微针器件的干湿法刻蚀与集成传感：基于MEMS干湿法混合刻蚀工艺，公司开发出多尺度微针器件。通过光刻胶模板与各向异性刻蚀，制备前列曲率半径<100nm、高度500微米的中空微针阵列，可无创穿透表皮提取组织间液。结合微注塑工艺，在微针内部集成直径10微米的流体通道，实现5分钟内采集3μL样本，用于连续血糖监测（误差±0.2mmol/L）。在透皮给药领域，载药微针采用可降解PLGA涂层，载药率超90%，释放动力学可控至24小时线性释放。同时，微针表面通过溅射工艺沉积金纳米层，集成阻抗传感模块，可实时检测炎症因子（如CRP），检测限低至0.1pg/mL。此类器件与微流控芯片联用，可在15分钟内完成“采样-分析-反馈”闭环，为慢性病管理提供便携式解决方案。深反应离子刻蚀是 MEMS 微纳米加工中常用的刻蚀工艺，可用于制造高深宽比的微结构。安徽采用微纳米加工的MEMS微纳米加工
MEMS制作工艺-太赫兹特性：
1.相干性由于它是由相千电流驱动的电偶极子振荡产生，或又相千的激光脉冲通过非线性光学频率差频产生，因此有很好的相干性。THz的相干测量技术能够直接测量电场振幅和相位，从而方便提取检测样品的折射率，吸收系数等。
2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量级，远小于X射线的10^3量级，不易破坏被检测的物质，适合于生物大分子与活性物质结构的研究。
3.穿透性:THz辐射对于很多非极性物质，如塑料，纸箱，布料等包装材料有很强的穿透能力，在环境控制与安全方面能有效发挥作用
4.吸收性:大多数极性分子对THz有强烈的吸收作用，可以用来进行医疗诊断与产品质量监控
5.瞬态性:相比于传统电磁波与光波，THz典型脉宽在皮秒量级，通过光电取样测量技术，能够有效抑制背景辐射噪声的干扰，在小于3THz时信噪比达10人4:1。
6.宽带性:THz脉冲光源通常包含诺千个周期的电磁振荡，!单个脉冲频宽可以覆盖从GHz至几+THz的范围，便于在大的范围内分析物质的光谱信息。 安徽采用微纳米加工的MEMS微纳米加工PVD磁控溅射、PECVD气相沉积、IBE刻蚀、ICP-RIE深刻蚀是构成MEMS技术的必备工艺。
MEMS制作工艺柔性电子的常用材料：
碳纳米管（CNT）由于其高的本征载流子迁移率，导电性和机械灵活性而成为用于柔性电子学的有前途的材料，既作为场效应晶体管（FET）中的沟道材料又作为透明电极。管状碳基纳米结构可以被设想成石墨烯卷成一个无缝的圆柱体，它们独特的性质使其成为理想的候选材料。因为它们具有高的固有载流子迁移率和电导率，机械灵活性以及低成本生产的潜力。另一方面，薄膜基碳纳米管设备为实现商业化提供了一条实用途径。
MEMS四种刻蚀工艺的不同需求：
绝缘层上的硅蚀刻即SOI器件刻蚀：先进的微机电组件包含精细的可移动性零组件，例如应用于加速计、陀螺仪、偏斜透镜(tiltingmirrors).共振器(resonators)、阀门、泵、及涡轮叶片等组件的悬臂梁。这些许多的零组件，是以深硅蚀刻方法在晶圆的正面制造，接着藉由横方向的等向性底部蚀刻的方法从基材脱离，此方法正是典型的表面细微加工技术。而此技术有一项特点是以掩埋的一层材料氧化硅作为针对非等向性蚀刻的蚀刻终止层，达成以等向性蚀刻实现组件与基材间脱离的结构(如悬臂梁)。由于二氧化硅在硅蚀刻工艺中，具有高蚀刻选择比且在各种尺寸的绝缘层上硅晶材料可轻易生成的特性，通常被采用作为掩埋的蚀刻终止层材料。 随着科技的不断进步，MEMS 微纳米加工的精度正在持续提高，趋近于原子级别的操控。
微纳结构的台阶仪与SEM测量技术：台阶仪与扫描电子显微镜（SEM）是微纳加工中关键的计量手段，确保结构尺寸与表面形貌符合设计要求。台阶仪采用触针式或光学式测量，可精确获取0.1nm-500μm高度范围内的轮廓信息，分辨率达0.1nm，适用于薄膜厚度、刻蚀深度、台阶高度的测量。例如，在深硅刻蚀工艺中，通过台阶仪监测刻蚀深度（精度±1%），确保流道深度均匀性＜2%。SEM则用于纳米级结构观测，配备二次电子探测器，可实现5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道侧壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔径（误差＜±5nm）的检测。在PDMS模具复制过程中，SEM检测模具结构的完整性，避免因缺陷导致的芯片流道堵塞。公司建立了标准化测量流程，针对不同材料与结构选择合适的测量方法，如柔性PDMS芯片采用光学台阶仪非接触测量，硬质芯片结合SEM与台阶仪进行三维尺寸分析。通过大数据统计过程控制（SPC），将关键尺寸的CPK值提升至1.67以上，确保加工精度满足需求，为客户提供可追溯的质量保障。微纳加工产业化能力覆盖设计、工艺、量产全链条，月产能达 50,000 片并持续技术创新。新型MEMS微纳米加工之声表面波器件加工
弧形柱子点阵加工技术通过激光直写与刻蚀实现仿生结构，优化细胞黏附与流体动力学特性。安徽采用微纳米加工的MEMS微纳米加工
MEMS制作工艺-太赫兹脉冲辐射探测：
光电导取样光电导取样是基于光导天线(photoconductiveantenna,PCA)发射机理的逆过程发展起来的一种探测THz脉冲信号的探测技术。如要对THz脉冲信号进行探测，首先，需将一个未加偏置电压的PCA放置于太赫兹光路之中，以便于一个光学门控脉冲(探测脉冲)对其门控。其中，这个探测脉冲和泵浦脉冲有可调节的时间延迟关系，而这个关系可利用一个延迟线来加以实现，尔后，用一束探测脉冲打到光电导介质上，这时在介质中能够产生出电子-空穴对(自由载流子)，而此时同步到达的太赫兹脉冲则作为加在PCA上的偏置电场，以此来驱动那些载流子运动，从而在PCA中形成光电流。用一个与PCA相连的电流表来探测这个电流即可， 安徽采用微纳米加工的MEMS微纳米加工
