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图像传感器（CIS）：摄像头模组的中心部件，光线通过镜头进入摄像头模组后，在CIS上成像，CIS将光信号转变为电信号，目前的智能手机上几乎全部使用的都是CMOS技术的CIS。CMOS图像传感器产业链主要由上游的晶圆代工厂、封装企业及测试企业，中游的芯片设计企业和下游的模组厂商及终端客户组成。CIS设计厂商处于产业链的中心环节，其产品方案通过代工方式委托给晶圆代工厂、封装和测试企业进行芯片的制造、加色、封装和测试。测试合格的产品经物流中心统一发货给终端客户（智能手机厂商、安全监控设备制造商、医疗设备制造商等）。图像传感器主要分为CCD图像传感器和CMOS图像传感器两大类。广东MT9M031I12STM库存

安防领域——红外光成像红外线摄影术以成像为目标。伴随着电子与化学科技的进展，红外线摄像技术逐渐演化出三个方向。1.近红外线底片：感应范围为波长700nm～900nm。在成像乳剂中加入特殊染料，利用光化学反应，使这一波域的光变化转为化学变化从而形成影像。2.近红外线电子感光材料：感应范围为波长700nm～2,000nm。利用含硅化合物晶体的光电反应形成电子信号，进过进一步处产生影像。3.中、远红外线线感应材料：感应范围为波长3,000nm～14,000nm。需要使用冷却技术和特殊的光学感应器，加工处理形成电子影像。广州摄像机MT9M031I12STM文档下载CMOS图像传感器,是一种使用CMOS的固态图像传感器。

前照式（FSI）与背照式（BSI）：早期的CIS采用的是前面照度技术FSI（FRONT-SIDEILLUMINATED），拜尔阵列滤镜与光电二极管（PD）间夹杂着金属（铝，铜）区，大量金属连线的存在对进入传感器表面的光线存在较大的干扰，阻碍了相当一部分光线进入到下一层的光电二极管（PD），信噪比较低。技术改进后，在背面照度技术BSI（FRONT-SIDEILLUMINATED）的结构下，金属（铝，铜）区转移到光电二极管（PD）的背面，意味着经拜尔阵列滤镜收集的光线不再众多金属连线阻挡，光线得以直接进入光电二极管；BSI不仅可大幅度提高信噪比，且可配合更复杂、更大规模电路来提升传感器读取速度。

2009年，维纳德•波利（WillardS.Boyle）和乔治•史密斯（GeorgeE.Smith）因为发明CCD（Charge-coupledDevice，电荷耦合元件，或称为CCD图像传感器）而获得了当年的诺贝尔物理学奖。诺贝尔奖委员会会长约瑟夫·诺德格伦（JosephNordgren）在宣布该奖项的新闻发布会上曾经说：“在当今社会的记录影像的方式完全基于CCD的研究。”“这项研究的实际意义是非常巨大的……它改变了我们的生活，不仅在科学领域，而且在整个社会领域......”CMOS图像传感器经商业化后，发展迅猛，应用前景广阔，逐步取代CCD成为新潮流。

感光元件主要有两种CCD（电荷耦合）、CMOS（互补金属氧化物半导体），现在的智能监控摄像头主要是使用CMOS传感器，我们就来认识一下它。在监控模拟时代，主要应用CCD——电荷耦合器件，它是数字和机器视觉相机中用于捕捉静止和移动物体的一种传感器。CMOS（ComplementaryMetal-OxideSemiconductor），为在数码相机中可记录光线变化的半导体。主要由硅和锗两种元素组成的半导体，使CMOS上共存着带N（带–电）和P（带+电）级，互补产生电流，进而被处理芯片纪录和解读成影像。在CMOS技术仍未成熟时，受限于噪声和像素复杂性等问题。但随着技术的日渐成熟，它成为了主流监控摄像头主要应用的感光元件。口腔外侧拍摄全景X光片的X光机领域，今后仍将以CCD传感器为主。广州摄像机MT9M031I12STM文档下载

CMOS图像传感器的广泛应用：在2001年11月，Photobit被美光科技公司收购并获得许可回归加州理工学院。广东MT9M031I12STM库存

为了克服这些技术挑战，采用了一种新的方法，将像素部分和信号处理电路部分分别形成在两个单独的硅基板上，并且将两个硅基板高精度对准和键合，并在多个点进行电连接(日本专利号5773379TakuUmebayashi,HiroshiTakahashi,ReijiroShoji)。其结果是，在像素部分正下方确保了宽广的信号处理区域，同时实现了小型化和多功能化，而不会损害背照式CMOS图像传感器已经拥有的高质量性能。“一层”硅半导体器件改为“二层”。该技术作为堆叠式多功能CMOS图像传感器在世界上初始实现量产和商业化。广东MT9M031I12STM库存

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