可控硅调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
可控硅调压模块企业商机

且随着管子正向阳极电压升高而增大。当阳极电压升到足够大时,会使晶闸管导通,称为正向转折或“硬开通”,多次硬开通会损坏管子,晶闸管加上正向阳极电压后,还必须加上触发电压,并产生足够的触发电流,才能使晶闸管从阻断转为导通。触发电流不够时,管子不会导通,但此时正向漏电流随着增大而增大。晶闸管只能稳定工作在关断和导通两个状态,没有中间状态,具有双稳开关特性。是一种理想的无触点功率开关元件。3.晶闸管一旦触发导通,门极完全失去控制作用。要关断晶闸管,必须使阳极电流《维持电流,对于电阻负载,只要使管子阳极电压降为零即可。为了保证晶闸管可靠迅速关断,通常在管子阳极电压互降为零后,加上一定时间的反向电压。晶闸管主要特性参数1.正反向重复峰值电压——额定电压(VDRM、VRRM取其小者)2.额定通态平均电流IT(AV)——额定电流(正弦半波平均值)3.门极触发电流IGT,门极触发电压UGT,(受温度变化)4.通态平均电压UT(AV)即管压降5.维持电流IH与掣住电流IL6.开通与关断时间晶闸管合格证基本参数晶闸管关断过电压(换流过电压、空穴积蓄效应过电压)及保护晶闸管从导通到阻断。线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量产生过电压。淄博正高电气提供周到的解决方案,满足客户不同的服务需要。济南交流可控硅调压模块配件

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可控硅晶闸管、整流管等器件在使用时普遍有发热现象,正高电气针对目前市场上客户反馈问题总结出以下处理方案,希望对大家有所帮助。反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。属选型问题,需改动设计并更换设计要求电流的器件;需要求供应厂家更换合格产品;如铜排的连接,水路,水压及水的流速,风道风速,散热器台面的平整度,安装紧固力等等。非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。:铜排接触面必须平整光亮,无碳化和污染情况,确保可靠接触,紧固螺丝必须拧紧;避免接触不良或紧固力不足引起的铜排发热传导,导致散热器温度过高,影响器件使用。,导致散热器和器件之间接触压降明显增加导致大量发热,器件和散热器均发热严重;必须整修台面平整度或更换散热片。紧固力不够会导致器件和散热器均发热严重,现场必须检查紧固力。是否真正起作用。检查水的压力,流速及水腔内是否结水垢,确保压力足够,流速正常,无水垢。内蒙古三相可控硅调压模块结构淄博正高电气重信誉、守合同,严把产品质量关,热诚欢迎广大用户前来咨询考察,洽谈业务!

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晶闸管智能模块在电机调速中的应用晶闸管智能模块是新一代电力调控产品,它将晶闸管智能模块和移相触发电路集成为一体,具有使用方便、稳定可靠、节材节能等优点,能降低用户系统的开发及使用成本,主要应用于交直流电动机的调速及稳定电源等领域。一、晶闸管智能模块按主电路形式可分为三相模块和交流模块,下面是晶闸管智能模块的工作特性。1.与单纯的晶闸管电路不同,该模块将相触发电路及控制系统与晶闸管智能模块集成于一体,使其成为一个完整的电力调控开环系统,外加一定的辅助电路可实现闭环控制。2.三相模块主电路交流输入电压范围较宽,且无相序及相数限制,突破了以往整流电路对触发电路要求同步及移相范围等约束,模块内部能自动协调工作。3.控制信号0-10V直流信号,在此范围内,可平滑调节输出电压,控制设为手动或计算机控制。4.可适用多种负载形式,如阻性、感性、容性负载。下面讲解在电动机调速系统中应用晶闸管智能模块应注意的问题基于晶闸管整流模块供电的直流电动机开环调速系统,直流电动机工作室需两路直流电源,一路给电枢回路供电,一路给励磁回路供电,采用该模块设计的几套实际系统经过一年多时间的运行,效果良好。

可控硅模块设备相信大家都已经熟悉并了解了,在您了解的知识中,您知道可控硅模块的导通条件是什么吗?下面正高电气来讲解一下。可控硅模块的工作条件:1.当可控硅模块承受反向阳极电压时,不管门级承受哪种电压,可控硅模块都会处于断开状态。2.当可控硅模块经历正向阳极电压时,可控硅只在门级受到正向电压时接通。3.当可控硅模块导通时,只需要有一定的正极电压,不管门极电压怎样,可控硅模块都保持导通,如果可控硅导通后,门极将失去其功能。4..当可控硅模块导通时,主电路电压(或电流)减小到接近零时,可控硅模块关断。您知道可控硅模块的导通条件是什么吗?可控硅模块导通的条件是阳极承受正电压,只有当正向触发电压时,可控硅才能导通。由门级施加的正向触发脉冲的较小宽度应使阳极电流达到维持直通状态所需的较小的阳极电流,即高于电流IL。可控硅导通后的电压降很小。接通可控硅模块的条件是将流过可控硅模块的电流减小到较小的值,即保持电流IH。有两种方法:1.将正极电压降低至数值,或添加反向阳极电压。2.增加负载电路中的电阻。以上是可控硅模块的导通状态,希望能帮助您。淄博正高电气迎接挑战,推陈出新,与广大客户携手并进,共创辉煌!

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压接式和焊接式可控硅模块有哪些区别?可控硅模块属于一种使用模块封装形式,拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,这种可控硅模块的体积非常的小,结构也十分的紧凑,对于维修与安装都有很大的作用,可控硅模块的类型非常的多,比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等,很多人不是很清楚两者之间的差异,下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲,焊接式可控硅模块可以做到160A电流,同时压接式模块的电流就能够达到1200A,这就是讲低于160A的模块,不只是有焊接式的,同时也有压接式的。②从外形方面来讲,焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好,压接式的属于一体成型,技术十分的标准,焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹,但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知,压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的,有不少的公司都会使用压接式可控硅模块,这其中的原因可能使由于其外形十分的美观,除此之外从价格方面来讲,焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。淄博正高电气以质量为生命”保障产品品质。淄博三相可控硅调压模块批发

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可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种,螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极(A)阴极(C)和控制极(G)。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢?下面简单分析可控硅的工作原理。可以把从阴极向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管,而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea,又在控制极G和阴极C之间(相当BG1的基一射间)输入一个正的触发信号,BG1将产生基极电流Ib1,经放大,BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。因为BG1集电极与BG2基极相连,IC1又是BG2的基极电流Ib2。济南交流可控硅调压模块配件

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