集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。为什么会产生集成电路？我们知道任何发明创造背后都是有驱动力的，而驱动力往往来源于问题。晶体管具有电子管的主要功能，并且克服了电子管的上述缺点，因此在晶体管发明后，很快就出现了基于半导体的集成电路的构想，也就很快发明出来了集成电路。现在，集成电路已经在各行各业中发挥着非常重要的作用，是现代信息社会的基石。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。SN65HVD33DR
随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了－单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC不是没有问题，主要是泄漏电流。因此，对于用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图中有很好的描述。越来越多的电路以集成芯片的方式出现在设计师手里，使电子电路的开发趋向于小型化、高速化。越来越多的应用已经由复杂的模拟电路转化为简单的数字逻辑集成电路。SN65HVD33DR传感器：传感器能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用信号的器件或装置。
存储器和ASIC是其他集成电路家族的例子，对于现代信息社会非常重要。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高，但是当分散到通常以百万计的产品上，每个IC的成本较小化。IC的性能很高，因为小尺寸带来短路径，使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。这些年来，IC持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能－见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每两年增加一倍。我司宗旨：质量求生存，服务求发展。
超大规模集成电路是指集成度（每块芯片所包含的元器件数）大于10的集成电路。集成电路一般是在一块厚0.2～0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片（称为集成电路的基片）上可以做出包含为十个（或更多）二极管、电阻、电容和连接导线的电路。与分立元器件相比，集成电路元器件有以下特点：单个元器件的精度不高，受温度影响也较大，但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致，对称性好，相邻元器件的温度差别小，因而同一类元器件温度特性也基本一致。优点：电路简单，微小型化，性价比高，可靠性强，低功耗，故障率低。
集成电路芯片封装狭义：利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板.上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。广义：将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。集成电路封装技术的发展集成电路封装技术的发展是伴随着集成电路芯片的发展而发展起来的，通常而言，“一代芯片需要一代封装”。封装的发展史也是芯片性能不断提高、系统不断小型化的历史。二极管在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。LM5118MHX/NOPB
集成电路封装还必须充分地适应电子整机的需要和发展。SN65HVD33DR
集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊斯（基于硅（Si）的集成电路）。现在半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。SN65HVD33DR
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