霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。其工作原理为如图半导体薄片置于磁场中,当它的电流方向与磁场方向不一致时,半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势,这种现象称霍尔效应。产生的电动势称霍尔电势半导体薄片称霍尔元件。霍尔传感器(霍尔元件)是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。西安储能逆变器霍尔传感器
目前的霍尔器件都可承受一定的振动,可在零下40℃到零上150℃范围内工作,全部密封不受水油污染,完全能够适应汽车的恶劣工作环境。霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压,如:直流、交流、脉冲波形等,甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。而普通互感器则是无法与其比拟的,它一般只适用于测量50Hz正弦波 原边电路与副边电路之间有良好的电气隔离,隔离电压可达9600Vrms;精度高:在工作温度区内精度优于1%,该精度适合于任何波形的测量;霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm级)。宽带宽:高带宽的电流传感器上升时间可小于1μs;但是,电压传感器带宽较窄,一般在15kHz以内,6400Vrms的高压电压传感器上升时间约500uS,带宽约700Hz。闵行区霍尔传感器代理商哪家可以卖闭环式霍尔传感器又称零磁通霍尔传感器!
由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;I为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。对于一个给定的霍尔器件,当偏置电流 I 固定时,UH将完全取决于被测的磁场强度B。霍尔效应一个霍尔元件一般有四个引出端子,其中两根是霍尔元件的偏置电流 I 的输入端,另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路,就会产生霍尔电流。一般地说,偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出;若精度要求高,则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度,有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的镀膜合金;这类传感器的霍尔电势较大,但在0.05T左右出现饱和,适用在低量限、小量程下使用。在半导体薄片两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场,则在垂直于电流和磁场的方向上,将产生电势差为UH的霍尔电压。
与开环霍尔电流传感器相比,闭环霍尔电流传感器多了一个补偿线圈,该线圈缠绕在铁芯上。当电流传感器通过铁芯时,铁芯感应出磁场,霍尔元器件将磁场转化成电压,该电压被运放处理后驱动电路产生一个补偿电流,该补偿电流流过线圈产生一个磁场,该磁场与原边电流产生的磁场大小相等方向相反,从而抵消原边磁场,处于磁平衡状态。所以该补偿电流就是原边电流缩放后的,缩放比例与补偿线圈的圈数呈线性关系。闭环式霍尔电流传感器又叫间接测量法。在霍尔电流传感器中,霍尔元器件是关键元器件,其性能影响着产品的性能。霍尔元器件的作用是将一定范围内的磁通量转化成电压信号,霍尔元器件将50mT内的磁通密度转化成电压信号。所以选用该芯片时,一定不要让铁芯产生的磁通密度超过50mT。霍尔电流传感器是按照霍尔效应原理制成。
通常,霍尔效应传感器和电路相连,从而允许设备以数字(开/关)模式操作,在这种情况下可以被称为开关。工业中常见的设备,例如气缸,也被用于日常设备中,如一些打印机使用他们来监测缺纸和敞盖的情况。当键盘被要求高可靠性时,便也设计霍尔传感器在其按键内。霍尔效应传感器通常被用于计量车轮和轴的速度,例如在内燃机点火定时(正时)或转速表上。其在无刷直流电动机的使用,用来检测永磁铁的位置。图示中的轮子,带有两个等距的磁铁,传感器上的电压在一个周期内将两次达到峰值,此设置通常被用来校准磁盘驱动的速率。霍尔效应传感器提供线性或数字输出。开环霍尔传感器排名
霍尔传感器通过检测磁场变化,转变为电信号输出,可用于监视和测量汽车各部件运行参数的变化。西安储能逆变器霍尔传感器
霍尔传感器(霍尔元件)是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。美国物理学家霍尔(Hall,EdwinHerbert,1855-1938)于1879年在实验中发现,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。该效应是在研究导体的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。西安储能逆变器霍尔传感器
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