本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:本发明实施例提供了一种用于整流电路的肖特基二极管,包括:衬底层001、ge层002、压应力层003、金属电极a1、第二金属电极a2,其中,所述ge层002、所述氮化硅层依次层叠设置于所述衬底层001的表面,所述压应力层003设置有电极孔,所述金属电极a1设置于所述ge层002上且设置于所述电极孔中,所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。在本发明的一个实施例中,所述ge层002为n型ge层,掺杂浓度为×1014~2×1014cm-3。在本发明的一个实施例中,所述压应力层003为氮化硅层。在本发明的一个实施例中,所述氮化硅层为si3n4膜。在本发明的一个实施例中,所述压应力层003使所述ge层002内产生压应力,所述ge层002中的压应力的大小与制备所述压应力层003的反应温度相关,其中,所述反应温度越高,所述ge层002中的压应力越大。在本发明的一个实施例中,所述ge层002的厚度为700~800nm。在本发明的一个实施例中,所述衬底层001为n型单晶ge层。在本发明的一个实施例中,所述金属电极a1为钨电极。在本发明的一个实施例中,所述电极孔贯穿所述压应力层003且设置于所述压应力层003中部。二极管,就选上海藤谷电子科技有限公司,有想法的可以来电咨询!天津正规二极管成本
导通压降VF:VF为二极管正向导通时二极管两端的压降,选择肖特基二极管是尽量选择VF较小的二极管。22.反向饱和漏电流IR:IR指在二极管两端加入反向电压时,流过二极管的电流,肖特基二极管反向漏电流较大,选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的二极管。33.额定电流IF:指二极管长期运行时,根据允许温升折算出来的平均电流值。44.比较大浪涌电流IFSM:允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。55.比较大反向峰值电压VRM:即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压,它的比较大值是规定的重要因子。比较大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的比较大反向电压。66.比较大直流反向电压VR:上述比较大反向峰值电压是反复加上的峰值电压,VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路,比较大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。77.比较高工作频率fM:由于PN结的结电容存在,当工作频率超过某一值时,它的单向导电性将变差。肖特基二极管的fM值较高,比较大可达100GHz。贵州虅谷二极管二极管,就选上海藤谷电子科技有限公司,让您满意,欢迎您的来电哦!
二极管是基本的电路器件,硬件工程师经常使用,但你未必能用对,未必能用好。比如说大家都知道接口部分一般都需要ESD保护,其实TVS瞬变电压二级管用作ESD保护就极为讲究,对于,HDMI接口等高速器件,要特别关注TVS管上的结电容参数,一般根据信号速率选取几个pf,如果电容值过大,电路将无法正常工作,但是对于一般的低速接口或者电源管脚,此时可以选择寄生电容值大的TVS管,因为更便宜,控制BOM的成本也是硬件工程师的重要职责,数据手册中结电容如下图一所示。实际的工程实际中,二极管常用于交流电压转换成直流电压电路中,也常常用来做稳压电路,限幅电路,续流电路,挑几个常见且重要的电流来分析一下。图1TVS管中结电容的参数情况二极管的作用就如同是一个电流的单向门。当二极管的阳极相对于阴极为正电压时,二极管允许电流通过,而当极性相反后,二极管不允许电流通过。上海衡丽图2二极管符号及种类1.二极管作用的类比水流模拟课本中经常将电压比作水压来模拟,同样二极管的功能也可以类似水流来模拟。二极管相对电流就像是一个单向阀门,比如下图的正向偏置时,只要偏置电压超过阈值电压,阀门就会打开,水流可以顺利流下来;对于反向偏置时,阀门无法打开。
电容量:电容量是由TVS雪崩结截面决定的,是在特定的1MHz频率下测得的。大小与TVS的电流承受能力成正比,太大将使信号衰减。因此,结电容是数据接口电路选用TVS的重要参数。注:TVS二极管的选型比较大箝位电压VC要小于电路允许的比较大安全电压。截止电压VRWM大于电路的比较大工作电压,一般可以选择VRWM等于或者略大于电路的比较大工作电压。额定的比较大脉冲功率(TVS参数中给出)PM要大于比较大瞬态浪涌功率。如:sim卡座端的静电保护为了提供良好的ESD保护,建议添加TVS二极管阵列。重要的规则是将ESD保护装置放置在靠近SIM卡连接器处,并确保被保护的SIM卡接口信号线首先通过ESD保护装置,然后通向模块。22Ω电阻应在模块和SIM卡之间串联连接,EMI杂散传输,增强ESD保护。SIM卡电路应该靠近SIM卡连接器,将所有信号线上的旁路电容放置在SIM卡附近,以改善EMI效果。静电保护二极管在电路正常工作时,ESD保护管属于高阻状态,不会影响线路正常运行;当电路中出现异常过压并达到击穿电压时,ESD保护器件由高阻态变为低阻态,给瞬态电流提供低阻抗导通路径,把异常高压箝制在一个安全范围内,进而达到保护被保护IC或线路;同时当异常过压消失,ESD恢复至高阻态。上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管,有想法的可以来电咨询!
5+)的半导体。由P型半导体和N型半导体相接触时,就产生一个独特的PN结界面,在界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于PN结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的PN结。以PN结为结构,加上引线或引脚形成单向导电的二极管。当外加电压方向由P极指向N极时,导通。晶体二极管分类晶体二极管可按材料不同和PN结结构不同,进行分类。01点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。其PN结的静电容量小,适用于高频电路。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此不能使用于大电流和整流。制作工艺:将细铝丝的一端接在阳极引线上,另一端压在掺杂过的N型半导体上。加上电压后,细铝丝在接触点处融化并渗入融化部分的中。这样,接触点实际上是P型半导体,并附着在N型半导体上形成PN结。02面接触型二极管面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安)。二极管,就选上海藤谷电子科技有限公司,让您满意,期待您的光临!河南模拟二极管均价
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而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。肖特基二极管和稳压二极管的区别肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。天津正规二极管成本
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