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电路正常运行。如：TVS管保护是靠击穿，击穿后相当于短路，一般承受电流能力大；ESD是电容放电加钳位，过电流能力不强。TVS的开启电压较高，动作时间也太慢，无法单独满足ESD保护的需要。ESD主要用于板级保护，TVS一般用于初级和次级保护。问：哪些接口需要做防雷接口？-----一般有通信的接口，网络接口，CAN总线接口，视频接口等等。答：受雷击的一般是建筑物，室外设备是首先遭受，然后就是计算机网络系统，容易受损坏的是调制解调设备，路由器，交换机，集线器，网卡，ＵＰＳ等，包括监控设备，移动通信的基站，天线等设备，考虑自己的通讯接口是否是这些类型等等。防静电，防浪涌是两个方向，前者电流小，电压高，后者电流大电压小，工作原理也有区别。二极管，就选上海藤谷电子科技有限公司，用户的信赖之选，欢迎新老客户来电！广东模拟二极管代理品牌

淀积的金属和硅形成金属硅化物，形成肖特基结108，再使用王水去除表面未发生反应的多余金属。步骤s305，请参照图4e，在肖特基结108及靠近肖特基结108的氧化层103上制作金属层105，并在衬底101远离外延层102的一侧制作第二金属层106。在本申请实施例中，金属层105覆盖在肖特基结108及半导体环104上，并部分延伸至氧化层103。通常金属层105和第二金属层106可以采用tiniag、tiniau、tinial或tinialag等多层金属。具体地，在制作金属层105，在真空度为3e-6torr、温度为190℃的环境下持续加热45分钟，依次在肖特基结108及靠近肖特基结108的氧化层103上沉积多层金属，制作形成金属层105。蒸发过程真空必须保持高真空状态，避免蒸发金属过程中金属被氧化，导致金属间接触不良。采用相同的工艺在衬底101远离外延层102的一侧制作第二金属层106。步骤s306，请参照图4f，在氧化层103远离肖特基结108的两端进行蚀刻形成防水槽1031。在氧化层103远离肖特基结108两端的表面涂覆光刻胶层。通过带有防水槽图案的掩模对光刻胶层进行光刻，在光刻胶层上刻出防水槽图案。再接着，用腐蚀溶剂进行腐蚀，将防水槽图案转移到氧化层103。，蚀刻防水槽图案对应区域的氧化层103，形成防水槽1031。贵州微型二极管进货价二极管，就选上海藤谷电子科技有限公司，让您满意，欢迎您的来电！

大中小肖特基二极管的检测2009-07-26chenminxia展开全文肖特基二极管的检测二端型肖特基二极管可以用万用表R1档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为Ω，投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。三端型肖特基二极管应先测出其公共端，判别出共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。赞赏共11人赞赏本站是提供个人知识管理的网络存储空间，所有内容均由用户发布，不本站观点。如发现有害或侵权内容，请点击这里或拨打24小时举报电话：与我们联系。转藏到我的图书馆献花（0）+1分享：微信QQ空间QQ好友新浪微博推荐给朋友来自：chenminxia>《电子知识》举报推一荐：发原创得奖金，“原创奖励计划”来了！|春回大地万物复苏，有奖征文邀你分享！

所述ge层002、所述压应力层003依次层叠设置于所述衬底层001的表面，所述压应力层003设置有电极孔，所述金属电极a1设置于所述ge层002上所述电极孔中，所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。所述衬底层001为锗衬底层，具体地，可以为n型掺杂浓度为1020cm-3的n型单晶锗(ge)。需要说明的是，作为衬底材料，ge材料相对于si材料来说，在ge衬底上生长ge层比si上生长ge层更容易得到高质量ge层。所述ge层002为n型ge层，掺杂浓度为×1014～2×1014cm-3，厚度为形成700～800nm。需要说明的是，n型ge外延层的厚度如果低于700nm制作的肖特基二极管器件如果应用于无线充电和无线传输系统极易发生击穿，同时为了器件整体性能和体积考虑n型ge外延层的厚度也不易太厚，因为，为了降低器件的厚度，且制作的肖特基二极管用于无线充电后的器件性能考虑，将n型ge外延层的厚度设置为700～800nm。所述压应力层003为氮化硅层，所述压应力层003使所述ge层002产生压应力。需要说明的是，所述压应力层003也可以是sin、si3n4等能产生压应力的半导体层，此处不做过多限制。地，所述氮化硅层为压应力si3n4膜。需要说明的是。二极管，就选上海藤谷电子科技有限公司。

一些较大值的功率二极管被设计为“螺柱安装”在散热器上，从而将其热阻降低至oC/Watt。如果在功率二极管上施加交流电压，则在正半周期间，二极管将传导通过的电流，而在负半周期间，二极管将不会传导，从而阻止电流流动。然后，通过功率二极管的导通在正半周期内发生，因此是单向的，即如图所示为DC。功率二极管整流器功率二极管可如上所述单独使用或连接在一起以产生各种整流器电路，例如“半波”，“全波”或“桥式整流器”。每种类型的整流器电路都可以分为非控制型，半控制型或完全控制型，其中非控制型整流器使用功率二极管，完全控制型整流器使用晶闸管（SCR），而半控制型整流器则是二极管和晶闸管的混合体。基本电子应用中常用的单个功率二极管是通用1N400x系列玻璃钝化型整流二极管，其标准额定连续正向整流电流约为，反向阻断电压额定值从1N4001的50v到1N4007的1000v小型1N4007GP是通用电源电压整流器中很受欢迎的产品。半波整流整流器是其转换电路交流（AC）输入功率转换成一个直流（DC）输出功率。输入电源可以是单相或多相电源，所有整流器电路中简单的是半波整流器。半波整流器电路中的功率二极管使交流电源的每个完整正弦波的一半通过。上海藤谷电子科技有限公司二极管获得众多用户的认可。河南品质二极管均价

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但若重复施加，这些单个的脉冲能量积累起来，在某些情况下，也会超过TVS器件可承受的脉冲能量。因此，电路设计必须在这点上认真考虑和选用TVS器件，使其在规定的间隔时间内，重复施加脉冲能量的累积不至超过TVS器件的脉冲能量额定值。6.电容CPPTVS的电容由硅片的面积和偏置电压来决定，电容在零偏情况下，随偏置电压的增加，该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响TVS器件的响应时间。7.漏电流IR当比较大反向工作电压施加到TVS上时，TVS管有一个漏电流IR，当TVS用于高阻抗电路时，这个漏电流是一个重要的参数。:按极性可分为:单极性和双极性两种;按用途可分为:通用型和型;按封装和内部结构可分为:轴向引线二极管、双列直插TVS阵列、贴片式和大功率模块等。轴向引线的产品峰值功率可达400W、500W、600W、1500W和5000W。其中大功率的产品主要用在电源馈线上，低功率产品主要用在高密度安装场合。对于高密度安装的场合，也可以选择双列直插和表面贴装等封装形式。广东模拟二极管代理品牌

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