片式多层陶瓷电容器,独石电容,片式电容,贴片电容)MLCC的优点:1、由于使用多层介质叠加的结构,高频时电感非常低,具有非常低的等效串联电阻,因此可以使用在高频和甚高频电路滤波无对手;2、无极性,可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路;3、使用在低阻抗电路不需要大幅度降额;4、击穿时不燃烧,安全性高。所有都用陶瓷为介质的电容器都叫陶瓷电容,绝大部分的人都是根据贴片、插件来称呼,但是这个称呼不是很统一,还有很多人是根据形状来称呼,如片状陶瓷电容、圆形陶瓷电容、管形陶瓷电容等。对于半导体设备而言,贴片陶瓷电容非常重要,否则,那些采用较新微细加工技术制造的微处理器、DSP、微机、FPGA等半导体器件,将会失去正常工作,所以我们在选择贴片陶瓷电容的时候要慎重,陶瓷电容较坑的失效就是短路了,一旦陶瓷电容短路,产品无法正常使用,危害非常大。宿迁片式电容
钽电容器成本高。看看我们的淘宝就知道100uF钽电容和100uF陶瓷电容的价格差了。钽电容的价格是陶瓷电容的10倍左右。如果电容要求小于100uF,大多数情况下,如果满足耐压,我们通常需要陶瓷电容。陶瓷电容器的封装大于1206大容量或高耐压时尽量慎重选择。片式陶瓷电容器的主要失效形式是断裂(封装越大越容易失效):片式陶瓷电容器常见的失效形式是断裂,这是由片式陶瓷电容器本身介质的脆性决定的。由于片式陶瓷电容焊接直接在电路板上,直接承受来自电路板的各种机械应力,而铅制陶瓷电容可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此,对于片式陶瓷电容器,由于热膨胀系数不同或电路板弯曲,淮安高介电常数型电容生产厂家电容器外壳、辅助引出端子与正、负极 以及电路板间必须完全隔离。
电容量与体积由于电解电容器多数采用卷绕结构,很容易扩大体积,因此单位体积电容量非常大,比其它电容大几倍到几十倍。但是大电容量的获取是以体积的扩大为代价的,开关电源要求越来越高的效率,越来越小的体积,因此,有必要寻求新的解决办法,来获得大电容量、小体积的电容器。在开关电源的原边一旦采用有源滤波器电路,则铝电解电容器的使用环境变得比以前更为严酷:(1)高频脉冲电流主要是20kHz~100kHz的脉动电流,而且大幅度增加;(2)变换器的主开关管发热,导致铝电解电容器的周围温度升高;(3)变换器多采用升压电路,因此要求耐高压的铝电解电容器。这样一来,利用以往技术制造的铝电解电容器,由于要吸收比以往更大的脉动电流,不得不选择大尺寸的电容器。结果,使电源的体积庞大,难以用于小型化的电子设备。为了解决这些难题,必须研究与开发一种新型的电解电容器,体积小、耐高压,并且允许流过大量高频脉冲电流。另外,这种电解电容器,在高温环境下工作,工作寿命还须比较长。
无论是笔记本电脑还是手机,对电源的要求越来越高,通常在电源网络上并联大量的MLCC电容,如BUCK、BOOST架构的电源,当设计异常或者负载工作模式异常时,就很容易产生“啸叫”。在笔记本电脑中,当电脑处于休眠状态,或者启动摄像头时,容易产生啸叫。在手机中,较典型的一个案例是GSM所用的PA电源,此电源线上的特点是功率波动大、波动频率为典型的217Hz,落入人耳听觉范围内(20Hz~20Khz),当GSM通话时,用于听诊器听此电源线上的电容,很容易听到“滋滋”啸叫音。铝电解电容器由于在负荷工作过程中电解液不断修补并增厚阳极氧化膜(称为补形效应),会导致电容量的下降。
一般来说,它是一个去耦电容。或者数字电路通断时,对电源影响很大,造成电源波动,需要用电容去耦。通常,容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz,选择1/1M,即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容,电源处应该有,用的量还是蛮大的。在一般设计中,提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用中如何选择它们?根据不同的功率输出或后续电路?通常并联两个电容就够了,但在某些电路中并联更多的电容可能会更好。不同电容值的电容器并联可以在很宽的频率范围内保证较低的交流阻抗。在运算放大器的电源抑制(PSR)能力下降的频率范围内,电源旁路尤为重要。电容可以补偿放大器PSR的下降。在很宽的频率范围内,这种低阻路径可以保证噪声不进入芯片。电容容量越大、信号频率越大,电容呈现的交流阻抗越小。中国台湾压电陶瓷电容价格
贴片陶瓷电容较主要的失效模式断裂(封装越大越容易失效)。宿迁片式电容
类陶瓷电容器类稳定陶瓷介质材料,如美国电气工程协会(EIA)标准的X7R、X5R和中国标准的CT系列(温度系数为15.0%),不适用于定时、振荡等温度系数较高的场合。然而,因为介电系数可以做得非常大(高达1200),所以电容可以做得相对较大。一般1206贴片封装的电容可以达到10F或者更高;类可用的陶瓷介质材料如美国电气工程协会(EIA)标准的Z5U、Y5V和中国标准的CT系列低档产品(温度系数为22%、-56%的Z5U和22%、-82%的Y5V),这种介质的介电系数随温度变化很大,不适用于定时、振荡等高温度系数的场合。但由于其介电系数可以做得很大(可达1000~12000),电容比可以做得更大,适用于一般工作环境温度要求(-25~85)的耦合、旁路和滤波。一般1206表贴Z5U和Y5V介质电容甚至可以达到100F,从某种意义上说是取代钽电容的有力竞争者。宿迁片式电容
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