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AndoriStar系列像增强探测器（ICCD和sCMOS）是一种高性能的门控成像设备，结合了像增强技术和先进的CCD或sCMOS传感器，能够实现纳秒级时间分辨率和高灵敏度成像。以下是其技术特点和应用领域的详细介绍：技术特点像增强技术iStar系列采用GenII和GenIII像增强器，具有超快的响应速度和高分辨率，能够将极弱的光信号增强到可检测水平。纳秒级时间分辨率提供小于2纳秒的真实光学门控时间，适用于快速瞬态现象的研究。高灵敏度与低噪声峰值量子效率（QE）高达50%，响应范围覆盖从真空紫外（129nm）到短波红外（1100nm），支持低至单光子的探测灵敏度。支持相干反斯托克斯拉曼散射（CARS）等非线性拉曼技术，用于复杂样品的高灵敏度检测。天津深度制冷CCDAndor网站

Zyla 5.5 sCMOS 相机高分辨率与大视场：550万像素（2560 x 2160），视场对角线为 22 mm，适合需要大视场的应用。高帧率：全分辨率下帧率可达 100 fps，支持全局快门和滚动快门模式。低振动设计：**风扇振动，适合对振动敏感的实验，如超分辨率显微成像。应用领域：流体动力学（PIV）、动态 X 射线成像、天文学等。3. Neo 5.5 sCMOS 相机高灵敏度与低噪声：采用真空制冷技术，冷却至 -40℃，读出噪声低至 1.0 电子。高帧率：全分辨率下帧率可达 30 fps，支持全局快门和滚动快门。应用领域：活细胞成像、神经生物学、自适应光学（波前传感）等。天津深度制冷CCDAndor网站iXon Life： 专为荧光显微镜应用设计，适合单分子检测、活细胞成像、超分辨成像（如 SRRF-Stream）。

Andor的sCMOS相机系列通过创新的“双放大器”传感器架构，为扩展动态范围提供了高性能的解决方案。以下是其关键技术和应用特点：**技术双放大器架构Andor的sCMOS相机采用独特的双放大器设计，能够同时实现高增益（低噪声）和低增益（高容量）信号放大。这种设计使得相机能够在一次成像中同时量化极其微弱和相对较亮的信号区域，从而提供更宽的动态范围。高动态范围与线性度相机支持16位数据范围，动态范围高达53,000:1（如Marana4.2B-11型号）。Andor的智能算法确保在整个动态范围内线性度大于99.7%，适用于精确的光度测量。背照式传感器部分型号（如Marana和Sona）采用背照式sCMOS传感器，量子效率（QE）高达95%，进一步提升了灵敏度和动态范围。

Andor 的高速高灵敏 sCMOS 相机系列部分型号采用 -45℃ 真空冷却技术，有效降低暗噪声，提高成像质量。像素尺寸与读取噪声：sCMOS 相机的像素尺寸从 6.5 µm 到 11 µm 不等，像素井深比较高可达 85,000 电子。读取噪声低至 0.9 电子，确保高信噪比和高质量成像。多种接口与应用：相机支持 USB 3.0 和 Camera Link 接口，满足不同系统的集成需求。应用领域包括细胞运动、发育生物学、神经生物学、量子光学、天文学等。Sona 系列：背照式 sCMOS 传感器，QE 高达 95%，像素尺寸为 11 µm，提供高达 420 万像素的成像能力。适用于需要高灵敏度和大视场的应用，如显微成像和天文学。Zyla 系列：提供高达 82% 的 QE 和 100 fps 的帧率，具有 420 万到 550 万像素的分辨率。适合需要高帧率和高性价比的应用。Neo 系列：550 万像素，6.5 µm 像素尺寸，真空冷却至 -40℃，支持全局和滚动快门。适用于需要高分辨率和低噪声的成像场景。iXon Ultra：提供深度制冷（-100°C）和低噪声特性，适合长时间曝光和极弱光成像。

Andor 提供了一系列高性能的光谱仪，适用于从紫外（UV）到近红外（NIR）和短波红外（SWIR）的光谱分析。这些光谱仪基于 Czerny-Turner、Echelle 或透射式光学设计，具有高分辨率、高光通量、高模块化和易用性等特点。以下是 Andor 光谱仪的主要型号及其技术特点：主要型号及技术特点Kymera 193i焦距：193 mm光圈：F/3.6特点：自适应聚焦技术（**）、双探测器输出。Kymera 328i焦距：328 mm光圈：F/4.1特点：自适应聚焦技术（**）、双输入输出、TruRes™ 提升光谱分辨率、eXpress™ 四光栅塔轮设计。Shamrock 163焦距：163 mm光圈：F/3.6特点：紧凑型设计，适合显微光谱应用。如果您的主要需求是 荧光显微镜成像，并且需要 高性价比 和 低光毒性，则 iXon Life 是更好的选择。吉林Shamrock 750Andor供应商

Andor独有的 UltraVac™ 技术，通过真空密封防止传感器 QE 退化和水分冷凝，提供 5 年质保。天津深度制冷CCDAndor网站

制冷温度与暗电流iDus CCD：制冷温度可达 -100°C，暗电流极低（0.0004 电子/像素/秒），适合长时间曝光。iDus InGaAs：制冷温度为 -90°C，暗电流较高（1.7 µm 型号为 10,700 电子/像素/秒，2.2 µm 型号为 5,000,000 电子/像素/秒）。4. 像素规格iDus CCD：芯片规格：1024 x 128 或 1024 x 256，像素尺寸为 26 µm 或 13.5 µm。iDus InGaAs：芯片规格：1024 x 128 或 1024 x 256，像素尺寸为 25 µm 或 50 µm。5. 读出噪声iDus CCD：读出噪声低至 3 电子。iDus InGaAs：读出噪声较高，约为 580 电子。6. 应用场景iDus CCD：适用于紫外到近红外的拉曼光谱、光致发光、吸收光谱和显微光谱。iDus InGaAs：专为近红外光谱应用设计，如近红外拉曼光谱、光致发光和材料科学中的低光通量应用。天津深度制冷CCDAndor网站