肇庆半导体三极管尺寸

三极管具有电流放大作用，能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量，也用作无触点开关。三极管的简介，三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，是半导体基本元器件之一，是电子电路的主要元件，具有电流放大作用，三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。三极管的应用，常见家里的音响，功率放大器，主要器件就是三极管，来把很弱小的声音信号放大到足以推动扬声器发出声音，还有楼道里的触摸开关，部分光敏开关，三极管在这里做开关使用；还有你的手机充电器，手机，电视等，基本上家电里面都会用到。三极管的工作电压和电流可以通过外部电路的设计来保护。肇庆半导体三极管尺寸

可能朋友们都有一个疑惑，集电结反向偏置了应该截止，怎么导通了？击穿了？这还要从二极管原理说起，上一篇介绍了二极管原理的文章提到了，当给PN结施加反向偏置电压的时候，内部电场强度增强，空间电荷区变宽，空间电荷区的自由电子被电场加速，穿过PN结形成反向饱和电流。当然这些自由电子属于少子，形成的反向电流也很小。如果人为把自由电子注入空间电荷区，这些电子同样被电场加速形成反向电流。因此只需要控制注入的电子数量就能够实现对电流的控制。肇庆半导体三极管尺寸在使用三极管时，需要注意其工作环境的温度和湿度，避免影响其性能和寿命。

搭建如下电路，使集电结反偏，发射结正偏。反向偏置的集电结在外部电场的帮助下变宽，同时正向偏置的发射结，由于内部电场被削弱，自由电子扩散运动增强，发射区内部的大量自由电子扩散到了基区，被集电结的内部电场捕获，被电场加速送到了集电结，集电区内部的自由电子被反向偏置电压吸出，产生大量空穴，这些空穴收集发射过来的电子，从而形成集电极电流Ic。发射区注入基区的电子只有极少的被基极偏置电压吸出，形成基极电流Ib。Ic=βIb，β叫做放大倍数，这放大倍数是和制作工艺相关的，同一批制作出来的三极管也不一定相同，但是每个三极管的放大倍数可以认为是不会变的，也就是说只要控制了基极电流Ib，就能控制集电极电流Ic。

当NPN三极管b极输入一个正电压UB，NP之间正偏，由于电场力作用，e极N区负电子（自由电子）被b极P区正电子（空穴）吸引出来涌向到基极P区，因为基极P区做的很薄，所以只有一部分负电子（自由电子）与正电子（空穴）复合产生基极电流IB（基极电流方向与负电子移动方向相反）。而另一部分负电子（自由电子）则在集电结附近聚集，由于电场作用聚集在集电结的负电子穿过（漂移）集电结，到达集电区后与聚集在c极(N型半导体端)正电子碰撞产生集电极电流IC。从此可见，基极b电流越大，集电极c电流越大，即基极b输入一个小的电流，集电极c就可得到一个大的电流。三极管常于模拟和数字电路、功率放大器、振荡器等电子设备中。

三极管的参数，三极管的参数有很多，可以分成三大类：直流参数、交流参数、极限参数。直流参数：a.集电极—基极反向饱和电流Icbo集电极—基极反向饱和电流是指发射极开路时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Ucb时的集电极反向电流。b.集电极—发射极反向电流Iceo集电极—发射极反向电流也称穿透电流，是指基极开路时，集电极和发射极之间加上规定电压Vce时的集电极电流。c.发射极—基极反向电流Iebo发射极—基极反向电流是指集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。d.直流电流放大系数（或hFE）直流电流放大系数是指采用共发射极接法，没有交流信号输入时，集电极的直流电流与基极的直流电流的比值。三极管的工作原理基于PN结的特性，通过控制基极电流，实现发射极和集电极之间电流的放大。肇庆半导体三极管尺寸

使用三极管时需要注意输入信号的幅度和频率范围，以避免过载或失真。肇庆半导体三极管尺寸

对于PNP型三极管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来。电阻R1基极偏置用,电阻R2有限流作用,也是三极管集电极的负载电阻。发光二极管D指示作用,三极管T开关作用,电池E供电。三极管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是,用电阻档测b,c极和b,e极的正反电阻,相差几十倍以上就是正常的。估算NPN型三极管的电流放大系数的简单方法：黑表笔接c极,红表笔接e极,在c,b极间接一个50-200K的电阻,查看表针的摆动情况,摆动越大,β值越高。肇庆半导体三极管尺寸