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即便环境中存在水汽，水汽在侵入时也会聚集在防水凹槽，不会进入到肖特基结，确保肖特基二极管不会失效。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本申请实施例提供的一种肖特基二极管的结构示意图之一；图2为本申请实施例提供的一种肖特基二极管的结构示意图之二；图3为本申请实施例提供的制造图1中肖特基二极管的方法流程示意图；图4a-图4f为本申请实施例提供的制造图1中肖特基二极管的制造工艺示意图；具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例。二极管，就选上海藤谷电子科技有限公司，用户的信赖之选，有需求可以来电咨询！广西微型二极管价钱

将电路电压箝制在安全电压水平，TVS1可以保护变压器后端整流器及其他电路元器件。在整流器后的直流电源输出端安装单向瞬态电压器TVS2，用于保护直流负载免受过电压电电流冲击。4、TVS管在晶体管电路的应用晶体三极管作为电流控制型器件，是电子集成电路中的重要组成部分，可分为NPN管和PNP管两类，应用于开关电路、放大电路和稳压电路。为了使晶体管电路免受ESD/EFT（静电放电/电快速瞬变脉冲群）等浪涌电压的干扰，在电路的输入端和输出端分别加入TVS1、TVS2进行保护。名词解释：小击穿电压VBR：VBR是TVS小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会发生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时，加于TVS两极的电压为其小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5%和10%两种。额定反向关断电压VWM：VWM这是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。比较大箝位电压VC：当持续时间为20mS的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的比较大峰值电压为VC。虅谷二极管价目二极管，就选上海藤谷电子科技有限公司，有想法的可以来电咨询！

电容量：电容量是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。大小与TVS的电流承受能力成正比，太大将使信号衰减。因此，结电容是数据接口电路选用TVS的重要参数。注：TVS二极管的选型比较大箝位电压VC要小于电路允许的比较大安全电压。截止电压VRWM大于电路的比较大工作电压，一般可以选择VRWM等于或者略大于电路的比较大工作电压。额定的比较大脉冲功率（TVS参数中给出）PM要大于比较大瞬态浪涌功率。如：sim卡座端的静电保护为了提供良好的ESD保护，建议添加TVS二极管阵列。重要的规则是将ESD保护装置放置在靠近SIM卡连接器处，并确保被保护的SIM卡接口信号线首先通过ESD保护装置，然后通向模块。22Ω电阻应在模块和SIM卡之间串联连接，EMI杂散传输，增强ESD保护。SIM卡电路应该靠近SIM卡连接器，将所有信号线上的旁路电容放置在SIM卡附近，以改善EMI效果。静电保护二极管在电路正常工作时，ESD保护管属于高阻状态，不会影响线路正常运行；当电路中出现异常过压并达到击穿电压时，ESD保护器件由高阻态变为低阻态，给瞬态电流提供低阻抗导通路径，把异常高压箝制在一个安全范围内，进而达到保护被保护IC或线路；同时当异常过压消失，ESD恢复至高阻态。

并部分延伸至所述氧化层上；在所述氧化层远离所述肖特基结的两端进行蚀刻形成防水槽；在所述氧化层远离所述衬底一侧制作钝化层，其中，所述钝化层包括填充于所述防水槽并在所述防水槽的位置形成与防水槽咬合的凸起。在本申请的一种可能实施例中，蚀刻所述氧化层，在所述外延层远离所述衬底的一侧形成半导体环的步骤，包括：在所述氧化层远离所述衬底的一侧均匀涂覆光刻胶层；通过带有半导体环图案的掩模对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上刻出半导体环图案；使用腐蚀溶剂对所述氧化层进行腐蚀，将所述半导体环图案转移到所述氧化层；使用光刻胶溶剂将所述氧化层残留的光刻胶去除；在所述半导体环图案对应区域注入离子，经扩散炉中退火处理在所述半导体环图案对应区域形成半导体环。在本申请的一种可能实施例中，将所述半导体环之间的所述氧化层蚀刻掉，在蚀刻后形成的区域中制作肖特基结的步骤，包括：在所述氧化层远离所述衬底的一侧涂覆光刻胶层；通过带有肖特基结图案的掩模对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上刻出肖特基结图案；用腐蚀溶剂进行腐蚀，将所述肖特基结图案转移到所述氧化层；蚀刻所述肖特基结图案对应区域内残留的氧化层；通过物相淀积法。上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管，欢迎新老客户来电！

当瞬时脉冲峰值电流出现时，TVS被击穿，并由击穿电压值上升至比较大箝位电压值，随着脉冲电流呈指数下降，箝位电压亦下降，恢复到原来状态。因此，TVS能可能出现的脉冲功率的冲击，从而有效地保护电子线路。峰值电流波形A.正弦半波B.矩形波C.标准波(指数波形)D.三角波TVS峰值电流的试验波形采用标准波(指数波形)，由TR/TP决定。峰值电流上升时间TR:电流从10%IPP开始达到90%IPP的时间。半峰值电流时间TP:电流从零开始通过比较大峰值后，下降到。下面列出典型试验波形的TR/TP值:/1000nsB.闪电波:8μs/20μsC.标准波:10μs/1000μs3.比较大反向工作电压VRWM(或变位电压)器件反向工作时，在规定的IR下，器件两端的电压值称为比较大反向工作电压VRWM。通常VRWM=()V(BR)。二极管，就选上海藤谷电子科技有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电哦！内蒙古二极管二极管优化价格

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在所述肖特基结图案对应区域淀积金属和硅形成金属硅化物，得到肖特基结。在本申请的一种可能实施例中，在所述肖特基结及靠近所述肖特基结的氧化层上制作金属层的步骤，包括：在真空度3e-6torr、温度190℃的环境下持续加热45分钟，依次在所述肖特基结及靠近所述肖特基结的氧化层上沉积多层金属，制作形成金属层。在本申请的一种可能实施例中，在所述氧化层远离所述肖特基结的两端进行蚀刻形成防水槽的步骤，包括：在所述氧化层远离所述肖特基结两端的表面涂覆光刻胶层；通过带有防水槽图案的掩模对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上刻出防水槽图案；用腐蚀溶剂进行腐蚀，将所述防水槽图案转移到所述氧化层；蚀刻所述防水槽图案对应区域的氧化层，形成防水槽。本申请实施例提供一种肖特基二极管及其制造方法，通过在氧化层开设朝向外延层凹陷的防水槽，并在氧化层上制作填充于防水槽并在该防水槽对应的位置处形成与防水槽咬合并凸起的钝化层。钝化层与氧化层通过上述凹凸咬合结构层叠在一起，在肖特基二极管使用过程中，即便工作温度发生变化，钝化层与氧化层结合处的剪切力也不足以形成供水汽侵入肖特基结的微小缝隙。同时，因氧化层开设有防水凹槽。广西微型二极管价钱

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