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开关元件q1～q6基于通常占空比d被反馈控制，且被同步整流控制。在步骤st7中，在经过时间t小于延迟时间tsync的情况下(步骤st7中为否的情况下)，反复返回到步骤st7，直至同步整流控制部10d中经过时间t成为延迟时间tsync以上为止。另外，此时，开关元件q1～q6基于通常占空比d被反馈控制，且被同步整流控制。在图5的(a)所示的比较例中，在检测电流iout成为电流阈值ith以下的时刻t1，产生输出电压的变动。第二实施方式中的开关电源装置1如图8的(b)所示，在从检测电流iout成为电流阈值ith以下的时刻t2起经过延迟时间tsync之后从同步整流控制切换为非同步整流控制，由此能够***时刻t2的输出电压的变动。然而，在图8的(a)所示的比较例中，如果在从检测电流iout为电流阈值ith以下的状态经过延迟时间tsync的时刻t3从同步整流控制切换为非同步整流控制，则输出电压会产生一些变动。第二实施方式中的开关电源装置1如图8的(b)所示，通过在时刻t3将控制量替换成切换用占空比d′而进行中断控制，从而能够***输出电压的变动。因此，所连接的各元件、负载等的耐久性提高，能够稳定地向负载供给电力。另外，在上述的实施方式中，电流检测部6的连接位置没有限定。例如。供应12V3.3A裸板电源。品质裸板电源

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这种软开关方式可以显着地减小开关损耗，以及开关过程中激起的振荡，使开关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗，功率场效应管宜采用零电压开通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一种复合开关器件，关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低开关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下开通时，并不能减小容性开通损耗。谐振转换器（ResonantConverter，RC）、准谐振转换器（Qunsi-TesonantConverter，QRC）、多谐振转换器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零电压开关PWM转换器（ZVSPWMConverter）、零电流开关PWM转换器（ZCSPWMConverter）、零电压转换（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换。

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