STPS340B-TR

    二极管常见种类：一、TVS二极管：TVS二极管全称瞬态电压抑制二极管，TVS是一种保护器件，常用在连接器接口，测试点，开关电源等地方，与被保护负载并联使用。二、稳压二极管：利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。三、肖特基二极管：肖特基简称SBD，有正向压降低和反向恢复时间小的特点，常用来作大电流整流。四、快回复二极管：简称FRD，与肖特基类似，但是功耗更大。五、发光二极管：简称LED，LED由含镓、砷、磷、氮等的化合物制成，主要作用可以发光。六、变容二极管：是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的二极管。二极管的小型化和集成化是电子元件发展的重要趋势。STPS340B-TR

    二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管*普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。 BC869-16发光二极管能将电能转化为光能，照亮我们的生活。

    如何快速判断二极管好坏？1.示波器测试法：使用示波器测试二极管时，给二极管正向施加电压，观察示波器显示的波形。正常的二极管会导通并显示一个较小的正向导通电压（正向滞后），而坏的二极管会出现打火、无明显的波形或没有反应。这种方法需要有示波器和一定的电路测试知识。2.万用表测试法：使用万用表进行二极管测试是一种简单快速的方法。将万用表调整到二极管测试档位（通常是二极管符号），然后将二极管的正极和负极分别连接到万用表的测试引脚上。正常的二极管在正向导通时，万用表会显示一个较低的电压值（通常是几百毫伏），而在反向关断时，万用表会显示一个较高的电阻值（通常是无穷大）。3.二极管灯泡测试法：准备一个电池、一个灯泡和一根导线。将导线插入灯泡的两个端口中，然后将一端连接到电池的正极，另一端用于测试二极管。将二极管的正负极分别接触到导线的两端，如果灯泡亮起则说明二极管是好的，如果灯泡不亮则说明二极管可能损坏。4.口试法：这是一种简单粗暴的方法，适用于二极管外观没有明显损坏的情况。用手指触摸二极管的金属端子，如果感觉到有热或轻微震动，则说明二极管可能是好的。当然，这种方法只能初步判断，不能完全准确。

    二极管的单向导电性能是其非常重要的特性，也是其广泛应用于各种电子设备的基础。这种特性使得二极管可以用于整流电路，将交流电转换为直流电；可以用于检波电路，从复杂的信号中提取出所需的调制信号；可以用于限幅和钳位电路，控制电流的幅度和方向；还可以用于稳压电路，确保电源电压的稳定输出。在收音机电路中，二极管被用来对无线电信号进行检波，将音频信号从高频信号中提取出来。在家用电器产品中，二极管被用来实现电源的开关功能，控制电流的通断。在工业控制电路中，二极管被用来进行精确的电压稳压，以确保设备的正常运行。二极管在电子电路中扮演着重要角色，是构成各种电子设备不可或缺的基础元件。

    二极管在电子电路中起着至关重要的作用，主要作用包括：整流：利用二极管的单向导电性，可以将方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。这是二极管在电源电路中的常见应用，通过整流，可以使得电路中的电流或电压具有统一的极性。开关：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。因此，可以利用二极管的开关特性，组成各种逻辑电路，实现电路的开启和关闭功能。二极管还可用于稳压电路中，保持输出电压的稳定。TIP150 功率三极管

二极管按材料可分为硅管和锗管，二者在性能上略有差异。STPS340B-TR

    二极管特性参数：反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被**破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。 STPS340B-TR