目前通用的方案是，在基板直接上做一个大的焊盘，然后打金线到激光二极管芯片的阳极，将大焊盘和激光二极管芯片阳极连接起来。激光二极管芯片底部的ausn焊接的阴极焊盘也做大。然后将带有激光二极管芯片的基板放入老化夹具，用pogopin顶在连接阴阳极的大焊盘上，把老化用的电流引入激光器二极管芯片。采用直接加大阴极和阳极大焊盘的方式的老化处理在低速光器件中可行，但是在高速光器件中，大的焊盘往往造成信号线路的不匹配和引入不必要的信号反射，限制光器件的使用带宽。另外，采用加棱镜转折光路的激光二极管芯片安装基板的装配方法时，目前都是将激光器和棱镜分开放置，这种方法会引入更多的物料尺寸公差和分开放置的装配公差。造成精密光路出现偏差，不能实现理想的光路输出。技术实现要素：本发明的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足，提供了一种激光二极管芯片安装基板。为了实现上述发明目的，本发明提供了以下技术方案：一种激光二极管芯片安装基板，包括用于安装激光二极管芯片的部分和用于安装棱镜的第二部分；部分上具有用于安装激光二极管芯片的镀层；第二部分上具有两个相互绝缘的镀层；在基板上还有用于定位棱镜的定位结构。作为推荐方案。红光激光二极管选择哪家，推荐无锡斯博睿科技有限公司。940nm激光二极管模组
本发明涉及半导体发光二极管领域，尤其涉及一种激光二极管及其制作方法。背景技术：gan基的发光二极管和激光二极管已经取得了研究和市场应用；特别是在激光显示和激光投影，例如gan蓝色和绿色激光二极管(英文为laserdiode,简称ld)，激光二极管的结构主要是边发射脊波导结构。激光二极管采用边发射脊波导结构，需要在bar两端镀上分布式布拉格反射镜(distributedbraggreflection，dbr)制作法布里-珀罗(f-p)腔形成共振；常规腔面都是直角形状造成边角的dbr覆盖不好，应力大易破裂，侧镀的dbr又会影响到ld的共晶，从而影响电性。技术实现要素：鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的至少在于提供一种激光二极管及其制作方法，旨在解决垂直腔面造成边角的dbr覆盖不好，侧镀的dbr又会影响到ld的共晶，从而导致的ld电性不良。为实现上述目的及其他相关目的，本发明的一个实施方式提供一种激光二极管，包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：n型层，活性层，表面具有脊状条的p型层以及dbr覆盖层；所述脊状条的端面为斜面，所述脊状条与所述dbr覆盖层的接触面包括斜面。可选地，所述斜面与脊状条的下表面的法向方向之间的夹角介于：大于0度且小于等于60度。可选地。上海505nm激光二极管的价格南京激光二极管厂家选择哪家，选择无锡斯博睿科技有限公司。
VCSEL采用三明治式结构，其中间只有20nm、1--3层的QW增益区，上、下各层是由多层外延生长薄膜形成的高反射率为100%的布拉格反射层，由此构成谐振腔。相干性极高的激光束***从其顶部激射出。多家厂商有1550nm低损耗窗口与低色散的可调谐VCSEL样品展示。1310nm的产品预计在今后1--2年内上市。可调谐的典型器件是将一只普通980nmVCSEL与微光机电系统的反射腔集成组合，由曲形顶镜、增益层、反射底镜等构成可产生中心波长为1550nm的可调谐结构，用一个静电控制电压将位于支撑薄膜上的顶端反射镜定位，改变控制电压就可调整谐振腔体间隙尺寸，从而达到调整输出波长的目的。在1528--1560nm范围连续可调谐43nm，经过2.5Gb/s传输500km实验无误码，边模抑制优于50dB。如果发射波长在1310--1550nm之间的VCSEL能够商业化生产，将会进一步促进光通信发展，使光网络更加靠近家庭。已有许多公司公布了这种波长的VCSEL原型机的一些技术数据。
n型金属层用于连接n型层，用于导电。在某一实施方式中，所述p型层包括p型金属层62。p型金属层用于连接p型层，用于导电。在某一实施方式中，所述p型层还包括上波导层61。上波导层可选用p-ingan。斜面是通过制作v字型凹槽或者弧形凹槽或者开口倒梯形凹槽1，然后劈裂开形成的；v字型凹槽或者弧形凹槽或者开口倒梯形凹槽的深度不会超过上波导层。这保证了劈裂不会过度，斜面限于p型层，而不延伸进入活性层。如图4所示，本发明的一个实施方式提供一种激光二极管的制作方法，包括步骤：s1，在衬底上依次外延生长n型层、mqw活性层和p型层，并制作带有脊状条的p型层；s2，沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂，得到脊状条的端面为斜面；s3，进行dbr覆盖层生长，所述dbr覆盖层与所述脊状条的接触面包括所述斜面。接触面包括斜面，直接解决了由于现有的腔面的直角形状造成的边角的dbr覆盖不好、应力大易破裂，侧镀的dbr又会影响到ld的共晶从而影响ld的电性。在某一实施方式中，所述斜面与脊状条的下表面的法向方向之间的夹角介于：大于0度且小于等于60度。这个角度范围能够保证dbr很好的覆盖在衬底上且不易脱落。在某一实施方式中，在得到所述斜面的步骤之后还包括：s4。半导体激光二极管的基本结构：垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 [2] 导电特性图7 激光二极管二极管**重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的激光二极管厂家选择哪家，推荐无锡斯博睿科技有限公司。供应激光二极管的销售
GCSR-LD（光栅耦合采样反射激光二极管）是一种波长可大范围调谐的LD。940nm激光二极管模组
FG-LD(光纤光栅激光二极管）利用已成熟的封装技术，将含有FG的光纤与端面镀有增透膜的F-P腔LD耦合而成可调谐外腔结构的激光器，由LD芯片、空气间隙、光纤前端的光纤部分组成，光学谐振腔在光栅和LD外端面之间。LD的内端面镀有增透膜，以减小其F-P模式，FG用来反馈选模,由于其极窄的滤波特性，LD工作波长将控制在光栅的布拉格发射峰带宽内，通过加压应变或改变温度的方法，调谐FG的布拉格波长，就可以得到波长可控制的激光输出。FG-LD制作组装相对简单，性能却可与DFB-LD相比拟，激射波长由FG的布拉格波长决定，因此可以精控，单模输出功率可达10mW以上，小于2.5kHz的线宽，较低的相对强度噪声与较宽的调谐范围（50nm），在光通信的某些领域有可能替代DFB-LD。已进行用于2.5Gb/sx64路的信号传输的实验，效果很好。940nm激光二极管模组
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