浙江功率二极管规范

在所述肖特基结图案对应区域淀积金属和硅形成金属硅化物，得到肖特基结。在本申请的一种可能实施例中，在所述肖特基结及靠近所述肖特基结的氧化层上制作金属层的步骤，包括：在真空度3e-6torr、温度190℃的环境下持续加热45分钟，依次在所述肖特基结及靠近所述肖特基结的氧化层上沉积多层金属，制作形成金属层。在本申请的一种可能实施例中，在所述氧化层远离所述肖特基结的两端进行蚀刻形成防水槽的步骤，包括：在所述氧化层远离所述肖特基结两端的表面涂覆光刻胶层；通过带有防水槽图案的掩模对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上刻出防水槽图案；用腐蚀溶剂进行腐蚀，将所述防水槽图案转移到所述氧化层；蚀刻所述防水槽图案对应区域的氧化层，形成防水槽。本申请实施例提供一种肖特基二极管及其制造方法，通过在氧化层开设朝向外延层凹陷的防水槽，并在氧化层上制作填充于防水槽并在该防水槽对应的位置处形成与防水槽咬合并凸起的钝化层。钝化层与氧化层通过上述凹凸咬合结构层叠在一起，在肖特基二极管使用过程中，即便工作温度发生变化，钝化层与氧化层结合处的剪切力也不足以形成供水汽侵入肖特基结的微小缝隙。同时，因氧化层开设有防水凹槽。上海藤谷电子科技有限公司致力于提供二极管，有想法的可以来电咨询！浙江功率二极管规范

所述ge层002、所述压应力层003依次层叠设置于所述衬底层001的表面，所述压应力层003设置有电极孔，所述金属电极a1设置于所述ge层002上所述电极孔中，所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。所述衬底层001为锗衬底层，具体地，可以为n型掺杂浓度为1020cm-3的n型单晶锗(ge)。需要说明的是，作为衬底材料，ge材料相对于si材料来说，在ge衬底上生长ge层比si上生长ge层更容易得到高质量ge层。所述ge层002为n型ge层，掺杂浓度为×1014～2×1014cm-3，厚度为形成700～800nm。需要说明的是，n型ge外延层的厚度如果低于700nm制作的肖特基二极管器件如果应用于无线充电和无线传输系统极易发生击穿，同时为了器件整体性能和体积考虑n型ge外延层的厚度也不易太厚，因为，为了降低器件的厚度，且制作的肖特基二极管用于无线充电后的器件性能考虑，将n型ge外延层的厚度设置为700～800nm。所述压应力层003为氮化硅层，所述压应力层003使所述ge层002产生压应力。需要说明的是，所述压应力层003也可以是sin、si3n4等能产生压应力的半导体层，此处不做过多限制。地，所述氮化硅层为压应力si3n4膜。需要说明的是。重庆微型二极管价格便宜二极管，就选上海藤谷电子科技有限公司，用户的信赖之选，有需要可以联系我司哦！

本发明属于无线传输技术领域，具体涉及一种用于整流电路的肖特基二极管。背景技术：整流电路是无线传输接收端整流天线的一个重要组成部分，同时也是决定整流天线整流效率的重要的一个因素。整流电路中重要的组成部分为整流二极管，它也是决定整流效率的重要因素。常用的整流二极管为肖特基二极管，肖特基二极管使采用金属和半导体接触形成的金属-半导体结原理制成，其功耗低、电流大，反向恢复时间极短，正向导通电压低，使其成为中、小功率的整流二极管。整肖特基二极管即整流天线内的肖特基二极管的性能，决定着无线传输系统中的比较高转换效率的大小。现有技术中对肖特基二极管如何提高电子迁移率的研究稀少，且制在通过对肖特基二极管的结构采用特殊设计以提高电子迁移率的研究上，该种方法通常制备的肖特基二极管器件结构复杂，元件封装结构、互连复杂。如何提高肖特基二极管的电子迁移率且制备的肖特基二极管结构简单以提高整流电路的转换效率具有研究的必要。技术实现要素：为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种用于整流电路的肖特基二极管及整流电路。

5+)的半导体。由P型半导体和N型半导体相接触时，就产生一个独特的PN结界面，在界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于PN结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的PN结。以PN结为结构，加上引线或引脚形成单向导电的二极管。当外加电压方向由P极指向N极时，导通。晶体二极管分类晶体二极管可按材料不同和PN结结构不同，进行分类。01点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。其PN结的静电容量小，适用于高频电路。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此不能使用于大电流和整流。制作工艺：将细铝丝的一端接在阳极引线上，另一端压在掺杂过的N型半导体上。加上电压后，细铝丝在接触点处融化并渗入融化部分的中。这样，接触点实际上是P型半导体，并附着在N型半导体上形成PN结。02面接触型二极管面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流(几安到几十安)。上海藤谷电子科技有限公司致力于提供二极管，欢迎您的来电！

一些较大值的功率二极管被设计为“螺柱安装”在散热器上，从而将其热阻降低至oC/Watt。如果在功率二极管上施加交流电压，则在正半周期间，二极管将传导通过的电流，而在负半周期间，二极管将不会传导，从而阻止电流流动。然后，通过功率二极管的导通在正半周期内发生，因此是单向的，即如图所示为DC。功率二极管整流器功率二极管可如上所述单独使用或连接在一起以产生各种整流器电路，例如“半波”，“全波”或“桥式整流器”。每种类型的整流器电路都可以分为非控制型，半控制型或完全控制型，其中非控制型整流器使用功率二极管，完全控制型整流器使用晶闸管（SCR），而半控制型整流器则是二极管和晶闸管的混合体。基本电子应用中常用的单个功率二极管是通用1N400x系列玻璃钝化型整流二极管，其标准额定连续正向整流电流约为，反向阻断电压额定值从1N4001的50v到1N4007的1000v小型1N4007GP是通用电源电压整流器中很受欢迎的产品。半波整流整流器是其转换电路交流（AC）输入功率转换成一个直流（DC）输出功率。输入电源可以是单相或多相电源，所有整流器电路中简单的是半波整流器。半波整流器电路中的功率二极管使交流电源的每个完整正弦波的一半通过。上海藤谷电子科技有限公司是一家专业提供二极管的公司，期待您的光临！湖南功率二极管价格便宜

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本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本发明实施例提供了一种用于整流电路的肖特基二极管，包括：衬底层001、ge层002、压应力层003、金属电极a1、第二金属电极a2，其中，所述ge层002、所述氮化硅层依次层叠设置于所述衬底层001的表面，所述压应力层003设置有电极孔，所述金属电极a1设置于所述ge层002上且设置于所述电极孔中，所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。在本发明的一个实施例中，所述ge层002为n型ge层，掺杂浓度为×1014～2×1014cm-3。在本发明的一个实施例中，所述压应力层003为氮化硅层。在本发明的一个实施例中，所述氮化硅层为si3n4膜。在本发明的一个实施例中，所述压应力层003使所述ge层002内产生压应力，所述ge层002中的压应力的大小与制备所述压应力层003的反应温度相关，其中，所述反应温度越高，所述ge层002中的压应力越大。在本发明的一个实施例中，所述ge层002的厚度为700～800nm。在本发明的一个实施例中，所述衬底层001为n型单晶ge层。在本发明的一个实施例中，所述金属电极a1为钨电极。在本发明的一个实施例中，所述电极孔贯穿所述压应力层003且设置于所述压应力层003中部。浙江功率二极管规范

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