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    二极管常见种类：一、TVS二极管：TVS二极管全称瞬态电压抑制二极管，TVS是一种保护器件，常用在连接器接口，测试点，开关电源等地方，与被保护负载并联使用。二、稳压二极管：利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。三、肖特基二极管：肖特基简称SBD，有正向压降低和反向恢复时间小的特点，常用来作大电流整流。四、快回复二极管：简称FRD，与肖特基类似，但是功耗更大。五、发光二极管：简称LED，LED由含镓、砷、磷、氮等的化合物制成，主要作用可以发光。六、变容二极管：是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的二极管。整流二极管电路解析-整流二极管的选型与常用参数？BSS84AKMB

    二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管*普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。 74HC4051D电子元器件一站式配单供应整流二极管选型,现货,供应保障,快速样品,选型支持。

    二极管特性参数：反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被**破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。

     二极管是一种电子元件，具有单向导电性，可以通过交流电，但是直流电无法通过。它是由半导体材料制成的，具有两个端子，一个正极和一个负极。当加正向电压时，即二极管端子上的电压为正时，电流可以自由通过，而当加反向电压时，即二极管端子上的电压为负时，电流几乎为零。二极管的主要应用是整流、检波和开关电路。二极管在整流电路中起着非常重要的作用。它可以将交流电转换为直流电，因为当加正向电压时，即二极管端子上的电压为正时，电流可以自由通过，而当加反向电压时，即二极管端子上的电压为负时，电流几乎为零。因此，在整流电路中，二极管可以控制电流的方向和大小，将交流电转换为直流电。快速恢复高频整流二极管用在低频为什么会发热？

    二极管有多种类型，如普通二极管、肖特基二极管、发光二极管（LED）等。每种二极管都有其独特的特性和应用。例如，肖特基二极管具有较低的正向压降和快速开关速度，适用于高频电路；而LED则能将电能转换为光能，广泛应用于照明和显示领域。二极管的发展经历了多个阶段，从早期的晶体二极管到现代的半导体二极管，其性能和可靠性不断提高。随着材料科学和制造技术的进步，二极管的尺寸不断缩小，性能不断优化，为电子技术的发展奠定了坚实基础。整流桥二极管型号怎么选?MRFE6VP6300HR5 陶瓷电容

二极管包含有PIN 二极管TVS 二极管/ESD 抑制器。BSS84AKMB

    要理解二极管的工作原理，必须从二极管的结构说起。晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。BSS84AKMB