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本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本发明实施例提供了一种用于整流电路的肖特基二极管，包括：衬底层001、ge层002、压应力层003、金属电极a1、第二金属电极a2，其中，所述ge层002、所述氮化硅层依次层叠设置于所述衬底层001的表面，所述压应力层003设置有电极孔，所述金属电极a1设置于所述ge层002上且设置于所述电极孔中，所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。在本发明的一个实施例中，所述ge层002为n型ge层，掺杂浓度为×1014～2×1014cm-3。在本发明的一个实施例中，所述压应力层003为氮化硅层。在本发明的一个实施例中，所述氮化硅层为si3n4膜。在本发明的一个实施例中，所述压应力层003使所述ge层002内产生压应力，所述ge层002中的压应力的大小与制备所述压应力层003的反应温度相关，其中，所述反应温度越高，所述ge层002中的压应力越大。在本发明的一个实施例中，所述ge层002的厚度为700～800nm。在本发明的一个实施例中，所述衬底层001为n型单晶ge层。在本发明的一个实施例中，所述金属电极a1为钨电极。在本发明的一个实施例中，所述电极孔贯穿所述压应力层003且设置于所述压应力层003中部。二极管，就选上海藤谷电子科技有限公司，用户的信赖之选，有需要可以联系我司哦！江苏二极管二极管代理品牌

并部分延伸至所述氧化层上；在所述氧化层远离所述肖特基结的两端进行蚀刻形成防水槽；在所述氧化层远离所述衬底一侧制作钝化层，其中，所述钝化层包括填充于所述防水槽并在所述防水槽的位置形成与防水槽咬合的凸起。在本申请的一种可能实施例中，蚀刻所述氧化层，在所述外延层远离所述衬底的一侧形成半导体环的步骤，包括：在所述氧化层远离所述衬底的一侧均匀涂覆光刻胶层；通过带有半导体环图案的掩模对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上刻出半导体环图案；使用腐蚀溶剂对所述氧化层进行腐蚀，将所述半导体环图案转移到所述氧化层；使用光刻胶溶剂将所述氧化层残留的光刻胶去除；在所述半导体环图案对应区域注入离子，经扩散炉中退火处理在所述半导体环图案对应区域形成半导体环。在本申请的一种可能实施例中，将所述半导体环之间的所述氧化层蚀刻掉，在蚀刻后形成的区域中制作肖特基结的步骤，包括：在所述氧化层远离所述衬底的一侧涂覆光刻胶层；通过带有肖特基结图案的掩模对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上刻出肖特基结图案；用腐蚀溶剂进行腐蚀，将所述肖特基结图案转移到所述氧化层；蚀刻所述肖特基结图案对应区域内残留的氧化层；通过物相淀积法。广东微型二极管规范上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管，欢迎您的来电！

导通压降VF：VF为二极管正向导通时二极管两端的压降，选择肖特基二极管是尽量选择VF较小的二极管。22.反向饱和漏电流IR：IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的二极管。33.额定电流IF：指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。44.比较大浪涌电流IFSM：允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。55.比较大反向峰值电压VRM：即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的比较大值是规定的重要因子。比较大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的比较大反向电压。66.比较大直流反向电压VR：上述比较大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，比较大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。77.比较高工作频率fM：由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。肖特基二极管的fM值较高，比较大可达100GHz。

能制作开关二极管低压大电流整流二极管。图5降压稳压器BUCK电路中肖特基二极管的使用图6中，开关A和B已分别使用内部NFET和外部肖特基二极管，从而形成异步升压调节器。对于需要负载隔离和低关断电流的低功耗应用，可添加外部FET。图6升压调节器BOOST电路中肖特基二极管的使用顺便提一下，整流MOS管开通，关断所产生的纹波是主要噪声源之一。开关管开通关断都会有一个上升时间和下降时间，在电路中会引起同频的噪声。输出回路的电感也会随着充电放电产生一个噪声，同时也会有漏感产生。而解决办法就是：1、用合适的滤波器滤除。2、在MOS管外加肖特基二极管，反向恢复时间很短，可以降低损耗。图7同步整流器BUCK电路的基本框图该内容是小编通过网络搜集资料整理而成，如果你还想了解更多关于电子元器件的相关知识及电子元器件行业实时市场信息。上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管，有想法可以来我司咨询！

13.什么是碳化硅二极管?通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管，但是近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管，其优点：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管，还有可承受冲击电流小，可靠性不高等缺点。但是目前已有很大改善。14.什么是砷化镓二极管?说实话，我听说砷化镓材料早于碳化硅，但是后来就较少听说了。目前砷化镓在LED上似乎有些应用，但是功率器件上却还比较少。15.二极管适合并联么?理论上来说硅二极管，由于导通压降随温度上升而下降，所以是不适合并联的，但是现在很多二极管会把两个单管封装在一起，这样温升相对均匀，给并联带来好处。但是碳化硅是的压降是随温度上升而上升，理论上是适合并联的。上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管，有需要可以联系我司哦！山西功率二极管进货价

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在每个周期内，终的输出DC电压和电流均为“ON”和“OFF”。由于负载电阻两端的电压在周期的正半部分（输入波形的50％）出现，因此导致向负载提供的平均DC值较低。整流后的输出波形在“ON”和“OFF”状态之间的变化会产生具有大量“波纹”的波形，这是不希望的特征。产生的直流纹波的频率等于交流电源频率。在对交流电压进行整流时，我们希望产生无任何电压变化或波动的“稳定”且连续的直流电压。这样做的一种方法是在输出电压端子上与负载电阻并联连接一个大容量电容器，如下所示。这种类型的电容器通常被称为“蓄水池”或“平滑电容器”。带滤波电容器的半波整流器当使用整流来从交流（AC）电源提供直流（DC）电源时，可以通过使用更大容量的电容器来进一步减少纹波电压，但在成本和尺寸方面都存在限制使用的电容器。对于给定的电容器值，较大的负载电流（较小的负载电阻）将使电容器放电更快（RC时间常数），因此会增加获得的纹波。然后，对于使用功率二极管的单相，半波整流器电路，尝试通过电容器平滑来降低纹波电压不是很实际。在这种情况下，改为使用“全波整流”会更实际。实际上，半波整流器由于其主要缺点而常用于低功率应用中。输出幅度小于输入幅度。江苏二极管二极管代理品牌

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