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    开关二极管工作特性：开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管的开关速度是相当快的，像硅开关二极管的反向恢复时间只有几纳秒，即使是锗开关二极管，也不过几百纳秒。开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 整流二极管电路解析-整流二极管的选型与常用参数？PBRP113ZT

    二极管PN结单向导电性：在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。主要分类：点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用[5]。面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路中使用[5]。平面型二极管平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小，用于大功率整流时PN结面积较大[5]。稳压管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压的作用。稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小，能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的。 NXP3875YR封装SOT-23二极管就选深圳和润天下电子科技有限公司-专业定制二极管。

    二极管常见种类：一、TVS二极管：TVS二极管全称瞬态电压抑制二极管，TVS是一种保护器件，常用在连接器接口，测试点，开关电源等地方，与被保护负载并联使用。二、稳压二极管：利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。三、肖特基二极管：肖特基简称SBD，有正向压降低和反向恢复时间小的特点，常用来作大电流整流。四、快回复二极管：简称FRD，与肖特基类似，但是功耗更大。五、发光二极管：简称LED，LED由含镓、砷、磷、氮等的化合物制成，主要作用可以发光。六、变容二极管：是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的二极管。

    DS2782美信电量计芯片IICSTM32/STM8/51单片机C代码DS2782测量可充电锂离子和锂离子聚合物电池的电压、温度和电流，并估算其可用电量。电量计算所需的电池特性参数和应用参数存储在片内EEPROM中。通过可用电量寄存器，向主系统报告在当前的温度、放电速率、存储电荷和应用参数下，可供系统使用的电荷量的一个保守估计。估计电量以剩余mAh数和满容量的百分比的形式报告。MAX4699ETE+MAX20087ATPA/VY+DS8500-JND+MAX20088ATPA/VY+MAX20412AJD/VDS4832T+TMAXQ1744DS4830AT+TMAX17113ETL+MAX9880AETM+MAX2142GM/VMAX2142GM/VMAX96912EGTM/VYMAX96755RGTN/VMAX14819AATMMAX2137ETN/VMAX96934DGGE/VMAX35103EHJMAX14803CCM+MAX4968AECM+MAX5452EUB+TDS3502U+T&。 整流二极管作用和用途。

    二极管*常见的功能是允许电流沿一个方向（称为二极管的正向）通过，而沿相反的方向（反向）阻止电流通过。这样，二极管可以被视为止回阀的电子版本。这种单向行为称为整流，用于将交流电（ac）转换为直流电（dc）。整流器、二极管的形式可用于诸如从无线电接收机中的无线电信号提取调制之类的任务。但是，由于二极管具有非线性电流-电压特性，因此其行为可能比这种简单的开关动作更为复杂。*当在正向方向上存在一定的阈值电压或切入电压时（该二极管被称为正向偏置的状态），半导体二极管才开始导电。正向偏置二极管两端的电压降*随电流变化很小，并且是温度的函数。此效果可用作温度传感器或参考电压。此外，当二极管两端的反向电压达到称为击穿电压的值时，二极管对反向流动的高电阻突然降至低电阻。可以通过选择半导体材料和制造过程中引入材料中的掺杂杂质来定制半导体二极管的电流-电压特性。这些技术用于创建执行许多不同功能的**二极管。例如，二极管用于调节电压（齐纳二极管），保护电路免受高压浪涌（雪崩二极管）的影响，对收音机和电视接收机进行电子调谐（变容二极管），以产生射频振荡（隧道二极管）、耿氏二极管、IMPATT二极管，并产生光（发光二极管）。 高频电源整流机-高频开关电源-深圳厂家-可定做。BC817DPN

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    二极管PN结形成原理：P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。[6]因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。 PBRP113ZT