成都LEM莱姆霍尔传感器

霍尔电流传感器是根据霍尔原理制成的。它有两种工作方式，即磁平衡式和直式。霍尔电流传感器一般由原边电路、聚磁环、霍尔器件、（次级线圈）和放大电路等组成。众所周知，当电流通过一根长导线时，在导线周围将产生一磁场，这一磁场的大小与流过导线的电流成正比，它可以通过磁芯聚集感应到霍尔器件上并使其有一信号输出。这一信号经信号放大器放大后直接输出，一般的额定输出标定为4V。另外一种就是磁平衡式电流传感器（闭环式），磁平衡式电流传感器也称补偿式传感器，即主回路被测电流Ip在聚磁环处所产生的磁场通过一个次级线圈，电流所产生的磁场进行补偿， 从而使霍尔器件处于检测零磁通的工作状态。   额定输出标定为4V。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。成都LEM莱姆霍尔传感器

霍尔效应传感器也称霍尔传感器，是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。由于霍尔元件产生的电势差很小，故通常将霍尔元件与放大器电路、温度补偿电路及稳压电源电路等集成在一个芯片上，称之为霍尔传感器。 1、原边导线应放置于传感器内孔中心，尽可能不要放偏； 2、原边导线尽可能完全放满传感器内孔，不要留有空隙； 3、需要测量的电流应接近于传感器的标准额定值IPN，不要相差太大。如条件所限，手头*有一个额定值很高的传感器，而欲测量的电流值又低于额定值很多，为了提高测量精度，可以把原边导线多绕几圈，使之接近额定值。例如当用额定值100A的传感器去测量10A的电流时，为提高精度可将原边导线在传感器的内孔中心绕十圈(一般情况，NP=1；在内孔中绕一圈，NP=2；……；绕九圈，NP=10，则NP×10A=100A与传感器的额定值相等，从而可提高精度)； 4、当欲测量的电流值为IPN/10的时，在25℃仍然可以有较高的精度。南通霍尔传感器公司有哪些具有对磁场敏感，结构简单，体积小，频率响应宽，输出电压变化大和使用寿命长等优点。

作为一种流行的磁传感器技术，霍尔传感器的原理是在向导体施加垂直磁场时，在载流导体（通常称为霍尔元件）中会产生差分电压。电压是由施加的磁场引起的洛伦兹力的结果，其导致电流电子集中在导体的一端，并在两端之间产生电势差。具体来说，霍尔效应传感器由一块薄的矩形p型半导体材料组成，例如砷化镓，锑化铟或砷化铟，它们通过自身连续的电流。当器件放置在磁场中时，磁通线在半导体材料上施加力，该力使电荷载流子，电子和空穴偏转到半导体板的任一侧。电荷载流子的这种运动是它们经过半导体材料所经受的磁力的结果。当这些电子和空穴移动侧边时，通过这些电荷载流子的积累在半导体材料的两侧之间产生差分电压即电位差。

电流传感器必须根据被测电流的额定有效值适当选用不同的规格的产品。被测电流长时间超额，会损坏末极功放管（指磁补偿式），一般情况下，2倍的过载电流持续时间不得超过1分钟。霍尔电压传感器和霍尔电流传感器主要适用于工业控制领域的电压和电流测量。由于传感器一般不提供角差指标，对于需要准确测量交流电功率的场合，应对其角差指标进行验证，这一点需特别注意。工频电量测量可用互感器替代，变频电量测量可用电压、电流组合式的变频功率传感器替代。霍尔传感器模块这种优异的动态性能为提高现代控制系统的性能提供了关键的基础。

霍尔传感器用它可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔传感器以霍尔效应为其工作基础，是由霍尔元件和它的附属电路组成的集成传感器。霍尔传感器在工业生产、交通运输和日常生活中有着非常普遍的应用。 霍尔效应：在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压，它们之间的关系为。图中d 为薄片的厚度，k称为霍尔系数，它的大小与薄片的材料有关。上述效应称为霍尔效应，它是德国物理学家霍尔于1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。霍尔效应传感器的历史较为悠久，也是目前受欢迎的磁传感器之一。电压传感器销售公司有哪些

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霍尔电流传感器基于磁平衡式霍尔原理，根据霍尔效应原理，从霍尔元件的控制电流端通入电流Ic，并在霍尔元件平面的法线方向上施加磁场强度为B的磁场，那么在垂直于电流和磁场方向（即霍尔输出端之间），将产生一个电势VH，称其为霍尔电势，其大小正比于控制电流I。与磁场强度B的乘积。即有式中：K为霍尔系数，由霍尔元件的材料决定；I为控制电流;B为磁场强度;VH为霍尔电势。霍尔电流传感器是按照霍尔效应原理制成，对安培定律加以应用，即在载流导体周围产生一正比于该电流的磁场，而霍尔器件则用来测量这一磁场。因此，使电流的非接触测量成为可能。成都LEM莱姆霍尔传感器

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