置于烘箱中烘料3~6小时,烘料温度为100~120℃;配料:将烘干的原料按照相应的化学计量比称量;球磨:将称量好的原料以某种制备方式混料,混料时间为4~12小时,制成均匀浆料;干燥:将制得的均匀浆料烘干;煅烧:将烘干的粉料过筛并轻压成块状坯体置于马弗炉中,在800~950℃煅烧4~8小时,制成煅烧粉料;球磨:将煅烧后的粉料研磨成细粉,再次球磨、烘干得到陶瓷粉料;制坯:将制成的陶瓷粉料采用钢模手压成直径5~20mm、厚度约0.5~1.2mm的样片,将样片放入冷等静压机中,施加200~350MPa的压力,保压60~180s,制成所得陶瓷坯体;烧结:将制成的陶瓷坯体置于马弗炉中,在1100~1200℃烧结4~6小时;冷却:自然冷却至室温,即制得某种陶瓷靶材.注:提供的温度、时间只当做参考数据.陶瓷靶材的特性要求纯度:陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大,纯度越高,溅射薄膜的均匀性和批量产品的质量的一致性越好.密度:为了减少陶瓷靶材的气孔,提高薄膜性能,要求溅射陶瓷靶材具有高密度.成分与结构均匀性:为保证溅射薄膜均匀,尤其在复杂的大面积镀膜应用中,必须做到靶材成分与结构均匀性好.智能玻璃陶瓷靶材

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