紫外线照射对Ce: YAP晶体自吸收的影响,我们用8W的紫外灯功率和255nm的波长照射厚度为2mm、浓度为0.3%的Ce: YAP样品。样品辐照时间分别为15、30和60分钟。从紫外辐射吸收光谱可以清楚地看出,随着辐照时间的增加,Ce: YAP样品的吸收边发生红移,样品在254nm处的吸收系数也相应增加。退火和辐照纯度对YAP和Fe: YAP晶体吸收光谱的影响,据报道,Fe3和Fe2离子分别在260纳米和227纳米附近有吸收[98,99],纯YAP在260纳米附近也有吸收。为了了解255纳米附近的吸收峰特性,我们生长并研究了纯YAP晶体和浓度为0.2%的YAP:铁。通过透射率的比较,我们粗略分析了纯YAP和YAP: Fe晶体中可能的色心及其对ce3360ap自吸收的影响。1995年,Tetsuhiko等人总结并重新研究了Ce:YAP晶体的光学特性。山东生长CeYAP晶体参数
掺铈高温闪烁晶体是无机闪烁晶体的一个重要发展方向,其中铈:YAP和铈3360Yag是较好的晶体。随着应用要求的变化,闪烁晶体的尺寸越来越大,因此生长大尺寸的闪烁晶体变得更加重要。同时,国内生长的Ce:YAP晶体自吸收现象普遍存在,导致无法有效提高出光量,其机理尚不清楚。为了有效提高Ce:YAP晶体的闪烁性能,解决其自吸收问题,提高其发光强度,重点研究了Ce:YAP晶体的自吸收机制。同时,为了获得高发光效率的大尺寸Ce:YAG晶体,尝试用温度梯度法生长大尺寸Ce:YAG晶体,并探索了晶体的比较好热处理条件。安徽高温CeYAP晶体材料CeYAP的TL主发光峰峰温较高(701 K)。
假设电子空穴对转化为闪烁光子的效率为(与从电子空穴对到发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率有关),因此,无机闪烁晶体的光输出主要与晶体成分(,Eg)、电子空穴向发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率()有关.NaI:Tl闪烁晶体具有比较大光输出(约48,000 ph/mev)。将其他无机闪烁晶体的光输出与NaI:Tl晶体的光输出进行比较得到的相对值(%NaI(Tl))称为“相对光输出”。相对光输出通常用于表征无机闪烁晶体的光输出。密度、线性吸收系数、质量吸收系数、有效原子序数、辐射长度和莫里哀半径。
不同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。当强度为J0的入射辐射穿过厚度为为x,的材料时,出射辐射的强度可以近似表示为:J=J0exp(-x) (1.8)其中为线性吸收系数。就伽马射线而言,它们主要与固体中的电子相互作用。此时主要取决于固体中的电子密度ne和一个电子的吸收截面e,所以线性吸收系数也可以表示为:==(1.9)上式中的z袋表闪烁体的有效原子序数。闪烁晶体通常要求对入射辐射有较大的吸收系数。例如,对于层析成像技术,使用吸收系数大的材料不只可以使探测器尺寸紧凑,还可以提高其空间分辨率。空间分辨率对于核物理和高能物理实验中使用的探测器尤为重要。1680℃高温氢气退火后,CeYAP晶体中同时包含YAP相和YAG相。
对于掺Ce3的无机闪烁晶体,高能射线作用下的闪烁机制一般认为如下[16,17]:晶体吸收高能射线后,晶体内部产生大量的热化电子空穴对。由于铈元素的四阶电离能是所有稀土元素中比较低的(如图1-6所示),晶体发光中心的Ce3离子首先俘获一个空穴形成Ce4离子。然后一个电子被捕获,变成Ce3。此时,电子和空穴被铈离子重组。复合产生的能量将Ce3离子从4f基态激发到5d激发态,然后Ce3离子从5d激发态辐射弛豫到4f基态发光由于掺杂铈离子的无机闪烁体通常具有高光输出和快速衰减的特点。选用Mn 离子是由于Mn 对YAP 晶体的吸收谱影响很大。山东生长CeYAP晶体参数
我国生长的Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题,直接影响晶体的发光效率。山东生长CeYAP晶体参数
可以假设这种情况存在于NaI: Tl闪烁体中,因为其中Vk中心的迁移时间小于10-7s。另一个模型假设空穴与Vk中心分离,从价带向发光中心移动。由于非局域空穴的高迁移率,这是一种将能量转移到发光中心的快速方法。闪烁过程的后面一个阶段,即发光中心的发射,已经得到了彻底的研究。我们上面已经提到了一些启动过程。目前发光中心一般分为内在和外在两类。卤化物和氧化物的本征发光主要受自陷激子效应的制约。非本征发光主要取决于激发剂本身的电子跃迁(NaI: Tl,CaF2: Eu)或基质与激发剂之间的跃迁(znse3360te,zns:ag)。而一些所谓的自激闪烁晶体(CeF3,Bi4Ge3O12,CaWO4)处于本征发光和非本征发光的中间状态。 山东生长CeYAP晶体参数
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