集成电路：采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内。集成电路是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。集成电路封装外壳有圆壳式、扁平式或列直插式等多种形式。1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10uF/16V。BQ24296MRGER
集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊斯（基于硅（Si）的集成电路）。现在半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。IRFR3710ZTRPBF电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。
连接器的插拔力和机械寿命与接触件结构(正压力大小)、接触部位镀层质量(滑动摩擦因数)以及接触件排列尺寸精度(对准度)有关。电气性能：连接器的主要电气性能包括接触电阻、绝缘电阻和抗电强度。接触电阻：高质量的电连接器应当具有低而稳定的接触电阻。连接器的接触电阻从几毫欧到数十毫欧不等。绝缘电阻：衡量电连接器接插件之间和接触件与外壳之间绝缘性能的指标，其数量级为数百兆欧至数千兆欧不等。抗电强度：抗电强度也称耐电压、介质耐压，是表征连接器接触件之间或接触件与外壳之间耐受额定试验电压的能力。
厚膜电路。以陶瓷为基片，用丝网印刷和烧结等工艺手段制备无源元件和互连导线，然后与晶体管、二极管和集成电路芯片以及分立电容等元件混合组装而成。薄膜电路。有全膜和混合之分。所谓全膜电路，就是指构成一个完整电路所需的全部有源元件、无源元件和互连导体，皆用薄膜工艺在绝缘基片上制成。但由于膜式晶体管的性能差、寿命短，因此难以实际应用。所以所说的薄膜电路主要是指薄膜混合电路。它通过真空蒸发和溅射等薄膜工艺和光刻技术，用金属、合金和氧化物等材料在微晶玻璃或陶瓷基片上制造电阻、电容和互连（薄膜厚度一般不超过1微米），然后与一片或多片晶体管器件和集成电路的芯片高密度混合组装而成。电子元器件常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件。
晶体管发明后不久，就出现了一些锗集成电路。但是半导体集成电路的真正发展则是在发明了平面晶体管以后。个有重要意义的突破是在硅片上热生长具有优良电绝缘性能，又能掩蔽杂质扩散的二氧化硅层。50年代中期以后，又将在印刷照相业中早已广泛应用的光刻技术和制镜及透镜制造业中应用的薄膜蒸发技术引入到半导体工业中来，它们和扩散、外延等技术相结合，奠定了一整套集成电路制造工艺技术。到50年代后期，集成电路主要技术都已相继发展和基本形成了。1958年制成了只单片集成电路。与以往电子装配相比较，在缩小体积、降低成本、提高可靠性、降低功耗、提高速度等方面，集成电路都有着巨大的优越性和潜力。我们产品的较广地用于电源供应器、开关电源、充电器、变压器、计算机、电话机、家用电器、通讯产品、灯饰产品、各类仪器及各类电子电器连接线、电机产品电子等。集成电路的作用：减少元器件的使用。MAX3243ECPWR
厚膜和薄膜电路与单片集成电路相比，各有特点，互为补充。BQ24296MRGER
集成电路检测常识：1、严禁在无隔离变压器的情况下，用已接地的测试设备去接触底板带电的电视、音响、录像等设备。严禁用外壳已接地的仪器设备直接测试无电源隔离变压器的电视、音响、录像等设备。虽然一般的收录机都具有电源变压器，当接触到较特殊的尤其是输出功率较大或对采用的电源性质不太了解的电视或音响设备时，首先要弄清该机底盘是否带电，否则极易与底板带电的电视、音响等设备造成电源短路，波及集成电路，造成故障的进一步扩大。2、要注意电烙铁的绝缘性能。不允许带电使用烙铁焊接，要确认烙铁不带电，建议把烙铁的外壳接地，对MOS电路更应小心，能采用6~8V的低压电烙铁就更安全。BQ24296MRGER
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