电子元器件基本参数
  • 品牌
  • TI
  • 型号
  • BQ24610RGER
  • 封装形式
  • VQFN24
电子元器件企业商机

随着外形尺寸缩小,几乎所有的指标改善了-单位成本和开关功率消耗下降,速度提高。但是,集成纳米级别设备的IC不是没有问题,主要是泄漏电流。因此,对于用户的速度和功率消耗增加非常明显,制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步,在半导体国际技术路线图中有很好的描述。越来越多的电路以集成芯片的方式出现在设计师手里,使电子电路的开发趋向于小型化、高速化。越来越多的应用已经由复杂的模拟电路转化为简单的数字逻辑集成电路。电子元器件是电容、晶体管、游丝、发条等电子器件的总称。MAX41461GUB+T

集成度在105元件以上的一般称为超大规模集成电路(VLSI),主要在80年代发展。采用更先进的制造工艺技术,发展了一系列如电子束、软X射线曝光、离子刻蚀等精细加工技术,计算机工艺模拟和计算机辅助生产(CAP),以及计算机辅助测试(CAT)等技术。它的设计更多采用计算机辅助设计(CAD)。集成电路和微处理机的出现不仅深刻地改变了电子技术的面貌和原有的设计理论基础,而且成为现代科学技术的重要基础之一。集成电路向功能越来越大的方向发展,使整机、线路与元件、器件之间的明确界限被突破,器件问题和线路基至整机系统问题已经结合在一起,体现在一小块硅片上,这就形成了固体物理、器件工艺与电子学三者结合的一个新领域──微电子学。我们恭候您的咨询、合作,一起共铸辉煌。TPS51100DGQR电子元器件基础知识大全,欢迎来电咨询。

数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号,例如3G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号)。模拟集成电路又可包括:运算放大器、功率放大器、电压比较器、直流稳压器和专属集成电路等。数字集成电路按导电类型可分为:双极型集成电路和单极型集成电路、双极型集成电路的制作工艺复杂功耗较大,表示集成电路有LCHLLSTTLSTTL等类单极型集成电路的制作工艺简单,功耗也较低,易于制成大规模集成电路,表示集成电路有CMOS.NMOS.PMOS等类型。

厚膜电路。以陶瓷为基片,用丝网印刷和烧结等工艺手段制备无源元件和互连导线,然后与晶体管、二极管和集成电路芯片以及分立电容等元件混合组装而成。薄膜电路。有全膜和混合之分。所谓全膜电路,就是指构成一个完整电路所需的全部有源元件、无源元件和互连导体,皆用薄膜工艺在绝缘基片上制成。但由于膜式晶体管的性能差、寿命短,因此难以实际应用。所以所说的薄膜电路主要是指薄膜混合电路。它通过真空蒸发和溅射等薄膜工艺和光刻技术,用金属、合金和氧化物等材料在微晶玻璃或陶瓷基片上制造电阻、电容和互连(薄膜厚度一般不超过1微米),然后与一片或多片晶体管器件和集成电路的芯片高密度混合组装而成。数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。

数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号,例如3G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号)。模拟集成电路又可包括:运算放大器、功率放大器、电压比较器、直流稳压器和专属集成电路等。数字集成电路按导电类型可分为:双极型集成电路和单极型集成电路、双极型集成电路的制作工艺复杂功耗较大,表示集成电路有LCHLLSTTLSTTL等类单极型集成电路的制作工艺简单,功耗也较低,易于制成大规模集成电路,表示集成电路有CMOS.NMOS.PMOS等类型。我们产品的较广地用于电源供应器、开关电源、充电器、变压器、计算机、电话机、家用电器、通讯产品、灯饰产品、各类仪器及各类电子电器连接线、电机产品电子等。电位器:用于分压的可变电阻器,在裸露的电阻体上,紧压着一至两个可移金属触点。TPS51100DGQR

电容器顾名思义,是‘装电的容器’,是一种容纳电荷的器件。MAX41461GUB+T

集成电路按电路功能分,可以有以门电路为基础的数学逻辑电路和以放大器为基础的线性电路。后者由于半导体衬底和工作元件之间存在着有害的相互作用,发展较前者慢。同时应用于微波的微波集成电路和从Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器和光纤维导管为基础的光集成电路也正在发展之中。半导体集成电路除以硅为基础的材料外,砷化镓也是重要的材料,以它为基础材料制成的集成电路,其工作速度可比硅集成电路高一个数量级,有着广阔的发展前景。从整个集成电路范畴讲,除半导体集成电路外,还有厚膜电路与薄膜电路。欢迎来电咨询。MAX41461GUB+T

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