湖北国产CeYAG晶体好不好

电子-空穴对的数量直接决定了无机闪烁晶体的光输出。假设产生一对电子-空穴对所需的平均能量为eh，光子的能量E全部被闪烁晶体吸收，那么无机闪烁晶体形成的电子-空穴对的数目Neh可以由下式表示Neh=Er/ξeh=Er/βEg 当光线与闪烁晶体相互作用时，晶体中电子空穴对Neh的数量直接影响晶体的光输出。假设电子空穴对转化为闪烁光子的效率为(与从电子空穴对到发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率有关)，可以得出：无机闪烁晶体的光输出主要与晶体成分(，Eg)、电子空穴向发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率()有关。Ce:YAG单片机还可以作为扫描电子显微镜的显示元件。湖北国产CeYAG晶体好不好

一种蓝光半导体激光器激发CeYAG晶体的照明系统，包括蓝光半导体激光器、光学耦合透镜组、光纤、CeYAG晶体模块、光学透镜组，上述元件依次排列于同一光路上。其中N个(N≥1)蓝光半导体激光器经过光学耦合透镜组的准直和聚焦，耦合进光纤，多根光纤可以进行捆绑合束，也可以进行熔融拉锥合束，从光纤出来的蓝光半导体激光激发具有高激光损伤阈值的CeYAG晶体模块，产生490～700nm波段的荧光(即受激发荧光)，并通过对CeYAG晶体模块的光学设计达到对透射的蓝色激光和受激发荧光的匀化，光学透镜组对CeYAG晶体模块匀化后的光线进行配光曲线的调节，从而产生用于照明领域的均匀白光。湖北双折射CeYAG晶体生产CeYAG晶体发光中心波长为550nm，可以与硅光二极管等探测设备有效耦合。

Ce:YAG晶体的发射峰的中心波长约为550nm吗？无机闪烁晶体(Ce:YAG)的闪烁机理之电子空穴对的产生。电子-空穴对的产生是入射高能光子和晶体中原子相互作用的结果。主要包括原子的电离和激发，电子-电子和电子-声子的弛豫，以及其他辐射和非辐射的能量耗散过程。众所周知，高能射线不能直接电离和激发无机闪烁晶体中的原子。相反，它们通过光电效应、康普顿效应和电子对效应产生的电子电离和激发晶体中的原子。当入射射线具有中等能量(几百KeV左右)时，主要发生光电效应，即高能射线与晶体中原子的内层电子(通常是K层)相互作用产生初级光电子。

CeYAG是一种重要的具有优良闪烁性能的闪烁晶体，具有高的发光效率和宽的光脉冲，较大优点是其发光中心波长为550nm，可以与硅光二极管等探测设备有效耦合。同CsI闪烁晶体相比，CeYAG闪烁晶体具有快衰减时间（约70ns，而CsI衰减时间约为300ns），而且CeYAG闪烁晶体不潮解、耐高温、热力学性能稳定，主要应用在轻粒子探测、α粒子探测、gamma射线探测等领域，另外它还可以应用于电子探测成像（SEM）、高分辨率显微成像荧光屏等领域。由于Ce离子在YAG基质中的分凝系数小（约为0.1），使Ce离子很难掺入YAG晶体中，而且随着晶体直径的增大，晶体生长难度急剧增加。闪烁晶体是指高能粒子的撞击下，能将高能粒子的动能转变为光能而发出闪光的晶体。

在Ce:YAG晶体中，Ce3离子以D2对称性取代Y3位。在晶体场的作用下，4f1电子构型的Ce3离子基态分裂为2F5/2和2F7/2双态，其5d能级分裂为5个子能级，比较低5d子能级离基态约22 000波。在Ce:YAG闪烁晶体中，其吸收荧光光谱也属于F-D跃迁，具有宽带、衰减快的特点。在可见光范围内可以观察到4个特征吸收峰，峰值波长分别为223nm、340nm、372nm和460nm，对应于Ce3离子从4f到5d的亚能级跃迁。在室温下，其荧光光谱为500纳米至700纳米的宽带光谱，峰值约为525纳米，对应比较低5d子能级至2F5/2基态能级。CeYAG闪烁晶体开展了高分辨率X射线成像系统关键器件——闪烁体研制工作。辽宁双掺CeYAG晶体定制

CeYAG高温闪烁晶体主要应用在轻粒子探测、α粒子探测、gamma射线探测等领域。湖北国产CeYAG晶体好不好

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