大体意义上讲，PN结的定义为：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，一般半导体的材料选择为硅或者锗，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。具体介绍PN结的形成大体分为三步，首先扩散运动，P区的空穴浓度远大于N区的自由电子浓度，因此，P区的空穴必然向N区扩散，并与N区中的自由电子复合而消失；同样，N区的自由电子必然向P区漂移，并与P区中的空穴复合而消失。其次是空间电荷区的产生，扩散运动导致了P区一侧失去空穴而留下负离子，N区一侧失去电子而留下正离子，这些不能移动的带电离子称为空间电荷，相应地这个区域称为空间电荷区，较后由于有正离子和负离子，这样在空间电荷区内就会产生一个内电场，内电场的产生让多子的扩散和少子的漂移达到了一个动态平衡，较后形成了PN结。控制芯片就选深圳市凯轩业科技，竭诚为您服务。天津通用二极管厂家现货
较高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的较大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压VB的一半作为VR。（3）较大反向电流IR：它是二极管在较高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。（4）击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。（5）正向电压VF：指二极管正向电压是电流通过二极管传导时产生的电压降。（6）反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及较大反向瞬态电压下的反向恢复时间。广东通用二极管价格优势控制芯片原装厂家直销选凯轩业电子科技有限公司。
6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是 N 型硅单晶片）上，扩散 P 型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型硅单晶片上但选择性地扩散一部分而形成的 PN 结。因此，不需要为调整 PN 结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
整流桥是将数个(两个或四个)整流二极管封在一起组成的桥式整流器件，主要作用还是把交流电转换为直流电，也就是整流，因此得名整流桥。整流桥分全桥和半桥.全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起.半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。主要用于稳定电流和电压，并具有降低电压输出的功能。凯轩业电子。
11、PIN 型二极管（PIN Diode）这是在 P 区和 N 区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN 中的 I 是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过 100MHz 时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把 PIN 二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。 用户的信赖之选，圳市凯轩业科技是一家专业控制芯片方案设计公司，期待您的光临！天津通用二极管厂家现货
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