工作原理·反向工作状态(K端接正、A端接负)·正向工作状态(A端接正、K端接负)D阻断区:此时器件两端所加电压低于击穿电压，J1正偏，J2为反偏，电流很小，起了阻挡电流的作用，外加电压几乎都加在了J2上。2雪崩区:当外加电压上升接近J2结的雪崩击穿电压时，反偏J2结空间电荷区宽度扩展的同时，结区内电场**增强，从而引起倍增效应加强。于是，通过J2结的电流突然增大，并使流过器件的电流也增大，这就是电压增加，电流急剧增加的雪崩区。3负阻区:当外加电压增加到大于VBO时，由于雪崩倍增效应而产生了大量的电子空穴对，此时这些载流子在强场的作用下，电子进入n2区，空穴进入p1区，由于不能很快复合而分别堆积起来，使J2空间电荷区变窄。由此使p1区电位升高、n2区电位下降，起了抵消外电压的作用。随着J2结区电场的减弱，降落在J2结上的外电压将下降，雪崩效应也随之减弱。五极放电管的主要部件和两极、三极放电管基本相同，有较好的放电对称性，可适用于多线路的保护。黑龙江出口半导体放电管
气体放电管（GasDischargeTubeGDT）是由密封惰性气体于放电管介质的一个或者一个以上放电间隙组成的器件，是一种开关型过压保护元件。气体放电管通流量大，结电容低，绝缘电阻高，响应速度慢，击穿残压较高，并且有续流。适合应用在信号端口初级，电源端口（与钳位型串联）。气体放电管的主要参数包括：直流击穿电压DCSpark-overVoltage：又称为直流火花放电电压，是指施加缓慢升高的直流电压时，GDT火花放电时的电压，一般电压斜率为100V/s；脉冲击穿电压:MaximumImpulseSpark-overVoltage,亦称比较大冲击火花放电电压,是指施加规定上升率和极性的冲击电压,在放电电流流过GDT之前,其两端子间的电压比较大值，一般电压斜率为1000V/us；标称冲击放电电流:NominalImpulseDischargeCurrent,是指给定波形的冲击电流峰值,一般为8/20μs的脉冲电流波形,为GDT的额定值；耐冲击电流寿命:ImpulseLife,衡量GDT耐受多次冲击电流的能力,在一定程度上反映了GDT的稳定性及可靠性,一般施加10/1000μs的脉冲电流若干次；黑龙江出口半导体放电管专业设计厂家直销半导体放电管，价格优势，信赖之选深圳市凯轩业科技有限公司.
放电管呢是一种用于设备输入端（例如：交直流电源以及各类信号电路等）的保护元器件，一般常见的放电管有TSS半导体放电管、GDT陶瓷气体放电管以及SPG玻璃放电管三类。TSS半导体放电管、GDT陶瓷气体放电管以及SPG玻璃放电管分别有什么优势？1.半导体放电管也称固态放电管，是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种二端保护元器件，具有精确导通、快速响应、浪涌吸收能力强、双向对称以及可靠性高等质量特性。但由于其浪涌吸收能力强，所以有时候会在无源电路中代替TVS管使用。这类放电管一般不能直接用于有源的电路中，可添加限流元件，让它的续流小于维持电流，有贴装式、直插式以及轴向引线式三种。
接地连线应当具有尽量短的长度接地连线应具有足够的截面，以泄放暂态大电流。放电管的失效模式放电管受到机械碰撞，超耐受的暂态过电压多次冲击以及内部出现老化后，将发生故障。故障的模式（即失效模式）有两种：第一种是呈现低放电电压和低绝缘电阻状态；第二种是呈现高放电电压状态。开路故障模式比短路故障模式具有更大的危害性：开路故障模式令人难以及时察觉，从而不能采取补救措施。现在的电源SPD产品中，带有失效报警装置，如声，光报警，颜色变化提示等，这些措施的采取对于及时发现和更换已经失效的SPD是有利的。气体放电管按照高效率弧光放电的气体物理原理工作。从电气的角度看，气体放电管就是压敏开关。
半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。选用半导体放电管应注意以下几点：1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A；Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。随着用户对产品质量的高要求、高标准，生产商在进行产品研发设计时也随之提高了其安全可靠性等相关标准。黑龙江出口半导体放电管
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半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应(响应时间 ns 级)、浪涌吸收能力较强、双向对称、可性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尺寸的 TVS 管强，可在无源电路中代 TVS 管使用。但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流元件，使其续流小于**小维持电流。半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。------凯轩业科技有限公司黑龙江出口半导体放电管
