模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间边疆变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如vcd、dvd重放的音频信号和视频信号）。按集成度高低不同，可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。对模拟集成电路，由于工艺要求较高、电路又较复杂，所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路，集成50－100个元器件为中规模集成电路，集成100个以上的元器件为大规模集成电路。电容的特性主要是隔直流通交流。SN65HVDA100QDRQ1
集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊斯（基于硅（Si）的集成电路）。现在半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。TPD4F003DQDR录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。
集成电阻及电容的数值范围窄，数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω～几十kΩ范围内，电容一般为几十pF。电感尚不能集成；元器件性能参数的一定误差比较大，而同类元器件性能参数之比值比较精确；纵向NPN管β值较大，占用硅片面积小，容易制造。而横向PNP管的β值很小，但其PN结的耐压高。由于制造工艺及元器件的特点，模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。在所用元器件方面，尽可能地多用晶体管，少用电阻、电容；在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路，级间耦合采用直接耦合方式；尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求；尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路。
超大规模集成电路是指集成度（每块芯片所包含的元器件数）大于10的集成电路。集成电路一般是在一块厚0.2～0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片（称为集成电路的基片）上可以做出包含为十个（或更多）二极管、电阻、电容和连接导线的电路。与分立元器件相比，集成电路元器件有以下特点：单个元器件的精度不高，受温度影响也较大，但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致，对称性好，相邻元器件的温度差别小，因而同一类元器件温度特性也基本一致。电感：电感器在电子制作中虽然使用得不是很多，但它们在电路中同样重要。
数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如3G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号)。模拟集成电路又可包括：运算放大器、功率放大器、电压比较器、直流稳压器和专属集成电路等。数字集成电路按导电类型可分为：双极型集成电路和单极型集成电路、双极型集成电路的制作工艺复杂功耗较大，表示集成电路有LCHLLSTTLSTTL等类单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，表示集成电路有CMOS.NMOS.PMOS等类型。将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。TPS62840YBGR
可分为半导体集成电路、膜集成电路、混合集成电路三个主要分支。SN65HVDA100QDRQ1
集成电路：采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内。集成电路是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。集成电路封装外壳有圆壳式、扁平式或列直插式等多种形式。SN65HVDA100QDRQ1
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