同步 异步 指的是芯片的整流方式!一般情况下同步使用MOS整流 异步使用二极管,由于MOS导通电阻和压降比较低 因此可以提供高效率。 所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式,该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式,该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。在锁定状态,必须要有充电动作才能使能芯片功能。XC3106CN电源管理IC磷酸铁锂充电管理
XB5128A、XB5136IS、XB5152I2SZR、XB5152J2SZR、XB5153I2S、XB5153J2S、XB5153J2SWY、XB5225I2SZR、XB5306A、XB5307A、XB5307H、XB5332A、XB5332B、XB5350A、XB5350D0、XB5351A0、XB5352A、XB5352AR、XB5352AR12、XB5352AZ、XB5352G、XB5352M、、XB5353A、XB5358D0、XB5358G、XB5358K、XB5401A、XB5556A、0XB5606A、XB5606AJ、XB5606GJ、XB5608A、XB5608AJ、XB5608G、XB5891A、XB5806AE、XB6006AE、XB6008H2、XB6030J2S-SM、XB6030Q2S-SM、XB6040I2、XB6040I2S、XB6042I2、XB6042I2S、XB6042J2S、XB6042K2SV、XB6042M2S、XB6042Q2SV、XB6052M2S、XB6060I2、XB6060I2S、XB6060J2、XB6060M2S、XB6061I2、XB6061I2S、XB6061J2S、XB6090I、XB6091I2S、XB6091I2SV、XB6091ISC、XB6091J2SV、XB6092I2、XB6092J2、XB6094UA2S、XB6096IS、XB6096J、XB6096JS、XB6097IS、XB6156G、XB6166IS、XB6166ISA、XB6206AE、XB6366D、XB6706A、XB6706AHY、XB6706H2、XB6706U0、XB7608A、、XB7608AF、XB7608AJ、XB7608AJL、XB7608AR、XB7608G、XB7608GF、XB7608GJ、XB7608MF、XB6040I2电源管理IC两串两节保护电流采样,连接 USB-C口采样电阻的负端。
锂电保护的选型:电池充满电压 + 充、放电电流(不同于分离式锂电保护) 辅助信息:电池容量,产品应用 。 电池安全,首先要有保护,再有选型要正确锂电保护在保护电池安全上是二次保护,如:过充保护时,一级保护是充电管理,过放保护的一级保护是主芯片等。所以在选型时,要考虑到锂电保护是二次保护的特性,锂电保护的过充电压要高于充电管理的过充电压的值(不能有重合区间),锂电保护的过放电压要低于主芯片的过放电压的值等。锂电保护的选型:电池充满电压 + 充、放电电流(不同于分离式锂电保护)
DS5036B自动检测手机插入,手机插入后即刻从待机状态唤醒,开启升压给手机充电,省去按键操作,可支持无按键模具方案。DS5036B通过内部ADC模块采样每个端口的输出电流,当单个口的输出电流小于约80mA(MOSRds_ON@15mΩ)且持续15s时,会将该输出口关闭。当输出总功率小于约350mW且持续为所有输出口手机已经充满或者拔出,会自动关闭升降压输出。DS5036B 内置电量计功能,可准确实现电池电量计算。 DS5036B 支持 3 线 5 灯、 支持 188 数码管显示电量、支持 IIC 显示电量,支持设置电池的初始化容量,利用电池端电流和时间的积分来管理电池的剩余容量。当电池端电流检测 CSP1 和 CSN1 引脚采用 5mΩ 检测电阻时,可以准确显示当前电池的容量。同时 DS5036B 支持电量从0%到 100%一次不间断的充电过程自动校准当前电池的总容量,更新显示百分比,更合理地管理电池的实际容量。DS5036B 集成了移动电源应用方案必要的全部功能模块。
锂电池充电管理XA4246:丝印:2YL6、2YL4、2YL2、2YLA、H1JC、UN8HX、54B4、S9VH、1IEK、19jH、IJH55、B701、6QK103、XA4054可替代XA4055丝印:55B0、55B1、55B2、55B3、55B4、55B5、55B6、55B7、55B8、55B9、55Ba、55Bb、XA4058;丝印:58B0、58B1、58B2、58B3、58B4、58B5、58B6、58B7、58B8、58B9、588Ba、58Bb、XA4057;丝印:57B0、57B1、57B2、57B3、57B4、57B5、57B6、57B7、57B8、57B9、57Ba、57Bb、XA4059;丝印:59B0、59B1、59B2、59B3、59B4、59B5、59B6、59B7、59B8、59B9、59Ba、59Bb、XA4017:丝印:017K、017G、57b9、57Ba、017t、HXNNH、017e、XA5056。适用范围:适用于标称电压3.7V,充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好!DS5036B
放电过程中,DS2730 实时监测输入/输出电压,并和预设的阈值电压比较。XC3106CN电源管理IC磷酸铁锂充电管理
ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。XC3106CN电源管理IC磷酸铁锂充电管理
DS2730 的测温管脚 TS 集成了电流源,结合外部的温敏电阻(NTC),用于监测应用系统中关键元件的温度,并根据温度动态调整输出功率。实际应用中,NTC 热敏电阻通常置于 PCB 上发热元件附近,例如,芯片SW 开关节点、功率 MOS 或电感附近。选择不同阻值的 Rs 电阻,可以微调过温阈值。 内置 16-bit 的高精度 ADC 和 12-bit 的高速 ADC。高精度 ADC 用于检测精度要求高的信号(例如,负载电流),高速 ADC 用于检测响应速度要求高的信号(例如,输出电压),并配置了窗口比较功能,可以根据检测结果做出快速反应。电流持续大于预设的过流阈值时,芯片自动关闭放电通路。X...