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二极管基本参数
  • 产地
  • 上海
  • 品牌
  • 藤谷
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
二极管企业商机

以便将其转换为直流电源。然后将这种类型的电路称为“半波”整流器,因为它通过输入交流电源的一半,如下所示。半波整流电路在交流正弦波的每个“正”半周期内,由于阳极相对于阴极为正,因此二极管正向偏置,导致电流流过二极管。由于直流负载是电阻性的(电阻器R),因此负载电阻器中流动的电流与电压成比例(欧姆定律),因此负载电阻器两端的电压将与电源电压Vs相同(减去Vƒ),即负载两端的“DC”电压为正弦波的个半周期只所以成为Vout=Vs的。在交流正弦输入波形的每个“负”半周期内,由于阳极相对于阴极为负,因此二极管被反向偏置。因此,没有电流流过二极管或电路。然后,在电源的负半周期中,由于没有电压流过负载电阻,因此没有电流流入负载电阻,因此Vout=0。在电路的直流侧的电流在一个方向上使电路中流动的单向。当负载电阻器从二极管接收到波形的正半部分,零伏,波形的正半部分,零伏等时,此不规则电压的值将等于等效的直流电压*Vmax输入正弦波形的正弦波或输入正弦波形的*Vrms。负载电阻两端的等效直流电压VDC计算如下。VDC和电流IDC,流过连接到240Vrms单相半波整流器的100Ω电阻,如上所示。还要计算负载消耗的直流功率。在整流过程中。二极管,就选上海藤谷电子科技有限公司,让您满意,欢迎新老客户来电!湖南标准二极管均价

肖特基二极管工作参数肖特基二极管的选型要点要根据开关电源所要输出的电压VO、电流IO、散热情况、负载情况、安装要求、所要求的温升等确定所要选用的肖特基二极管种类。在一般的设计中,我们要留出一定的余量VR只用到其额定值的80%以下(特殊情况下可控制到50%以下),IF用到其额定值的40%以下。在单端反激(FLY-BACK)开关电源中,假定一产品:输入电压VIMAX=350VDC,输出电压VO=5V,电流IO=1A。根据计算公式,要求整流二极管的反向电压VR、正向电流IF满足下面的条件:VR≥2VI×NS/NPIF≥2IO/(1-θMAX)其中:NS/NP为变压器次、初级匝比θMAX为比较大占空比NS/NP=1/20,θMAX=则VR≥2×350/20=35(V)IF≥2×1/()=3(A)我们可以参考选用SR340或1N5822。若产品为风扇冷却,则管子可以把余量留小一些。TO220、TO3P封装的管子有全包封、半包封之分这要根据具体情况选用。半包封管子的散热优于全包封的管子,但需注意其散热器和中间管脚相通。负载若为容性负载,建议IF再留出20%的余量。注意功率肖特基二极管的散热和安装形式,要搞清楚产品为自然冷却还是风扇冷却,管子要安装在易通风散热的地方,以提高产品的可靠性。TO-220、TO-3P型的管子与散热器之间要加导热硅脂。浙江功率二极管成本上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管,有需要可以联系我司哦!

为了保障可靠性,还会降额设计。3.什么是二极管的正向冲击电流?开关电源在开机或者其他瞬态情况下,需要二极管能够承受很大的冲击电流而不坏,当然这种冲击电流应该是不重复性,或者间隔时间很长的。通常二极管的数据手册都有定义这个冲击电流,其测试条件往往是单个波形的冲击电流,比如单个正弦波,或者方波。其电流值往往可达几百。4.什么是二极管的正向导通压降?二极管在正向导通,流过电流的时候会产生压降。这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管,电流越大,压降越大。温度越高,压降越小。但是碳化硅二极管却是温度越高,压降越大。5.什么是二极管的反向漏电流?二极管在反向截止的时候,并不是完全理想的截止。在承受反压得时候,会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小,而且反压越高,漏电流越大,温度越高,漏电流越的漏电流会带来较大的损耗,特别在高压应用场合。6.什么是二极管的反向恢复时间和反向恢复电流?这个是二极管的重要指标,所谓的快恢复,慢恢复二极管就是以此为标准。二极管在从正偏转换到反偏的时候,会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极,其反向电流先上升到峰值,然后下降到零。

本发明的另一个实施例提供了一种整流电路,包括上述任一实施例所述的用于整流电路的肖特基二极管。与现有技术相比,本发明的有益效果:本发明通过对肖特基二极管的材料进行设计,采用应变ge层作为肖特基接触的半导体层,通过对ge材料的能带结构进行调制,使肖特基二极管具有更高的电子迁移率和能带优势,使用该肖特基二极管制备的整流电路具有更高的转换效率;本发明在ge层上增加通过压应力层施加压应力,工艺简单,且生成的应变ge层不会因为晶格失配产生大量缺陷,因此得到的应变ge层质量更好,因此,肖特基二极管的器件性能也更优;本发明的肖特基二极管结构简单,无需设计复杂的二极管结构,元件的互连结构简单。附图说明图1为本发明实施例提供的一种用于整流电路的肖特基二极管的结构示意图;图2为本发明实施例提供的一种用于整流电路的肖特基二极管的制备工艺的流程示意图;图3a~3h为本发明实施例提供的一种用于整流电路的肖特基二极管的工艺示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述,但本发明的实施方式不限于此。实施例一请参见图1,图1为本发明实施例提供的一种用于整流电路的肖特基二极管的结构示意图。二极管,就选上海藤谷电子科技有限公司,用户的信赖之选,欢迎您的来电哦!

所述ge层002、所述压应力层003依次层叠设置于所述衬底层001的表面,所述压应力层003设置有电极孔,所述金属电极a1设置于所述ge层002上所述电极孔中,所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。所述衬底层001为锗衬底层,具体地,可以为n型掺杂浓度为1020cm-3的n型单晶锗(ge)。需要说明的是,作为衬底材料,ge材料相对于si材料来说,在ge衬底上生长ge层比si上生长ge层更容易得到高质量ge层。所述ge层002为n型ge层,掺杂浓度为×1014~2×1014cm-3,厚度为形成700~800nm。需要说明的是,n型ge外延层的厚度如果低于700nm制作的肖特基二极管器件如果应用于无线充电和无线传输系统极易发生击穿,同时为了器件整体性能和体积考虑n型ge外延层的厚度也不易太厚,因为,为了降低器件的厚度,且制作的肖特基二极管用于无线充电后的器件性能考虑,将n型ge外延层的厚度设置为700~800nm。所述压应力层003为氮化硅层,所述压应力层003使所述ge层002产生压应力。需要说明的是,所述压应力层003也可以是sin、si3n4等能产生压应力的半导体层,此处不做过多限制。地,所述氮化硅层为压应力si3n4膜。需要说明的是。二极管,就选上海藤谷电子科技有限公司,用户的信赖之选,欢迎您的来电!贵州现代二极管均价

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13.什么是碳化硅二极管?通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管,但是近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管,其优点:反向恢复特性很好,媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点:正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管,还有可承受冲击电流小,可靠性不高等缺点。但是目前已有很大改善。14.什么是砷化镓二极管?说实话,我听说砷化镓材料早于碳化硅,但是后来就较少听说了。目前砷化镓在LED上似乎有些应用,但是功率器件上却还比较少。15.二极管适合并联么?理论上来说硅二极管,由于导通压降随温度上升而下降,所以是不适合并联的,但是现在很多二极管会把两个单管封装在一起,这样温升相对均匀,给并联带来好处。但是碳化硅是的压降是随温度上升而上升,理论上是适合并联的。湖南标准二极管均价

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