XB5606AJ电源管理IC赛芯微xysemi

DS2730 集成了 2 路高效 DC-DC 电压变换器和 CV/CC 补偿电路。结合外置的 NMOS 功率管，实现 2 路分离的 DC-DC 降压变换功能，支持 100%占空比输出和直通模式，并根据设备的插入/移除状态，控制放电通路的自动导通或关闭。在放电过程中，实时监测放电通路的输出电压、负载电流和系统温度。当有异常发生时，启动执行相应的保护机制。 内置的同步降压变换器，允许 5V~30V 的输入电压和 3.3V~20V 的输出电压，上限输出效率可达 98%（VIN=20V，VBUS=20V@5A）。正极保护的锂电池保护方案。XB5606AJ电源管理IC赛芯微xysemi

  DS6036B是一款高集成、多协议双向快充移动电源应用SOC，集成了同步开关升降压变换器、支持2~6节电池串联，支持30~100W功率选择，支持A+A+Cinout+Cinout任意口快充，支持CC-CV切换，支持/等主流快充协议，集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。DS6036B集成NTC功能，可检测电池温度。DS6036B工作的时候，在NTC引脚产生一个恒流源，与外部NTC电阻来产生电压。芯片内部通过检测NTC引脚的电压来判断当前电池的温度。XB4906AJL变更连接在 CNSEL 管脚的下拉电阻的阻值，可以配置应用方案为 2-6串电池的充电管理。

4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 5、过流保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)；当负载突然减小，IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。 6、短路保护：在P+与P-上接上空负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，(这时MOS2被D2短路)； IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。

   锂离子电池到5号电池到处都是，玩具、家用电器、门禁等等，给我们带来了便携性，但也给我们留下了很多麻烦:-在使用耗电的玩具时，应经常更换电池;-废电池处置过程中的潜在污染危害;-可充电镍金属氢化物等电池，充电速度慢。广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑甚至特斯拉汽车的锂离子电池具有优异的性能。与传统的，锂离子电池有以下特点:-容量相同，电池容量更大;-无召回效果，使用寿命更长;低污染;-充电速度更快;更低的价格;随着锂离子电池产业化的深入，其单位容量价格逐渐降低，资金优势现在优于传统的可充电干电池，所以5号电池内置锂离子电池，可以如下图，标准microUSB充电，兼容性好。但是如何解决锂离子电池充电的问题，如何解决锂离子电池的。5.电池，原理框图及实物样例如下。充电容量可达500mA,，支持小电感，输出电流。高精度 ADC 用于检测充电电流，高速 ADC 用于检测电压信号。

XLD6031M18、XLD6031P18、XLD6031P30、XLD6031P33、XLD6032M33、XM5021R18、XM5062SADJ、XM5081ADJ、XM5082ADJ、XM5151ADJ、XM5152ADJ、XM5202ADJ、XM5205、XM6701、XR2204D、XR2681、XR2682、XR2981、XR3403、XR3413、XR4981A、XR4981C、XS5301、XS5302、XS5305、XS5306、XS5306C、XS5308A、XS5309C、XS5502。赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术，将控制IC与开关管集成于同一芯片，推出世界小的锂电池保护方案锂电保护芯片实时监测锂电池的工作状态，提供过充保护、过放保护、过流保护和温度保护等功能。XB6061I2电源管理IC拓微电子

电池电源管理芯片，经济实惠之选。XB5606AJ电源管理IC赛芯微xysemi

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XB5606AJ电源管理IC赛芯微xysemi