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半导体放电管基本参数
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半导体放电管企业商机

主要技术参数及使用选择一、常用技术参数1、直流放电电压在上升陡度低于100V/s的电压作用下,放电管开始放电的平均电压值称为其直流放电电压。由于放电的分散性,所以,直流放电电压是一个数值范围。2、冲击放电电压在具有规定上升陡度的暂态电压脉冲作用下,放电管开始放电的电压值称为其冲击放电电压。放电管的响应时间或动作时延与电压脉冲的上升陡度有关,对于不同的上升陡度,放电管的冲击放电电压是不同的。3、工频耐受电流放电管通过工频电流5次,使管子的直流放电电压及绝缘电阻无明显变化的更大电流称为其工频耐受电流。4、冲击耐受电流将放电管通过规定波形和规定次数的脉冲电流,使其直流放电电压和绝缘电阻不会发生明显变化的更大值电流峰值称为管子的冲击耐受电流。这一参数是在一定波形和一定通流次数下给出的,制造厂通常给出在8/20us波形下通流10次的冲击耐受电流,也有给出在10/1000us波形下通流300次的冲击耐受电流。深圳市凯轩业科技有限公司专业设计半导体放电管研究生产价格优势,品质专业,欢迎咨询。甘肃大规模半导体放电管

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气体放电发光原理放电通常比白炽灯更有效,这是由于其辐射来自高于固体灯丝能达到的温度区域。放电是比钨更有选择的发射体(可移向可见区或者紫外区而远离红外辐射x),因此在红外辐射区有更少的能量浪费放电形成等离子体,它是离子、电子形成的混合体,平均呈电中性。一般必须有与等离子体的电子连接,通常是电极,但无电极连接也是可能的。气体放电示意图:空心圆表示可被电离和形成等离子体的气体原子。当带有正电荷的粒子在电场作用下定向位移时,就形成了放电电流。阴极必须能发射出足够多的电子,以维持电流的持续,而阳极则接收电流。图中的电阻是直流放电时起限制电流作用的镇流器。圆中有*符号的表示是被高能电子激发的原子,他们会产生辐射。当一个足够大的电场加在气体上,气体被击穿而导电。**熟悉的例子是闪电。产生击穿是由于自然界中总有数量很小的、由宇宙射线或者自然放射所产生的以电子-离子对形式存在的电离。外加的电场使电子加速(离子相对是静止的)云南半导体放电管有哪些放电管常用于多级保护电路中的***级或前两级,起泄放雷电暂态过电流和限制过电压作用。

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反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。四、特点1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌。2.适合流动和量低,可用于高频电路。5.高绝缘阻抗特性。6.可进行编带包装。7.符合IEC61000-4-2规格

浪涌电压抑制器件分类浪涌电压抑制器件基本上可以分为两大类型。第一种类型为橇棒(crowbar)器件。其主要特点是器件击穿后的残压很低,因此不仅有利于浪涌电压的迅速泄放,而且也使功耗**降低。另外该类型器件的漏电流小,器件极间电容量小,所以对线路影响很小。常用的撬棒器件包括气体放电管、气隙型浪涌保护器、硅双向对称开关(CSSPD)等。另一种类型为箝位保护器,即保护器件在击穿后,其两端电压维持在击穿电压上不再上升,以箝位的方式起到保护作用。常用的箝位保护器是氧化锌压敏电阻(MOV),瞬态电压抑制器(TVS)等。3、气体放电管的构造及基本原***体放电管采用陶瓷密闭封装,内部由两个或数个带间隙的金属电极,充以惰性气体(氩气或氖气)构成,基本外形如图1所示。当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时,气体放电管便开始放电,并由高阻变成低阻,使电极两端的电压不超过击穿电压.深圳市凯轩业科技有限公司,气体放电管信赖之选。

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玻璃放电管SPG是集陶瓷气体放电管的大浪涌通流能力和半导体放电管的快速响应于一体的防雷元器件,克服了原气体放电管响应速度慢(μs级)和半导体放电管耐浪涌电流弱的缺点,是20世纪末新推出的防雷器件,它兼有陶瓷气体放电管和半导体过压保护器的优点:绝缘电阻高、极间电容小(≤0.8pF)、放电电流较大(比较大达3kA)、双向对称性、反应速度快(不存在冲击击穿的滞后现象)、性能稳定可靠、导通后电压较低,此外还有直流击穿电压高(比较高达4500V)、体积小、寿命长等优点。其缺点是直流击穿电压分散性较大(±20%)。按它的8/20μs脉冲放电电流IPP的大小分为UNC(3kA)、UNB(1kA)、UNA(500A)三个系列。深圳市凯轩业科技致力于半导体放电管生产研发设计,竭诚为您服务。甘肃大规模半导体放电管

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气体放电管(GasDischargeTubeGDT)是由密封惰性气体于放电管介质的一个或者一个以上放电间隙组成的器件,是一种开关型过压保护元件。气体放电管通流量大,结电容低,绝缘电阻高,响应速度慢,击穿残压较高,并且有续流。适合应用在信号端口初级,电源端口(与钳位型串联)。气体放电管的主要参数包括:直流击穿电压DCSpark-overVoltage:又称为直流火花放电电压,是指施加缓慢升高的直流电压时,GDT火花放电时的电压,一般电压斜率为100V/s;脉冲击穿电压:MaximumImpulseSpark-overVoltage,亦称比较大冲击火花放电电压,是指施加规定上升率和极性的冲击电压,在放电电流流过GDT之前,其两端子间的电压比较大值,一般电压斜率为1000V/us;标称冲击放电电流:NominalImpulseDischargeCurrent,是指给定波形的冲击电流峰值,一般为8/20μs的脉冲电流波形,为GDT的额定值;耐冲击电流寿命:ImpulseLife,衡量GDT耐受多次冲击电流的能力,在一定程度上反映了GDT的稳定性及可靠性,一般施加10/1000μs的脉冲电流若干次;.甘肃大规模半导体放电管

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