三极管结构,三极管的种类很多,按功率大小可分为大功率管和小功率管;按电路中的工作频率可分为高频管和低频管;按半导体材料不同可分为硅管和锗管;按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区,分别称为发射区、基区和集电区,由三个区各引出一个电极,分别称为发射极(E)、基极(B)和集电极(C),发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为集电结。其结构和符号见下图1、图2所示,其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。选择三极管时,需要考虑其工作电压、电流放大倍数等参数,以适应不同的电路需求。氧化物三极管制造商
按照用途可以分为四种 :普通功率型晶体管 高频大功率晶体管 超高频大功率晶体管 特种功率型晶体管 按制造工艺分为六种:双扩散硅双基型 (bjt) 双扩散铝双基型 (btjt) 单向晶闸管 (smcntctbtct等 ) 多晶闸管及门阵列式 (pmicmosfet等 ) 其他种类 根据不同的应用场合和要求可以制作出各种不同结构和功能的特殊二极管和三极管。应用领域 主要应用于整流器、稳压电源、振荡器等电路 [11] . 工作原理 当外加正向电压时(即给三极管输入一个信号电压),通过控制三端子的电流大小来改变输出信号的大小。惠州双极型三极管规格三极管的使用需要遵循相关的电路设计原则和规范,以确保电路的稳定性和可靠性。
三极管的种类:1)低频小功率三极管,特征频率在3MHz以下,功率小于1W,一般作为小信号放大用;2)高频小功率三极管,特征频率大于3MHz,功率小于1W,主要用于高频振荡、放大电路;3)低频大功率三极管,特征频率小于3MHz,功率大于1W,低频大功率三极管品种较多,主要用于电子音响设备的低频功率放大电路,在各种大电流输出稳压电源中作为调整管。4)高频大功率三极管,特征频率大于3MHz,功率大于1W,主要用于通信等设备中进行功率驱动、放大;
三极管主要参数,三极管的参数有很多,可以分成三大类:直流参数、交流参数、极限参数。1、直流参数,共发射极直流放大倍数:共发射极电路中,没有交流输入时,集电极电流与基极电流之比;集电极-基极反向截至电流:发射极开路时,集电极上加有规定的反向偏置电压,此时的集电极电流称为集电极-基极反向截止电流;集电极-发射极反向截止电流:又称穿透电流,基极开路时,流过集电极与发射极之间的电流。2、交流参数,共发射极电流放大倍数:三极管接成共发射极放大器时的交流电流放大倍数;共基极放大倍数:三极管接成共基极放大器时的交流电流放大倍数;特征频率:三极管工作频率超过一定程度时,电流放大倍数开始下降,放大倍数下降到1时的频率即为特征频率。3、极限参数,集电极较大允许电流:集电极电流增大时三极管电流放大倍数减小,当放大倍数减小到低中频端电流放大倍数的1/2或1/3时所对引得集电极电流。集电极-发射极击穿电压:三极管基极开路时,集电极与发射极之间的较大允许电压;集电极较大允许耗散功率:三极管因受热而引起的参数变化不超过规定值时,集电极所消耗的较大功率。三极管的可靠性与使用环境密切相关,需防潮、防尘、防高温。
交流参数:a.交流电流放大系数β(或hFE)交流电流放大系数是指采用共发射极接法时,集电极输出电流的变化量ΔIC与基极输入电流的变化量ΔIB之比。b.截止频率fβ、fα晶体管的频率参数描述晶体管的电流放大系数对高频信号的适应能力。根据fβ的定义,所谓共射截止频率,并非说明此时晶体管已经完全失去放大作用,而只是共射电流放大系数的幅频特性下降了3dB。c.特征频率因为信号频率ƒ上升时,晶体管的β就下降,当β下降到1时,所对应的信号频率称为共发射极特征频率,是表征晶体管高频特性的重要参数。三极管的输入电阻较高,可以减少对输入信号源的负载影响。广州双极型三极管参考价
三极管可以用于音频放大器、射频放大器、开关电源等电子设备中。氧化物三极管制造商
三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。氧化物三极管制造商
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