MEMS制作工艺柔性电子的常用材料-PI：
柔性PI膜是一种由聚酰亚胺（PI）构成的薄膜材料，它是通过将均苯四甲酸二酐（PMDA）与二胺基二苯醚（ODA）在强极性溶剂中进行缩聚反应，然后流延成膜，然后经过亚胺化处理得到的高分子绝缘材料。柔性PI膜拥有许多独特的优点，如高绝缘性、良好的粘结性、强的耐辐射性和耐高温性能，使其成为一种综合性能很好的有机高分子材料。
柔性PI膜的应用非常广，尤其在电子、液晶显示、机械、航空航天、计算机、光伏电池等领域有着重要的用途。特别是在液晶显示行业中，柔性PI膜因其优越的性能而被用作新型材料，用于制造折叠屏手机的基板、盖板和触控材料。由于OLED显示技术的快速发展，柔性PI膜已成为替代传统ITO玻璃的新材料之一，广泛应用于智能手机和其他可折叠设备的制造。 MEMS是一种现代化的制造技术。湖北MEMS微纳米加工哪里买
大部分用户对汽车、打印机内的MEMS无感，这些器件与用户中间经过了数层中介。但是可穿戴/直接与用户接触，提升消费者科技感，更受年轻用户喜爱，例子可见Fitbit等健身手环。该领域重要的主要有三大块：消费、健康及工业，我们在此主要讨论更受关注的前两者。消费领域的产品包含之前提到的健身手环，还有智能手表等。健康领域，即医疗领域，主要包括诊断，监测和护理。比如助听、指标检测（如血压、血糖水平），体态监测。MEMS几乎可以实现人体所有感官功能，包括视觉、听觉、味觉、嗅觉（如Honeywell电子鼻）、触觉等，各类健康指标可通过结合MEMS与生物化学进行监测。现代MEMS微纳米加工联系人MEMS的芯片制造过程是怎么样的？
MEMS制作工艺-太赫兹脉冲辐射探测：
光电导取样光电导取样是基于光导天线(photoconductiveantenna,PCA)发射机理的逆过程发展起来的一种探测THz脉冲信号的探测技术。如要对THz脉冲信号进行探测，首先，需将一个未加偏置电压的PCA放置于太赫兹光路之中，以便于一个光学门控脉冲(探测脉冲)对其门控。其中，这个探测脉冲和泵浦脉冲有可调节的时间延迟关系，而这个关系可利用一个延迟线来加以实现，尔后，用一束探测脉冲打到光电导介质上，这时在介质中能够产生出电子-空穴对(自由载流子)，而此时同步到达的太赫兹脉冲则作为加在PCA上的偏置电场，以此来驱动那些载流子运动，从而在PCA中形成光电流。用一个与PCA相连的电流表来探测这个电流即可，
MEMS超表面对光电特性的调控：
1.超表面meta-surface对相位的调控：相位是电磁波的一个重要属性，等相位面决定了电磁波的传播方向，一副图像的相位则包含了其立体信息。通过控制电磁波的相位，可以实现光束偏转、超透镜、超全息、涡旋光产生、编码、隐身、幻像等功能。
2.超表面meta-surface对电磁波多个自由度的联合调控：超表面可以实现对电磁波相位、振幅、偏振等自由度的同时调控。比如，通过对电磁波的相位和振幅的联合调控，可以实现立体超全息，通过对电磁波的相位和偏振的联合调控，可以实现矢量涡旋光；通过对电磁波的相位和频率的联合调控，可以实现非线性超透镜等功能。
3.超表面meta-surface对波导模式的调控：可将“超构光学”的概念与各类光波导平台相结合，将超构表面或超构材料集成在各类光波导结构上，则可以在亚波长尺度下对波导中的光信号进行灵活自由的调控。利用上表面集成了超构表面的介质光波导结构，可以实现多功能的光耦合、光探测、偏振/波长解复用、结构光激发、波导模式转化、片上光信号变换、光学神经网络、光路由等应用 。 MEMS技术常用工艺技术组合有：紫外光刻、电子束光刻EBL、PVD磁控溅射、IBE刻蚀、ICP-RIE深刻蚀。
MEMS制作工艺-太赫兹超导混频阵列的MEMS体硅集成天线与封装技术：
太赫兹波是天文探测领域的重要波段，太赫兹波探测对提升人类认知宇宙的能力有重要意义。太赫兹超导混频接收机是具有代表性的高灵敏天文探测设备。天线及混频芯片封装是太赫兹接收前端系统的关键组件。当前，太赫兹超导接收机多采用单独的金属喇叭天线和金属封装，很难进行高集成度阵列扩展。大规模太赫兹阵列接收机发展很大程度受到天线及芯片封装技术的制约。课题拟研究基于MEMS体硅工艺技术的适合大规模太赫兹超导接收阵列应用的0.4THz以上频段高性能集成波纹喇叭天线，及该天线与超导混频芯片一体化封装。通过电磁场理论分析、电磁场数值建模与仿真、低温超导实验验证等手段， MEMS历史悠久，技术集成程度较高。MEMSMEMS微纳米加工服务热线
以PI为特色的柔性电子在太赫兹超表面器件上的应用很广。湖北MEMS微纳米加工哪里买
MEMS四种刻蚀工艺的不同需求：
1.体硅刻蚀：一些块体蚀刻些微机电组件制造过程中需要蚀刻挖除较大量的Si基材，如压力传感器即为一例，即通过蚀刻硅衬底背面形成深的孔洞，但未蚀穿正面，在正面形成一层薄膜。还有其他组件需蚀穿晶圆，不是完全蚀透晶背而是直到停在晶背的镀层上。基于Bosch工艺的一项特点，当要维持一个近乎于垂直且平滑的侧壁轮廓时，是很难获得高蚀刻率的。因此通常为达到很高的蚀刻率，一般避免不了伴随产生具有轻微倾斜角度的侧壁轮廓。不过当采用这类块体蚀刻时，工艺中很少需要垂直的侧壁。
2.准确刻蚀：精确蚀刻精确蚀刻工艺是专门为体积较小、垂直度和侧壁轮廓平滑性上升为关键因素的组件而设计的。就微机电组件而言，需要该方法的组件包括微光机电系统及浮雕印模等。一般说来，此类特性要求，蚀刻率的均匀度控制是远比蚀刻率重要得多。由于蚀刻剂在蚀刻反应区附近消耗率高，引发蚀刻剂密度相对降低，而在晶圆边缘蚀刻率会相应地增加，整片晶圆上的均匀度问题应运而生。上述问题可凭借对等离子或离子轰击的分布图予以校正，从而达到均钟刻的目的。 湖北MEMS微纳米加工哪里买
