集成电路或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置，也包括被动元件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybridintegratedcircuit）是由单独的半导体设备和被动元件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不只在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到大量的应用，同时在通讯、遥控等方面也得到大量的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可提高。集成电路封装是半导体设备制造过程中的一个环节。DRV8838DSGR
半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽，精度可以作得很高。但技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这便是混合集成电路。TS5A3159DBVR电位器触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。
集成电路的作用：减少元器件的使用。集成电路的诞生，小规模的集成电路使内容元器件的数量减少，在零散元器件上有了很大的技术提高。产品性能得到有效提高。将元器件都集中到了一起，不仅减少了外电信号的干扰，也在电路设计方面有了很大的提升，提高了运行速度。更加方便应用。一种功能对应一种电路，将一种功能集中成一个集成电路，如此一来，在以后应用中，要什么功能就可以应用相应的集成电路，从而方便了应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可提高。
根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。按导电类型不同，分为双极型集成电路和单极型集成电路两类。双极型集成电路频率特性好，但功耗较大，而且制作工艺复杂，绝大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的ttl、ecl、htl、lsttl、sttl型属于这一类。单极型集成电路工作速度低，但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成，其主要产品为mos型集成电路。mos电路又分为nmos、pmos、cmos型。优点：电路简单，微小型化，性价比高，可靠性强，低功耗，故障率低。
集成电路的封装，是一种将集成了各元件的芯片用绝缘材料制作外壳的工艺。采用的绝缘材料一般为树脂或陶瓷，起密封、增强芯片强度、增强电热性能的作用。集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“ic”（也有用文字符号“n”等）表示。随着大规模集成电路的需求，多引脚、小体量的封装是封装技术发展的方向。TPS7A2031PDBVR
集成电路的分类方法很多，依照电路属模拟或数字，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路。DRV8838DSGR
集成电阻及电容的数值范围窄，数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻一般在几十Ω～几十kΩ范围内，电容一般为几十pF。电感尚不能集成；元器件性能参数的一定误差比较大，而同类元器件性能参数之比值比较精确；纵向NPN管β值较大，占用硅片面积小，容易制造。而横向PNP管的β值很小，但其PN结的耐压高。由于制造工艺及元器件的特点，模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。在所用元器件方面，尽可能地多用晶体管，少用电阻、电容；在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路，级间耦合采用直接耦合方式；尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求；尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路。DRV8838DSGR
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