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    本公开一般地涉及液体冷却的集成电路系统、用于冷却集成电路的装置以及用于冷却集成电路的方法。背景技术：现代计算机系统产生大量的热量。尽管所述热量中的一部分热量是由电源及类似物产生，所述热量中的大部分热量是由诸如处理器和存储芯片的集成电路产生的。为了合适地运行，这些计算机系统必须被保持在一定温度范围之内。因此，必须消散或以其他方式移除由这些处理器和存储芯片产生的热量。技术实现要素：在一个方面中，本公开的实施方式提供一种液体冷却的集成电路系统，所述液体冷却的集成电路系统包括：两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，平行地安装在所述系统板上的多个印刷电路板插座，和多个冷却管，每个所述冷却管平行且邻接于所述印刷电路板插座中的对应的一个印刷电路板插座地安装在所述系统板上，所述冷却管中的每个冷却管具有在该冷却管的与所述系统板相对的一侧上粘附至所述冷却管的热接口材料层；以及多个集成电路模块，每个所述集成电路模块包括：印刷电路板，所述印刷电路板具有布置在所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座中的连接侧；安装在所述印刷电路板上的一个或多个集成电路，第二热接口材料层。IC这个词听着也非常耳熟，那它表示的是什么呢？88E1512-A0-NNP2C000

    减轻了电路设计师的重担，不需凡事再由基础的一个个晶体管处设计起。集成电路可以把模拟和数字电路集成在一个单芯片上，以做出如模拟数字转换器和数字模拟转换器等器件。这种电路提供更小的尺寸和更低的成本，但是对于信号必须小心。[1]制造播报编辑参见：半导体器件制造和集成电路设计从20世纪30年始，元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的威廉·肖克利（WilliamShockley）认为是固态真空管的可能的原料。从氧化铜到锗，再到硅，原料在20世纪40到50年代被系统的研究。尽管元素周期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如：发光二极管、激光、太阳能电池和高速集成电路，单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。半导体集成电路工艺，包括以下步骤，并重复使用：光刻刻蚀薄膜（化学气相沉积或物相沉积）掺杂（热扩散或离子注入）化学机械平坦化CMP使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。PE-65351电源IC芯片的应用使得开关电源以小型、轻量和高效率的特点被普遍应用。

    深圳市硅宇电子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，总部位于深圳福田区福虹路世界贸易广场A座，2002年成立北京分公司，是专业的IC供货商（只做原装），其中有8位单片机、32位单片机；在该领域已经营多年，资源丰富，目前已发展成为一家专业化、规模化的电子元器件经销商，且得到厂商的大力支持与新老客户的认同，公司工程技术力量强大，可为客户设计指导方案开发。芯片(4张)电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）集成电路（hybridintegratedcircuit）是由半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。从1949年到1957年，维尔纳·雅各比（WernerJacobi）、杰弗里·杜默（JeffreyDummer）、西德尼·达林顿（SidneyDarlington）、樽井康夫（YasuoTarui）都开发了原型，但现代集成电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。其因此荣获2000年诺贝尔物理奖，但同时间也发展出近代实用的集成电路的罗伯特·诺伊斯，却早于1990年就过世。晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。

    图是带有已安装在印刷电路板插座中的双列直插式存储模块组件并且带有已附接的分流管的印刷电路装配件的图。参考回图，每个冷却管的端部耦联至输入分流管a，并且每个冷却管的第二端部耦联至输出分流管b。在操作中，冷却液体通过输入分流管a进入各冷却管，并且被加热的液体通过输出分流管b离开各冷却管。图a和图b示出了根据一个实施例的、特征在于外部铰链的双列直插式存储模块组件。图b示出了分解图，而图a示出了装配图。双列直插式存储模块组件包括印刷电路板，在印刷电路板上安装有一个或多个集成电路(一般地以示出)。印刷电路板一般是双侧的，集成电路安装在两侧上。热接口材料的层热耦联至集成电路。一种常见的热接口材料是热间隙垫。然而，可以使用其他热接口材料。在所描绘的实施例中，由通过外部铰链连接的一对侧板a、b组成的、能够移除的散热器与热接口材料a、b的层物理接触，并且因此热耦联至热接口材料a、b。侧板a、b可以由铝制成。然而，可以使用其他材料形成侧板a、b。能够移除的一个或多个弹性夹a、b可定位于侧板周围，以将侧板压靠在热接口材料上。深圳市硅宇电子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年。IC芯片包含晶圆芯片和封装芯片，相应IC芯片生产线由晶圆生产线和封装生产线两部分组成。

    这是**次从国外引进集成电路技术；成立电子计算机和大规模集成电路领导小组，制定了**IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。1985年，块64KDRAM在无锡国营724厂试制成功。1988年，上无十四厂建成了我国条4英寸线。1989年，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出振兴集成电路的发展战略；724厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了**华晶电子集团公司。[5]1990-2000年重点建设期1990年，决定实施“908”工程。1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司——首钢NEC电子有限公司。1992年，上海飞利浦公司建成了我国条5英寸线。1993年，块256KDRAM在**华晶电子集团公司试制成功。1994年，首钢日电公司建成了我国条6英寸线。1995年，决定继续实施集成电路专项工程（“909”工程），集中建设我国条8英寸生产线。1996年，英特尔公司投资在上海建设封测厂。1997年，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建上海华虹NEC电子有限公司，主要承担“909”主体工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。1998年，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，开始了**大陆的Foundry时代。IC芯片所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性迈进了一大步。WK2124-ISSG

IC芯片是一种微型电子器件或部件。88E1512-A0-NNP2C000

    因为他们太大了。高频光子（通常是紫外线）被用来创造每层的图案。因为每个特征都非常小，对于一个正在调试制造过程的过程工程师来说，电子显微镜是必要工具。在使用自动测试设备（ATE）包装前，每个设备都要进行测试。测试过程称为晶圆测试或晶圆探通。晶圆被切割成矩形块，每个被称为晶片（“die”）。每个好的die被焊在“pads”上的铝线或金线，连接到封装内，pads通常在die的边上。封装之后，设备在晶圆探通中使用的相同或相似的ATE上进行终检。测试成本可以达到低成本产品的制造成本的25%，但是对于低产出，大型和/或高成本的设备，可以忽略不计。在2005年，一个制造厂（通常称为半导体工厂，常简称fab，指fabricationfacility）建设费用要超过10亿美元，因为大部分操作是自动化的。[1]制造过程芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样”芯片的原料晶圆晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体所需要的晶圆。晶圆越薄。88E1512-A0-NNP2C000