MEMS四种刻蚀工艺的不同需求：
1.体硅刻蚀：一些块体蚀刻些微机电组件制造过程中需要蚀刻挖除较大量的Si基材，如压力传感器即为一例，即通过蚀刻硅衬底背面形成深的孔洞，但未蚀穿正面，在正面形成一层薄膜。还有其他组件需蚀穿晶圆，不是完全蚀透晶背而是直到停在晶背的镀层上。基于Bosch工艺的一项特点，当要维持一个近乎于垂直且平滑的侧壁轮廓时，是很难获得高蚀刻率的。因此通常为达到很高的蚀刻率，一般避免不了伴随产生具有轻微倾斜角度的侧壁轮廓。不过当采用这类块体蚀刻时，工艺中很少需要垂直的侧壁。
2.准确刻蚀：精确蚀刻精确蚀刻工艺是专门为体积较小、垂直度和侧壁轮廓平滑性上升为关键因素的组件而设计的。就微机电组件而言，需要该方法的组件包括微光机电系统及浮雕印模等。一般说来，此类特性要求，蚀刻率的均匀度控制是远比蚀刻率重要得多。由于蚀刻剂在蚀刻反应区附近消耗率高，引发蚀刻剂密度相对降低，而在晶圆边缘蚀刻率会相应地增加，整片晶圆上的均匀度问题应运而生。上述问题可凭借对等离子或离子轰击的分布图予以校正，从而达到均钟刻的目的。 超声芯片封装采用三维堆叠技术，缩小尺寸 40% 并提升信噪比至 73.5dB，优化成像质量。什么是MEMS微纳米加工平台
主要由传感器、作动器（执行器）和微能源三大部分组成，但现在其主要都是传感器比较多。
特点：1.和半导体电路相同，使用刻蚀，光刻等微纳米MEMS制造工艺，不需要组装，调整；2.进一步的将机械可动部，电子线路，传感器等集成到一片硅板上；3.它很少占用地方，可以在一般的机器人到不了的狭窄场所或条件恶劣的地方使用4.由于工作部件的质量小，高速动作可能；5.由于它的尺寸很小，热膨胀等的影响小；6.它产生的力和积蓄的能量很小，本质上比较安全。 湖南MEMS微纳米加工的传感器磁传感器和MEMS磁传感器有什么区别？
智能手机迎5G换机潮，传感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面，5G加速渗透，拉动智能手机市场恢复增长：今年10月份国内5G手机出货量占比已达64%；智能手机整体出货量方面，在5G的带动下，根据IDC今年的预测，2021年智能手机出货量相比2020年将增长11.6%，2020-2024年CAGR达5.2%。另一方面，单机传感器和RFMEMS用量不断提升，以iPhone为例，2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12，手机智能化程度不断升，功能不断丰富，指纹识别、3Dtouch、ToF、麦克风组合、深度感知（LiDAR）等功能的加入，使得传感器数量（包含非MEMS传感器）由当初的5个增加为原来的4倍至20个以上；5G升级带来的频段增加也有望明显提升单机RF MEMS价值量。
MEMS制作工艺-太赫兹特性：
1.相干性由于它是由相千电流驱动的电偶极子振荡产生，或又相千的激光脉冲通过非线性光学频率差频产生，因此有很好的相干性。THz的相干测量技术能够直接测量电场振幅和相位，从而方便提取检测样品的折射率，吸收系数等。
2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量级，远小于X射线的10^3量级，不易破坏被检测的物质，适合于生物大分子与活性物质结构的研究。
3.穿透性:THz辐射对于很多非极性物质，如塑料，纸箱，布料等包装材料有很强的穿透能力，在环境控制与安全方面能有效发挥作用
4.吸收性:大多数极性分子对THz有强烈的吸收作用，可以用来进行医疗诊断与产品质量监控
5.瞬态性:相比于传统电磁波与光波，THz典型脉宽在皮秒量级，通过光电取样测量技术，能够有效抑制背景辐射噪声的干扰，在小于3THz时信噪比达10人4:1。
6.宽带性:THz脉冲光源通常包含诺千个周期的电磁振荡，!单个脉冲频宽可以覆盖从GHz至几+THz的范围，便于在大的范围内分析物质的光谱信息。 柔性电极表面改性技术通过 PEG 复合涂层，降低蛋白吸附 90% 并提升体内植入生物相容性。
微针器件的干湿法刻蚀与集成传感：基于MEMS干湿法混合刻蚀工艺，公司开发出多尺度微针器件。通过光刻胶模板与各向异性刻蚀，制备前列曲率半径<100nm、高度500微米的中空微针阵列，可无创穿透表皮提取组织间液。结合微注塑工艺，在微针内部集成直径10微米的流体通道，实现5分钟内采集3μL样本，用于连续血糖监测（误差±0.2mmol/L）。在透皮给药领域，载药微针采用可降解PLGA涂层，载药率超90%，释放动力学可控至24小时线性释放。同时，微针表面通过溅射工艺沉积金纳米层，集成阻抗传感模块，可实时检测炎症因子（如CRP），检测限低至0.1pg/mL。此类器件与微流控芯片联用，可在15分钟内完成“采样-分析-反馈”闭环，为慢性病管理提供便携式解决方案。MEMS制作工艺柔性电子的常用材料是什么？湖南MEMS微纳米加工的传感器
MEMS微纳米加工的未来发展是什么？什么是MEMS微纳米加工平台
玻璃与硅片微流道精密加工：深圳市勃望初芯半导体科技有限公司依托深硅反应离子刻蚀（DRIE）技术，实现玻璃与硅片基材的高精度微流道加工。针对玻璃芯片，通过光刻掩膜与氢氟酸湿法刻蚀工艺，可制备深宽比达10:1、表面粗糙度低于50nm的微通道网络，适用于高通量单细胞操控与生化反应腔构建。硅片加工则采用干法刻蚀结合等离子体表面改性技术，形成亲疏水交替的微流道结构，提升毛细力驱动效率。例如，在核酸检测芯片中，硅基微流道通过自驱动流体设计，无需外接泵阀即可完成样本裂解、扩增与检测全流程，检测时间缩短至1小时以内，灵敏度达1拷贝/μL。此类芯片还可集成微加热元件，实现PCR温控精度±0.1℃，为分子诊断提供高效硬件平台。什么是MEMS微纳米加工平台
